【正文】 片被擊穿，使得d33減小。在極化電壓為3kV時，只有3號樣品擊穿，這是因為3號樣品的致密度最低，陶瓷片中存在的氣孔較多，易被擊穿。 ()O3陶瓷片的壓電常數(shù)隨電壓的變化關(guān)系、1350℃8h時的d33最大，在極化電壓為3kV/；1430℃2h時的d33最小。比較1號、2號、3號和4號樣品，發(fā)現(xiàn)兩步燒結(jié)時的d33明顯比傳統(tǒng)燒結(jié)法的來得高。這可能是由于兩步法所得的陶瓷樣品的晶粒尺寸較小，具有良好的壓電性能。比較2號和4號樣品，T2一定，保溫時間相同，T1低的d33較大；比較2號和3號樣品，T1和T2一定，保溫時間短的的d33較大。這與致密度相一致，說明致密度好的壓電性能好。比較3號和6號樣品，發(fā)現(xiàn)d33隨T2的變化不是很明顯。2．平面機電耦合系數(shù)kp和機械品質(zhì)因素Qm平面機電耦合系數(shù)Kp反映薄圓片沿厚度方向極化和電激勵，作徑向伸縮振動時機電耦合效應(yīng)的參數(shù)。機械品質(zhì)因數(shù)Qm值表征壓電體在諧振時克服內(nèi)摩擦而消耗的能量。()O3陶瓷的Kp和Qm值： 1430℃()O3陶瓷的Kp和Qm值極化電壓(kV/cm)Fs(kHz)Fp(kHz)KpQm23 15501430℃()O3陶瓷的Kp和Qm值極化電壓(kV/cm)Fs(kHz)Fp(kHz)KpQm23 15501430℃()O3陶瓷的Kp和Qm值極化電壓(kV/cm)Fs(kHz)Fp(kHz)KpQm23//// 15801430℃()O3陶瓷的Kp和Qm值極化電壓(kV/cm)Fs(kHz)Fp(kHz)KpQm23 1350℃()O3陶瓷的Kp和Qm值極化電壓(kV/cm)Fs(kHz)Fp(kHz)KpQm23 15501350℃()O3陶瓷的Kp和Qm值極化電壓(kV/cm)Fs(kHz)Fp(kHz)KpQm23 ()O3陶瓷片的Kp與極化電壓的關(guān)系，Kp隨極化電壓的變化不是很規(guī)律，2號、4號和6號陶瓷樣品隨著極化電壓的增加先減小后增大，在極化電壓為3kV/cm時Kp達到最大；而1號、3號和6號陶瓷樣品隨著極化電壓的增大先增大然后情況就不定了。在兩步燒結(jié)時，比較Kp：24，23，3和6樣品不相伯仲。這與d33的變化規(guī)律一致。1350℃()O3陶瓷片的Kp最大，最大值出現(xiàn)在極化電壓為3kV/cm處。而1430℃2h時的Kp最小，最小值出現(xiàn)在極化電壓為2kV/cm處。 ()O3陶瓷片的Qm與極化電壓的關(guān)系，Qm隨極化電壓的變化不是很規(guī)律。在兩步燒結(jié)時，比較Qm：24，36，2和3樣品不相伯仲。15801430℃2h時的Qm最大，最大值出現(xiàn)在極化電壓為3kV/cm處。而在1350℃()O3陶瓷片的Qm最小，最小值出現(xiàn)在極化電壓為3kV/cm處。四、結(jié)論()O3陶瓷。通過X射線衍射、SEM等對陶瓷進行了表征，并對陶瓷的電學性能進行了測試。研究燒結(jié)工藝對材料的致密度、相結(jié)構(gòu)和電學性能的影響。得出的主要結(jié)論如下：1）()O3陶瓷樣品，通過X射線衍射測定都是存在雜相，這可能與摻雜及燒結(jié)條件有關(guān)。2）通過對比發(fā)現(xiàn)1350℃()O3陶瓷樣品致密度最高，%，15801430℃()O3陶瓷樣品致密度最低，%。出現(xiàn)這樣的現(xiàn)象可能是由于燒結(jié)溫度過高，燒結(jié)過程中產(chǎn)生的液相過多，產(chǎn)生過燒，從而使陶瓷的致密度偏小。3）通過介電溫譜分析發(fā)現(xiàn)居里溫度Tc的變化規(guī)律和致密度正好是相反的，但由于組分一定，居里溫度隨燒結(jié)工藝的變化不是很明顯。同時發(fā)現(xiàn)介電常數(shù)（εr）和介電損耗（tanδ）與頻率存在較大的關(guān)系，都隨著頻率的增大而降低。4）研究其鐵電性能得，電場強度越大，電滯回線越飽和；頻率越小，電滯回線越易趨于飽和；并且剩余極化強度Pr和矯頑場Ec均隨電場強度的增大而增大，隨測試頻率的增大而減小。5）()O3陶瓷片的壓電常數(shù)d33隨極化電壓的增大而增大，且1350℃8h時的d33最高，最高值出現(xiàn)在極化電壓為3kV/cm時，；1430℃2h時的d33最低。平面機電耦合系數(shù)Kp隨電壓變化不是很規(guī)律，但整體呈上升趨勢。在兩部燒結(jié)中，它隨燒結(jié)工藝的變化與d33一致。1350℃，而在1430℃。機械品質(zhì)因數(shù)Qm隨極化電壓的變化不是很規(guī)律。15801430℃2h時的Qm最大。而在1350℃8h時的Qm最小。參 考 文 獻[1] 尹奇異，賃敦敏，肖定全等．無鉛壓電陶瓷及其應(yīng)用研究[J]．金屬功能材料，2004， 11(6)：4045．[2] 陳志武．BNTBT和BNTBKT基無鉛壓電陶瓷研究進展[J]．材料導(dǎo)報，2006，20(1)： 1418．[3] 曲遠方．現(xiàn)代陶瓷材料及技術(shù)[M]．上海：華東理工大學出版社，2008．[4] 張子英，楊德林等．()TiO3系無鉛壓電陶瓷研究現(xiàn)狀與展望[J]．材料科學與 工程學報，2006，24(5)：796800．[5] Hiruma Y，Nagatn H，Takenak，T．J Appl Phys，2009，10(5)：08410853．[6] 曲遠方．現(xiàn)代陶瓷材料及技術(shù)[M]．上海：華東理工大學出版社，2008．[7] 賃敦敏，肖定全，朱建國，等．從發(fā)明專利看無鉛壓電陶瓷的研究與發(fā)展無鉛壓 電陶瓷20年發(fā)明專利分析之一[J]．功能材料，2003，34(3)：250253．[8] Farhi R EI Marssi M，Simon A et al．A Raman and dielectric study of ferroelectric Ba(Ti1xZrx)O3 ceramics[J]．The European Physical Journal B，1999，9(4)：599604．[9] Rout S K，Badapanda T，Sinha E，et al． and phase transition of ceramics prepared by a soft chemical route [J]．Applied Physics A：Materials Science and Processing，2008，91(1)：101106．[10] 張利民，張波萍，李敬鋒，等．()NbO3壓電陶瓷放電等離子體燒結(jié)的制備 工藝[J]．稀有金屬材料與工程，2005．34(1)：994997．[11] 張利民．無鉛壓電陶瓷鈮酸鉀鈉的常壓燒結(jié)及其電學性能[J]．硅酸鹽學報，2007， 35(1)：15．[12] 張雷．鈮酸鹽基無鉛壓電陶瓷的制備及其摻雜改性研究[D]．濟南：山東輕工業(yè)學院，2008． [13] 楊群保，荊學珍，李永祥等．無鉛壓電陶瓷研究的新進展[J]．電子元件與材料．2004，23(11)：5665．[14] 肖定全，萬征．環(huán)境協(xié)調(diào)性壓電鐵電陶瓷[J]．壓電與聲光，1999，21(5)：363366．[15] Zhihui Chen，Jiangtao Li，Jiujun Xu，et al． Fabrication of YAG transparent ceramics by twostep sintering[J]． Ceramics International ，2008，34：1709–1712．[16] Wenfeng Liu，Xiaobing Ren．Large Piezoelectric Effect in PbFree Ceramics[J]． PRL 103， 257602 (2009)．[17] 肖長江，劉春太．細晶鈦酸鋇陶瓷的燒結(jié)方法[J] ．硅酸鹽學報，2009，28(1)：114116.致 謝經(jīng)過一學期的刻苦鉆研，論文終于完稿了，值此收筆之際，想對在做論文期間給予過我?guī)椭娜吮硎局孕牡母兄x：本論文是在導(dǎo)師陳智慧老師的悉心指導(dǎo)和關(guān)懷下完成的，從論文選題、研究方案的設(shè)計、關(guān)鍵問題的擬解決到論文的撰寫，無不凝結(jié)著導(dǎo)師的心血。在大學四年里，導(dǎo)師嚴謹?shù)闹螌W態(tài)度、忘我的工作精神、寬人律己的高尚品德深深的感染和教育了我，在學術(shù)和生活上給予了我極大的關(guān)懷和幫助，使我順利完成論文的研究工作。同時感謝常州大學材料科學與工程學院所有老師，四年來對我的培養(yǎng)與教育，使我順利地完成了畢業(yè)論文的實驗和撰寫工作。在此，謹向以上老師致以崇高的敬意和衷心的感謝!另外，我要感謝實驗小組成員董旭、易嘉陽、姚歉歉、周伶俐、祁文娟、吳聰?shù)纫恢币詠韺ξ业膸椭驼疹?；同時感謝材料院08級全體同學，他們在學習和生活中為我提供了很多方便和幫助。同時，對論文評閱老師和答辯委員們的辛勤工作表示感謝。最后感謝材料學院領(lǐng)導(dǎo)，教研組各位老師在我學習期間給予的幫助和照顧。