晶體結(jié)構(gòu)考試(含答案)-資料下載頁(yè)
2025-06-23 22:56本頁(yè)面
【正文】 各為多少？答案：（1）Ti4+:0,0,0。 Ba2+:1/2,1/2,1/2。 O2:1/2,0,0 0,1/2,0 0,0,1/2。（2）BaTiO3（3）Ti4+的氧配位數(shù)為6，Ba2+的氧配位數(shù)12。（4）在晶胞的棱上，Ti4+和O2互相接觸，故 Ba2+和O2在高度為1/2a且平行于立方晶胞的面對(duì)角線方向上互相接觸，因而 （5）組成立方最密堆積 。（6）O2的鈦配位數(shù)為2，O2的鋇配位數(shù)為4。19．某同學(xué)在學(xué)習(xí)等徑球最密堆積（立方最密堆積A1和六方最密堆積A3）后，提出了另一種最密堆積形式Ax。如右圖所示為Ax堆積的片層形式，然后第二層就堆積在第一層的空隙上。請(qǐng)根據(jù)Ax的堆積形式回答:（1）計(jì)算在片層結(jié)構(gòu)中（如圖所示）球數(shù)、空隙數(shù)和切點(diǎn)數(shù)之比 （2）在Ax堆積中將會(huì)形成正八面體空隙和正四面體空隙。確定球數(shù)、正八面體空隙數(shù)和正四面體空隙數(shù)之比 （3）指出Ax堆積中小球的配位數(shù) （4）計(jì)算Ax堆積的原子空間利用率。（5）正八面體和正四面體空隙半徑（可填充小球的最大半徑，設(shè)等徑小球的半徑為r）。（6）已知金屬Ni晶體結(jié)構(gòu)為Ax堆積形式，計(jì)算金屬Ni的密度。（）（7）如果CuH晶體中Cu＋的堆積形式為Ax型，H－填充在空隙中，且配位數(shù)是4。則H－填充的是哪一類空隙，占有率是多少？（8）當(dāng)該同學(xué)將這種Ax堆積形式告訴老師時(shí)，老師說Ax就是A1或A3的某一種。你認(rèn)為是哪一種，為什么？ 答案：（1） 1︰1︰2 （2）1︰1︰2 一個(gè)球參與六個(gè)正八面體空隙，一個(gè)正八面體空隙由六個(gè)球圍成；一個(gè)球參與八個(gè)正四面體空隙，一個(gè)正四面體空隙由四個(gè)球圍成。（3）小球的配位數(shù)為12 平面已配位4個(gè)，中心球周圍的四個(gè)空隙上下各堆積4個(gè)，共12個(gè)。 （4）% 以4個(gè)相鄰小球中心構(gòu)成底面，空隙上小球的中心為上底面的中心構(gòu)成正四棱柱，設(shè)小球半徑為r，則正四棱柱邊長(zhǎng)為2r，高為r，共包括1個(gè)小球（4個(gè)1/4，1個(gè)1/2），空間利用率為（5）。 （6）（4）題，1023cm3。（7）H－填充在正四面體空隙，占有率為50% 正四面體為4配位，正八面體為6配位，且正四面體空隙數(shù)為小球數(shù)的2倍。 （8）Ax就是A1，取一個(gè)中心小球周圍的4個(gè)小球的中心為頂點(diǎn)構(gòu)成正方形，然后上面再取兩層，就是頂點(diǎn)面心的堆積形式。底面一層和第三層中心小球是面心，周圍四小球是頂點(diǎn)，第二層四小球（四個(gè)空隙上）是側(cè)面心。 也可以以相鄰四小球?yàn)檎叫芜叺闹悬c(diǎn)（頂點(diǎn)為正八面體空隙），再取兩層，構(gòu)成與上面同樣大小的正方體，小球位于體心和棱心，實(shí)際上與頂點(diǎn)面心差1/2單位。第 6 頁(yè) 共 6 頁(yè)
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