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【總結】《模擬電子技術》模擬試題一一、填空題：（每空1分共40分）1、PN結正偏時（），反偏時（），所以PN結具有（）導電性。2、漂移電流是（）電流，它由（）載流子形成，其大小與（）有關，而與外加電壓（）。3、所謂理想二極管，就是當其正偏時，結電阻為（），等效成一

2025-01-07 21:40

數(shù)字電子技術試題及答案-資料下載頁

【總結】試題_2006_年~__2007__年第2學期課程名稱：數(shù)字電子技術專業(yè)年級：自動化05級考生學號：考生姓名：試卷類型：A卷■B卷□考試方式:

2025-10-16 13:00

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【總結】數(shù)字電子技術基礎試卷及答案1第1頁共39頁1數(shù)字電子技術基礎一．1．（1５分）試根據(jù)圖示輸入信號波形分別畫出各電路相應的輸出信號波形L1、L2、L3、L4、和L5。設各觸發(fā)器初態(tài)為“0”。AB二．（15分

2025-08-14 11:19

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【總結】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客：第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果填入空內(nèi)。（1）在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（）（2）因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（）

2025-10-16 11:36

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【總結】數(shù)字電子技術基礎1一．1．（1５分）試根據(jù)圖示輸入信號波形分別畫出各電路相應的輸出信號波形L1、L2、L3、L4、和L5。設各觸發(fā)器初態(tài)為“0”。二．（15分）已知由八選一數(shù)據(jù)選擇器組成的邏輯電路如下所示。試按步驟分析該電路在M1、M2取不同值時（M1、M2取值情況如下表所示）輸出F的邏輯表達式。八選一數(shù)據(jù)選擇器輸出端邏輯表達式為：Y=ΣmiDi,

2025-05-31 12:19

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【總結】模擬電子技術基礎試卷及答案一、填空（18分）1．二極管最主要的特性是單向導電性。2．如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V，橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V，經(jīng)過電容濾波后為12V，二極管所承受的最大反向電壓為14V。3．差分放大電路，若兩個輸入信號uI1uI2，則輸出電壓，uO0；

2025-10-09 15:23

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【總結】數(shù)字電子技術基礎試題一、填空題:（每空1分，共10分）1．()10=()2=()16。2.邏輯函數(shù)L=+A+B+C+D=。3.三態(tài)門輸出的三種狀態(tài)分別為：、和。4.主從型JK觸發(fā)器的特性方程=。5.用4個觸發(fā)器可以存儲位二進制數(shù)。6.存儲容量為4K×8位的RAM存儲器，其地

2025-06-19 22:45

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【總結】模擬電子技術基礎試卷及答案一、填空（18分）1．二極管最主要的特性是單向導電性。2．如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V，橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V，經(jīng)過電容濾波后為12V，二極管所承受的最大反向電壓為14V。3．差分放大電路，若兩個輸入信號uI1=uI2，則輸出電壓，uO=0；若uI1=100mV，uI2

2025-06-24 23:32

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【總結】數(shù)字電子技術基礎1一．1．（1５分）試根據(jù)圖示輸入信號波形分別畫出各電路相應的輸出信號波形L1、L2、L3、L4、和L5。設各觸發(fā)器初態(tài)為“0”。二．（15分）已知由八選一數(shù)據(jù)選擇器組成的邏輯電路如下所示。試按步驟分析該電路在M1、M2取不同值時（M1、M2取值情況如下表所示）輸出F的邏輯表達式。八選一數(shù)據(jù)選擇器輸出端邏輯表達式為：Y=ΣmiDi,其中

2025-06-22 17:14

電子技術基礎考研題庫試題及參考答案-資料下載頁

【總結】第1頁共4頁研究生入學考試試題考試科目：電子技術基礎（答案必須寫在答題紙上）一、填空（本題25分）1.對共射、共集和共基三種組態(tài)放大電路，若希望電壓放大倍數(shù)大，可選用組態(tài)；若希望帶負載能力強，應選用組態(tài)；若希望高頻性能好，應選用組態(tài)。

2025-10-18 03:18

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【總結】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度，而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。當外加反向電壓時，擴散電流小于漂移電流，耗盡層變寬。3、在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。二．

2025-08-05 07:58

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【總結】第一章半導體基礎知識自測題一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈UO2＝0UO3≈－UO4≈2VUO5≈UO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根據(jù)PCM＝200mW可得：UCE＝40

2025-06-24 23:33

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【總結】....第1章檢測題（共100分，120分鐘）一、填空題：（，共25分）1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子，少數(shù)載流子為空穴，不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組

2025-06-23 15:22

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【總結】第1章檢測題（）一、填空題：（）1、N型半導體是在本征半導體中摻入極微量的五價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子.少數(shù)載流子為空穴.不能移動的雜質離子帶正電。P型半導體是在本征半導體中摻入極微量的三價元素組成的。這種半導體內(nèi)的多數(shù)載流子為空穴.少數(shù)載流子為自由電子.不能移動的雜質離子帶負電。2、三極管的內(nèi)部結構是由發(fā)射區(qū)、基區(qū)

2025-08-05 09:36

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【總結】....第一組：計算題一、（本題20分）試寫出圖示邏輯電路的邏輯表達式，并化為最簡與或式。解：二、（本題25分）時序邏輯電路如圖所示，已知初始狀態(tài)Q1Q0＝00。（1）試寫出各觸發(fā)器的驅動方程

2025-06-20 00:35

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