東華大學材料結構表征及其應用作業(yè)答案-資料下載頁
2025-06-23 05:48本頁面
【正文】 判斷共混物中聚合物之間的相容性？答案： DSC是在相同的程序控制溫度變化的情況下，用補償器測量樣品與參比物之間的溫差保持為零所需熱量（Q或?H）與溫度T之間的關系。如果共混物的DSC曲線上只有一個Tg，表示這兩種聚合物的相容性非常好；如果共混物有兩個Tg，但都處于兩個純聚合物的Tg之間，表示這兩種聚合物有一定相容性；如果兩個Tg分別與兩種純聚合物的Tg相同，表示它們完全不相容，處于相分離的狀態(tài)。 3. 簡述DMA的基本原理，從E’和tanδ與溫度之間的關系曲線上分別能獲得哪些信息？答案：DMA是在程序控制溫度的情況下，測量高分子材料在一定頻率振動負荷下的動態(tài)模量（E’和E”)和力學損耗（tanδ)與溫度的關系；或在一定溫度下，測量E’、E”和tanδ與負荷振動頻率的關系。從E’與溫度之間的關系曲線上可得到Tg, Tf和聚合物模量隨溫度的變化情況；從tanδ與溫度的關系曲線上可得到Tg和Tg以下溫度的各種次級轉變。第十章 X射線光電子能譜法1. 簡述XPS法的基本原理，XPS分析金屬材料、無機材料或高分子材料樣品，可得到信息的樣品表面深度分別是多少？答：XPS是用單色X射線照射樣品，使其中原子殼層中的電子受激發(fā)逃逸形成自由的光電子，通過測試這些電子的動能來計算它們在原子中的結合能，再根據結合能大小推測樣品表面含哪些元素以及它們的價態(tài)或所處的化學環(huán)境。XPS分析金屬材料表面的深度為9nm，XPS分析無機材料表面的深度為12nm，XPS分析金屬材料表面的深度為30nm.2. 為什么XPS譜圖低結合能端的背底電子少，高結合能端的背底電子多？XPS的化學位移和核磁共振的化學位移有何不同？答：背底電子是在逃逸的路徑上發(fā)生能量損失的光電子。由于來自樣品深層的光電子在逃逸的路徑上損失能量較多的占多數(shù)，這樣測得的大多數(shù)背底電子的動能Ek’較小，根據電子結合能Eb計算公式（Eb=hνEk’W’）,計算得到大多數(shù)背底電子的Eb較大。因此在XPS譜圖中結合能高的背底電子比結合能低的要多。XPS的化學位移反映的是相同原子的同一殼層軌道上電子因原子處于不同價態(tài)或不同化學環(huán)境產生的結合能的差異；而核磁共振的化學位移是相同原子在同一外加磁場中因所處化學環(huán)境不同產生的共振頻率的差異。3. 從XPS譜圖上能得到樣品哪些信息？答：能得到樣品表面含哪些元素以及它們的價態(tài)或所處化學環(huán)境的信息。第十一章 X射線衍射法1. Bragg方程在XRD分析中的作用是什么？答案：在測得的XRD譜圖中得到樣品在一定波長λ的X射線照射下產生衍射的入射角θ，根據Bragg方程（2dsinθ=nλ）計算出樣品的各個晶面的晶面間距d，由這些晶面的晶面間距d可確定樣品的晶體結構。2. 高分子材料和無機材料的XRD譜圖各有哪些特點？答案：高分子材料的XRD譜圖基線波動大、譜峰寬 、峰位（2θ）較低、譜峰較少；而無機材料的XRD譜圖基線平緩、譜峰尖銳、峰位（2θ）較高、譜峰較多。 3. XRD在材料科學研究中有哪些應用？它們分別與XRD譜圖中哪些參數(shù)有關？答案：（1）分析材料的物相，即化學組成，與XRD譜圖中衍射峰的位置（2θ）和強度有關；（2）分析材料的晶體結構，與XRD譜圖中衍射峰的位置（2θ）有關；（3）測定材料的結晶度，與XRD譜圖中衍射峰的面積和散射峰的面積有關；（4）測定材料晶粒大小，與XRD譜圖中衍射峰的寬度有關；（5）測定材料晶粒取向度，與衍射峰的強度隨樣品方向的變化有關。
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1