【總結(jié)】電力電子技術(shù)復(fù)習(xí)2011一、選擇題(每小題10分,共20分)1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差?????A???度。A、180°,?B、60°,?c、360°,?D、120°2、α為?
2025-05-31 07:08
【總結(jié)】《電工與電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題答案一、單選題(每小題1分)1、(A)2、(D)3.(D)4、(B)5.(C)6.(B)7.(A)8.(A)9.(C)
2024-10-29 06:52
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、判斷題(在正確的論斷前的括號(hào)內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運(yùn)算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系。第三章(×)1.因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以
2024-10-27 08:12
【總結(jié)】1一、單項(xiàng)選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號(hào)內(nèi)1、在圖示電路中,已知US=2V,IS=-2A。A、B兩點(diǎn)間的電壓UAB為()。(a)-3V (b)-1V (c)-2V1題
2025-05-31 12:20
【總結(jié)】中南大學(xué)現(xiàn)代遠(yuǎn)程教育課程考試(專(zhuān)科)復(fù)習(xí)題及參考答案電子技術(shù)基礎(chǔ)一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測(cè)得某PNP型三極管各極點(diǎn)位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(A)放大狀態(tài)、(B)飽和狀
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)明教程復(fù)習(xí)題 一、填空 1、(238)10=(11101110)2=(EE)16。()2=()16=()10。 2、德?摩根定理表示為=(),=()。 3、數(shù)字信號(hào)只有(兩)種取值,分別表示為(0)和(1)。 4、異或門(mén)電路的表達(dá)式是();同或門(mén)的表達(dá)式是()。 5、組成邏輯函數(shù)的基本單元是(最小項(xiàng)
2025-07-25 21:28
【總結(jié)】現(xiàn)代電力電子技術(shù)第1次作業(yè)本次作業(yè)是本門(mén)課程本學(xué)期的第1次作業(yè),注釋如下:一、單項(xiàng)選擇題(只有一個(gè)選項(xiàng)正確,共3道小題)1.在晶閘管應(yīng)用電路中,為了防止誤觸發(fā)應(yīng)將幅值限制在不觸發(fā)區(qū)的信號(hào)是()(A)干擾信號(hào)(B)觸發(fā)電壓信號(hào)(C)觸發(fā)電流信號(hào)(D)干擾信號(hào)和觸發(fā)信號(hào)
2024-10-19 14:49
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)A第1次作業(yè)本次作業(yè)是本門(mén)課程本學(xué)期的第1次作業(yè),注釋如下:一、單項(xiàng)選擇題(只有一個(gè)選項(xiàng)正確,共10道小題)1.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子,因此它應(yīng)()。??(A)?帶負(fù)電??(B)?帶正電??(C)?不
2025-06-28 21:29
【總結(jié)】1習(xí)題答案第一章數(shù)制和碼制1.?dāng)?shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)各有什么特點(diǎn)?答:模擬信號(hào)——量值的大小隨時(shí)間變化是連續(xù)的。數(shù)字信號(hào)——量值的大小隨時(shí)間變化是離散的、突變的(存在一個(gè)最小數(shù)量單位△)。2.在數(shù)字系統(tǒng)中為什么要采用二進(jìn)制?它有何優(yōu)點(diǎn)?答:簡(jiǎn)單、狀態(tài)數(shù)少,可以用二極管、三極管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)對(duì)應(yīng)二進(jìn)制的兩
2024-10-29 09:13
【總結(jié)】1第三章組合邏輯電路思考題與習(xí)題參考答案[題3-1]解:圖P3-1:21,FF真值表如表D3-1所示。表D3-1輸入輸出CBA21FF000001010
2024-11-09 16:46
【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過(guò)電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱(chēng)漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無(wú)摻雜的純半導(dǎo)體材料即本征半導(dǎo)體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】.....電路電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、計(jì)算題:1、計(jì)算圖1所示各電路,K打開(kāi)時(shí)及閉合時(shí)的Ua、Ub及Uab。圖12、求圖2所示電路中的電壓U。3A36Ω36Ω12Ω12Ω12Ω+-U
2025-04-17 07:17
【總結(jié)】電工電子技術(shù)復(fù)習(xí)提綱一、直流電路1、負(fù)載、電源的有關(guān)概念,電流電壓及其參考方向及功率的計(jì)算。2、電流源與電壓源的等效變換、最大功率的傳輸。3、克希荷夫定律及支路電流法。(重點(diǎn))4、疊加原理。(重點(diǎn))5、節(jié)點(diǎn)電位法。(重點(diǎn))6、戴維南定理。(重點(diǎn))7、電路的化簡(jiǎn)(與恒壓源并聯(lián)的電阻或恒流源可
2024-11-03 23:36
【總結(jié)】中南大學(xué)網(wǎng)絡(luò)教育課程考試(專(zhuān)科)復(fù)習(xí)題及參考答案電子技術(shù)基礎(chǔ)一、選擇題:1.在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,少子濃度主要取決于()(A)摻入雜質(zhì)的濃度、(B)材料、(C)溫度2.測(cè)得某PNP型三極管各極點(diǎn)位為:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,則該管工作于()(
2024-11-07 19:42
【總結(jié)】電子技術(shù)復(fù)習(xí)題一、填空:1.PN結(jié)沒(méi)有外加電壓時(shí),擴(kuò)散電流漂移電流。2.半導(dǎo)體有和兩種載流子,對(duì)于N型半導(dǎo)體多數(shù)載流子是。 。,則輸出電壓的平均值為,則二極管截止時(shí)承受的反向電壓的最大值為5.本證半導(dǎo)體的主要特
2024-08-12 06:17