【總結(jié)】08級數(shù)控專業(yè)《電工電子技術(shù)基礎(chǔ)》復習題及答案一、填空題1、有甲燈220V60W和乙燈110V40W白熾燈,把他們串聯(lián)后接到220V電源上時燈較亮;若把他們并聯(lián)后接到48V電源上時燈較亮。2、交流電的最大值反映其變化范圍,角頻率(或頻率、周期)反映其,初相角反映其
2024-11-03 17:24
【總結(jié)】11電工電子技術(shù)復習題及答案參考小抄電工電子技術(shù)復習復習題1一、單項選擇題:在下列各題中,將唯一正確的答案代碼填入括號內(nèi)1、在圖示電路中,已知US=2V,IS=?2A。A、B兩點間的電壓UAB為()。(a)?3V(b)?1
2025-06-03 05:02
【總結(jié)】、填空題1、由二值變量所構(gòu)成的因果關(guān)系稱為關(guān)系。能夠反映和處理數(shù)學工具稱為邏輯代數(shù)。2、在正邏輯的約定下,“1”表示電平,“0”表示電平。3、數(shù)字電路中,輸入信號和輸出信號之間的關(guān)系是為邏輯電路。在邏輯關(guān)系中,最基本的關(guān)系是與邏輯、或邏輯和非邏輯。4、用來表示各種計數(shù)制數(shù)碼個數(shù)的數(shù)稱為,同一數(shù)碼在不同數(shù)位所代表的是10,是10的冪。5、碼和碼是有權(quán)碼;
2025-05-30 18:28
【總結(jié)】《電子技術(shù)》復習題一、填空題、正弦量的三要素是指、和。幅值、頻率、初相位、圖示電路中,();()。Ω、Ω()()、額定功率為的電器,額定電壓下,工作小時,消耗的電是度。、已知,則,,,。2、、、30O、差分放大電路輸入端加上大小相等、極性相同的兩個信號,稱為信
2025-04-17 07:29
【總結(jié)】模擬電子技術(shù)復習題一、判斷題(在正確的論斷前的括號內(nèi)填入“√”,否則填入“×”。)第二章(×)1.運算電路中一般引入正反饋。(√)2.凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關(guān)系。第三章(×)1.因為N型半導體的多子是自由電子,所以
2024-10-27 08:12
【總結(jié)】第1章直流電路及其分析方法-選擇復習題1.如圖所示電路中,當電阻R2增加時,電流I將______。(A)增加(B)減小(C)不變2.二只白熾燈的額定電壓為220V,額定功率分別為100W和25W,下面結(jié)論正確的是__________。(A)25W白熾燈的燈絲電阻較大(B)100W白熾燈的燈絲電阻較大
2025-08-05 10:14
【總結(jié)】一、名詞解釋(20分)1、電器:2、電動機降壓起動:3、電力網(wǎng):4、保護接地:二、寫出下列各圖的邏輯函數(shù)式。(10分)三、根據(jù)下圖邏輯符號和輸入波形,畫出相應的輸出波形。(10分)四、下圖的移位寄存器的初態(tài)為1111,已知CP的波形,(1)請畫出Q3Q2Q1Q0的波形,(2)當?shù)谌齻€CP脈沖到來后,寄存器保存
2024-10-25 09:52
【總結(jié)】部分習題參考答案(a)發(fā)功元件(b)消耗元件(c)消耗元件在額定電流不變情況下,380V電壓上的功率為380/220*60=,會出現(xiàn)電壓過大甚至燒毀的情況。110V電壓上的功率為110/220*60=30W,會出現(xiàn)電壓過小,燈泡灰暗甚至不亮的情況。(1)U負載電路U開路電路U
2024-11-07 10:35
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》綜合復習資料第一章常用半導體器件一、選擇1、在晶體管放大電路中,測得晶體管的各個電極的電位如下圖所示,該晶體管的類型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型鍺管
2025-06-05 21:32
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復習題一一、填空題1、在N型半導體中,多數(shù)載流子是;在P型半導體中,多數(shù)載流子是。2、場效應管從結(jié)構(gòu)上分為結(jié)型和兩大類,它屬于控制性器件。3、為了使高阻信號源與低阻負載能很好地配合,可以在信號源與負載之間接入(共射、共集、共基)組態(tài)放大電路。4、在多級
2025-06-24 23:32
【總結(jié)】數(shù)字電子技術(shù)班級姓名學號第一頁數(shù)字電子技術(shù)復習題題目一二三四五六七八總分數(shù)分數(shù)評卷人得分閱卷人一、選擇題(每小題分,共分).組合邏輯電路通常由()組合
2025-04-25 13:02
【總結(jié)】2-1與信息電子電路中的二極管相比,電力二極管具有怎樣的結(jié)構(gòu)特點才使得其具有耐受高壓和大電流的能力?答:,使得硅片中通過電流的有效面積增大,顯著提高了二極管的通流能力。,也稱漂移區(qū)。低摻雜N區(qū)由于摻雜濃度低而接近于無摻雜的純半導體材料即本征半導體,由于摻雜濃度低,低摻雜N區(qū)就可以承受很高的電壓而不被擊穿。2-2.使晶閘管導通的條件是什么?答:使晶閘管導通的條件是:晶閘管承受正
2025-04-17 07:00
【總結(jié)】.....電路電子技術(shù)復習題一、計算題:1、計算圖1所示各電路,K打開時及閉合時的Ua、Ub及Uab。圖12、求圖2所示電路中的電壓U。3A36Ω36Ω12Ω12Ω12Ω+-U
2025-04-17 07:17
【總結(jié)】電子技術(shù)復習題一、填空:1.PN結(jié)沒有外加電壓時,擴散電流漂移電流。2.半導體有和兩種載流子,對于N型半導體多數(shù)載流子是。 。,則輸出電壓的平均值為,則二極管截止時承受的反向電壓的最大值為5.本證半導體的主要特
2025-08-03 06:17
【總結(jié)】《模擬電子技術(shù)》復習題綜合(第1、2章)一、選擇題1、在本征半導體中摻入微量的D價元素,形成N型半導體。2、在N型半導體中摻入濃度更大的C價元素,變成為P型半導體。3、在本征半導體中,自由電子濃度B空穴濃度。4、在P型半導體中,自由電子濃度C空穴濃
2025-06-07 02:14