有關(guān)tempress設(shè)備-資料下載頁(yè)
2025-06-19 03:59本頁(yè)面
【正文】 w ControllerN2補(bǔ)足小N2大N2干O2最上面為氧氣管，第二管為大氮管，第三為小氮管，第四為氮補(bǔ)足管。每管都由Mass Flow Controller和閥門共同控制。右下角為測(cè)量壓力爐內(nèi)壓力和爐外壓力差的壓力表。在源瓶柜里還有兩個(gè)閥門，它們共同控制小氮的通路，若開啟則小氮通過(guò)源瓶攜帶POCL3流如爐內(nèi)，若關(guān)閉，則小氮直接通入爐內(nèi)。如下圖：POCL3 VALVEPOCL3 VALVE 所以在BadAbort程序中，雖然小氮的流量設(shè)定為1000sccm，但源閥是關(guān)閉的，不會(huì)有POCL3氣體流入，這樣也是為了清洗管道。Tempress的壓力控制方式主要是通過(guò)氮?dú)庋a(bǔ)足的方法，尾氣抽氣量是一定的（由廠務(wù)決定，當(dāng)然可能有波動(dòng)），在尾氣管上增加一個(gè)由Mass Flow Controller控制的氮?dú)庋a(bǔ)足管來(lái)平衡爐內(nèi)壓力，起到一個(gè)氣體開關(guān)的作用。當(dāng)爐內(nèi)壓力高的時(shí)候，減小補(bǔ)足，低的時(shí)候增大補(bǔ)足。如下圖所示：五、關(guān)于調(diào)試過(guò)程中方塊電阻異常的原因分析和解決方法Problem:Cause:Solution:擴(kuò)散后方塊電阻爐尾低爐口高門沒(méi)有密封好尾氣抽氣量太大Insufficient number of dummy wafers調(diào)整門的開關(guān)狀況減小尾氣出氣量Use more dummy wafers單片均勻性爐尾好爐口差爐門密封性不好尾氣抽氣量太大Insufficient number of dummy wafers調(diào)整門的開關(guān)狀況減小尾氣出氣量Use more dummy wafers單片均勻性差源量不足尾氣壓太大擴(kuò)散溫度太高增加小氮流量減小尾氣壓力降低擴(kuò)散溫度方塊電阻硅片頂部低，底部高舟被污染Test wafers are not prime(probably refurbished)硅片在爐管中放的位置太高The paddle is colder than the wafer and the tube( not for the soft contact loader)使用新的并經(jīng)過(guò)清洗的舟Use prime test wafers that are not refurbished使用位置低點(diǎn)的舟在程序中升溫步后增加穩(wěn)定步驟方塊電阻中間高四周低假片被污染Test wafers are not prime(probably refurbished)硅片在爐管中放的位置太高The paddle is colder than the wafer and the tube( not for the soft contact loader)使用新的假片Use prime test wafers(not refurbished)使用位置低點(diǎn)的舟在程序中升溫步后增加穩(wěn)定步驟不均勻度缺乏一致性石英管和舟沒(méi)有經(jīng)過(guò)飽和假片被污染Test wafers are not prime(probably refurbished)石英管或硅片臟污Draft along the furnace氣體流量不足使用經(jīng)過(guò)處理的石英管和舟使用新的假片使用新的測(cè)試片清潔石英管，舟、假片、槳、氣入裝置等使用清潔的硅片整管方塊電阻偏高擴(kuò)散時(shí)間太短擴(kuò)散溫度太低推進(jìn)時(shí)間太短推進(jìn)溫度太低延長(zhǎng)擴(kuò)散時(shí)間增加擴(kuò)散溫度延長(zhǎng)推進(jìn)時(shí)間增加推進(jìn)溫度整管方塊電阻偏低擴(kuò)散時(shí)間太長(zhǎng)擴(kuò)散溫度太高推進(jìn)時(shí)間太長(zhǎng)推進(jìn)溫度太高縮短擴(kuò)散時(shí)間降低擴(kuò)散溫度縮短推進(jìn)時(shí)間降低推進(jìn)溫度 * 英文部分為現(xiàn)在還不明白其含義。
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