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高考物理專題復(fù)習(xí):電場能的性質(zhì)-資料下載頁

2025-06-08 00:14本頁面
  

【正文】 負(fù)電粒子,從a點(diǎn)射入電場,運(yùn)動軌跡如圖中實(shí)線所示,以|Wab|表示該粒子從a點(diǎn)到b點(diǎn)電場力做功的數(shù)值,以|Wbc|表示該粒子從b點(diǎn)到c點(diǎn)電場力做功的數(shù)值,則(  ) 圖6A.|Wab|=|Wbc|B.|Wab|<|Wbc|C.粒子由a點(diǎn)到b點(diǎn),動能減少D.a(chǎn)點(diǎn)的電勢較b點(diǎn)的電勢低6.兩個等量同種電荷固定于光滑水平面上,其連線中垂線上有A、B、C三點(diǎn),如圖9甲所示,一個電荷量為2 C,質(zhì)量為1 kg的小物塊從C點(diǎn)靜止釋放,其運(yùn)動的 v173。t圖像如圖乙所示,其中B點(diǎn)處為整條圖線切線斜率最大的位置(圖中標(biāo)出了該切線)。則下列說法正確的是(  )圖9A.B點(diǎn)為中垂線上電場強(qiáng)度最大的點(diǎn),電場強(qiáng)度E=2 V/mB.由C點(diǎn)到A點(diǎn)的過程中物塊的電勢能先減小后變大C.由C點(diǎn)到A點(diǎn)的過程中,電勢逐漸升高D.AB兩點(diǎn)電勢差UAB=-5 V解析:選D 小物塊在B點(diǎn)加速度最大,故B點(diǎn)電場強(qiáng)度最大,由v173。t圖線知B點(diǎn)加速度為2 m/s2,據(jù)qE=ma得E=1 V/m,選項(xiàng)A錯誤;由C到A的過程中小物塊動能一直增大,電勢能始終在減小,故電勢逐漸降低,選項(xiàng)B、C錯誤;根據(jù)動能定理有qUAB=mvB2-mvA2,解得UAB=-5 V,選項(xiàng)D正確。7.如圖10所示,一個電量為+Q的點(diǎn)電荷甲,固定在絕緣水平面上的O點(diǎn),另一個電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動,到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v,已知靜電力常量為k,點(diǎn)電荷乙與水平面的動摩擦因數(shù)為μ,AB間距離為L,則以下說法不正確的是(  )圖10A.OB間的距離為 B.從A到B的過程中,電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL+mv02-mv2C.從A到B的過程中,電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL+mv2-mv02D.從A到B的過程中,乙的電勢能減少8.(多選)如圖11甲,真空中有一半徑為R、電荷量為+Q的均勻帶電球體,以球心為坐標(biāo)原點(diǎn),沿半徑方向建立x軸。理論分析表明,x軸上各點(diǎn)的電場強(qiáng)度隨x變化關(guān)系如圖乙,則(  )圖11A.x2處電場強(qiáng)度和x1處的電場強(qiáng)度大小相等、方向相同B.球內(nèi)部的電場為勻強(qiáng)電場C.xx2兩點(diǎn)處的電勢相同D.假設(shè)將一個帶正電的試探電荷沿x軸移動,則從x1移到R處電場力做的功大于從R移到x2處電場力做的功解析:選AD 根據(jù)題圖所示的x軸上各點(diǎn)的電場強(qiáng)度隨x變化關(guān)系,x2處電場強(qiáng)度和x1處的電場強(qiáng)度大小相等、方向相同,球內(nèi)部的電場為非勻強(qiáng)電場,選項(xiàng)A正確B錯誤。根據(jù)電場強(qiáng)度隨x變化關(guān)系圖像與橫軸所圍面積表示電勢的變化可知,x1點(diǎn)處的電勢大于x2點(diǎn)處的電勢,選項(xiàng)C錯誤。根據(jù)電場強(qiáng)度隨x變化關(guān)系圖像與橫軸所圍面積表示電勢的變化(電勢差),由電場力做功公式可知,假設(shè)將一個帶正電的試探電荷沿x軸移動,則從x1移到R處電場力做的功大于從R移到x2處電場力做的功,選項(xiàng)D正確。9.(多選)空間有一沿x軸對稱分布的電場,其電場強(qiáng)度E隨x變化的圖像如圖12所示,帶電粒子在此空間只受電場力作用。下列說法中正確的是(  )圖12A.在-x1處釋放一帶負(fù)電的粒子,它將沿x軸在-x1與x1之間做往返運(yùn)動B.帶負(fù)電的粒子以一定的速度由-x1處沿x軸正方向運(yùn)動到x1處,它在x1處的速度等于在-x1處的速度C.帶正電的粒子以一定的速度由-x1處沿x軸正方向運(yùn)動的過程中,它的動能先增大后減小D.帶正電的粒子在x1處的電勢能比在x2處的電勢能小、與在x3處的電勢能相等10.在絕緣粗糙的水平面上相距為6L的A、B兩處分別固定電量不等的正電荷,兩電荷的位置坐標(biāo)如圖13甲所示,已知B處電荷的電量為+Q。圖乙是AB連線之間的電勢φ與位置x之間的關(guān)系圖像,圖中x=L點(diǎn)為圖線的最低點(diǎn),x=-2L處的縱坐標(biāo)φ=φ0,x=0處的縱坐標(biāo)φ=φ0,x=2L處的縱坐標(biāo)φ=φ0。若在x=-2L的C點(diǎn)由靜止釋放一個質(zhì)量為m、電量為+q的帶電物塊(可視為質(zhì)點(diǎn)),物塊隨即向右運(yùn)動。求:圖13(1)固定在A處的電荷的電量QA。(2)為了使小物塊能夠到達(dá)x=2L處,試討論小物塊與水平面間的動摩擦因數(shù)μ所滿足的條件。(3)若小物塊與水平面間的動摩擦因數(shù)μ=,小物塊運(yùn)動到何處時(shí)速度最大?并求最大速度vm。(4)試畫出μ取值不同的情況下,物塊在AB之間運(yùn)動大致的速度—時(shí)間關(guān)系圖像。答案:(1)QA=4Q (2)μ≤ (3)小物塊運(yùn)動到x=0時(shí)速度最大 vm= (4)圖像見解析圖18
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