【正文】 m8l05xx / 15xx EEPROM是分成三個內(nèi)存陣列：●32字節(jié)的Flash程序存儲器分為128頁，每個256字節(jié)。的內(nèi)存陣列是由32位字（每字4個字節(jié)）。它包括三個方面：用戶啟動代碼區(qū)（UBC）專有代碼區(qū)（PCODE）的主要程序區(qū)第一塊（128字節(jié)）的Flash程序存儲器（從8000開始地址0 x00）包含中斷向量?！穸噙_(dá)1個字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器組織4頁的256個字節(jié)。●一塊選擇字節(jié)（128字節(jié)）坐落在一個單獨(dú)的存儲器陣列。圖6描述的存儲器組織。高密度stm8l05xx / 15xx / 16xx EEPROM是分成三個內(nèi)存陣列：●64字節(jié)的Flash程序存儲器分為256頁，每個256字節(jié)。的內(nèi)存陣列是由32位字（每字4個字節(jié)）。它包括三個方面：用戶啟動代碼區(qū)（UBC）專有代碼區(qū)（PCODE）的主要程序區(qū)第一塊（128字節(jié)）的Flash程序存儲器（從8000開始地址0 x00）包含中斷向量?！襁_(dá)2字節(jié)的EEPROM中數(shù)據(jù)組織的8頁的256個字節(jié)?！褚粔K選擇字節(jié)（128字節(jié)）坐落在一個單獨(dú)的存儲器陣列。圖6描述的存儲器組織。（譯）專有的代碼區(qū)（PCODE）可以用來保護(hù)專有軟件庫用于驅(qū)動設(shè)備。只有在低，中，高密度器件。的適合區(qū)域的大小可以通過pcode選項(xiàng)字節(jié)配置（pcodesize）在ICP模式（使用游接口）。此選項(xiàng)字節(jié)指定數(shù)頁（256字節(jié)粒度）分配給適合面積從8000地址0x00。一旦編程，Pcode選項(xiàng)字節(jié)不能被刪除，并對適合面積的大小是固定的。的適合面積最小的有意義的大小是1頁（256字節(jié)），128個字節(jié)是用來存放中斷向量。而pcode啟用陷阱中斷向量是寫保護(hù)。在培養(yǎng)基+密度器件的面積，適合的最大尺寸是128頁從8000到FFFF地址0 x00 0x00。在高密度的設(shè)備，適合區(qū)域的最大尺寸是255頁從地址0x00 0x01 7eff 8000。Pcode面積自動讀出保護(hù)除了陷阱中斷向量（：讀出保護(hù)，表6：內(nèi)存訪問與編程方法（低密度的裝置），表7：內(nèi)存訪問與編程方法（中密度的設(shè)備）和表8：內(nèi)存訪問與編程方法（中+高密度器件））。讀出保護(hù)不能在這個被禁用面積。這意味著Pcode區(qū)的內(nèi)容不能讀取或修改。Pcode地區(qū)只能通過陷阱向量訪問。（UBC）用戶引導(dǎo)區(qū)（UBC）包含復(fù)位和中斷向量。它可以用來商店的IAP和通信例程。UBC區(qū)具有保護(hù)的第二級為了防止意外擦除或修改在IAP編程。這意味著它總是寫保護(hù)，寫保護(hù)，無法利用大眾的鑰匙開啟。UBC的面積大小可以通過閱讀UBC選項(xiàng)字節(jié)得到。UBC的面積的大小，可以配置在ICP模式（使用游接口）通過UBC選項(xiàng)字節(jié)。UBC選項(xiàng)字節(jié)指定分配的頁數(shù)為UBC面積從8000地址0x00。在中密度stm8l05xx / 15xx設(shè)備，UBC的面積最小的有意義的大小是2頁，其中1是用來存放中斷向量。在低，中，高密度器件，UBC的面積最小的有意義的大小是1頁，其中128字節(jié)用于存儲中斷向量。注意：當(dāng)一個適合地區(qū)已被定義，UBC的最小尺寸應(yīng)pcodesize + 1?？捎么鎯哟aUBC的部分地區(qū)位于Pcode區(qū)端和所定義的UBC區(qū)端之間。在高密度stm8l05xx / 15xx / 16xx裝置，對引導(dǎo)區(qū)的最大大小為255從8000頁地址0 x00 0x01 7eff（包括中斷向量）。在培養(yǎng)基+密度stm8l05xx / 15xx裝置，對引導(dǎo)區(qū)的最大大小為128從8000頁地址0 x00 0x00 FFFF（包括中斷向量）。在中密度stm8l05xx / 15xx裝置，對引導(dǎo)區(qū)的最大大小為255從8000頁地址0 x00 0x00 ff7f（包括中斷向量）。參考圖7，圖8，圖9和圖10的不列顛哥倫比亞大學(xué)的區(qū)域描述內(nèi)存映射和在數(shù)據(jù)表選項(xiàng)字節(jié)段在UBC選項(xiàng)字節(jié)的更多細(xì)節(jié)。（數(shù)據(jù)）數(shù)據(jù)EEPROM面積可用于存儲應(yīng)用程序數(shù)據(jù)。默認(rèn)情況下，數(shù)據(jù)區(qū)是寫保護(hù)來防止意外修改時，主程序是在IAP模式更新。寫保護(hù)只能使用特定的質(zhì)量關(guān)鍵解鎖序列（參閱啟用寫入訪問的數(shù)據(jù)區(qū)）。數(shù)據(jù)區(qū)的大小是低密度stm8l15xx裝置256字節(jié)，1字節(jié)在媒介和媒介+密度stm8l15xx器件和高密度2字節(jié)stm8l15xx / 16xx設(shè)備。從地址0x00 1000（見圖4，圖5和圖6）。數(shù)據(jù)區(qū)域的大小限制為256字節(jié)stm8l05xx價值線裝置。主程序的區(qū)域，開始在UBC或pcode結(jié)束（當(dāng)可用），在地址0x00 9fff對低密度stm8l05xx / 15xx兩端的設(shè)備，0x00 FFFF中介質(zhì)+密度stm8l05xx / 15xx 0x01 7fff設(shè)備和高密度stm8l05xx / 15xx / 16xx設(shè)備。它是用來存儲程序代碼（見圖4，圖5和圖6）。選項(xiàng)字節(jié)用于配置設(shè)備的硬件功能和內(nèi)存保護(hù)。他們都位于一個專用存儲器陣列的一塊。選項(xiàng)字節(jié)可以修改ICP /游泳和IAP模式，除了ROP和UBC和pcodesize（可用時）。在選擇字節(jié)的更多信息是指在數(shù)據(jù)表選項(xiàng)字節(jié)段，和STM8游泳協(xié)議和調(diào)試模塊用戶手冊（um0470）有關(guān)細(xì)節(jié)，它們?nèi)绾尉幊?。讀出的保護(hù)是通過編程刪除0xAA ROP選項(xiàng)字節(jié)。什么時候讀出啟用保護(hù)，閱讀或修改Flash程序存儲器和數(shù)據(jù)在ICP模式區(qū)（使用游接口）是被禁止的，不管寫保護(hù)設(shè)置。即使沒有保護(hù)可以被視為完全牢不可破，讀出功能提供了很高的水平保護(hù)一個通用微控制器。讀出保護(hù)可以在程序存儲器，禁用UBC，pcode（可用時）和數(shù)據(jù)區(qū)，通過ICP的ROP選項(xiàng)字節(jié)編程模式。在這種情況下，閃存程序存儲器，數(shù)據(jù)區(qū)域，選擇自動擦除和字節(jié)可編程。默認(rèn)情況下，該地區(qū)一直是適合讀出保護(hù)除中斷向量的陷阱（：專有的代碼區(qū)（PCODE））。參考表7：內(nèi)存訪問與編程方法（中密度的設(shè)備）的細(xì)節(jié)時，讀出存儲器訪問保護(hù)啟用或禁用。（質(zhì)量）復(fù)位后，主程序和數(shù)據(jù)的區(qū)域，防止無意的寫操作。他們必須解鎖之前試圖修改其內(nèi)容。這個解鎖機(jī)構(gòu)由存儲器訪問安全系統(tǒng)管理（質(zhì)量）。在UBC選項(xiàng)字節(jié)指定UBC區(qū)域總是寫保護(hù)（：用戶區(qū)（UBC））。曾經(jīng)的記憶已被修改，建議啟用寫保護(hù)又保護(hù)存儲內(nèi)容的反腐敗。啟用寫入訪問主程序存儲器設(shè)備復(fù)位后，可以禁用主程序存儲器寫連續(xù)兩個值稱為質(zhì)量的關(guān)鍵flash_pukr寄存器寫保護(hù)（：Flash程序存儲器解密密鑰寄存器（flash_pukr））。這些編程鍵，然后比較兩個硬件鍵值：●第一硬件的關(guān)鍵：0b0101 0110（0x56）●二硬件關(guān)鍵：0b1010 1110（0xae）下面的步驟是必需的禁用寫主程序保護(hù)區(qū)：1。寫一個第8位輸入flash_pukr寄存器。當(dāng)這個寄存器寫復(fù)位后的第一時間，數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容不鎖存到寄存器，但相比于第一硬件鍵值（0x56）。2。如果該鍵可在數(shù)據(jù)總線上是不正確的，這是flash_pukr寄存器鎖定，直到下一個復(fù)位。任何新的寫命令發(fā)送到這個地址是丟棄的。3。如果第一個硬件的關(guān)鍵是正確的當(dāng)flash_pukr寄存器寫的第二次，數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容還不鎖存到寄存器，但相對于第二硬件鍵值（0xae）。4。如果該鍵可在數(shù)據(jù)總線上是不正確的，寫保護(hù)程序記憶保持鎖定狀態(tài)，直到下一個復(fù)位。任何新的寫命令發(fā)送到這個地址被丟棄。5。如果第二硬件的關(guān)鍵是正確的，主要是未受保護(hù)的程序存儲器的寫并對flash_iapsr普勒位設(shè)置（：閃光狀態(tài)寄存器（flash_iapsr））登記。在開始編程，應(yīng)用程序必須確認(rèn)普勒位有效集。應(yīng)用程序可以選擇，在任何時候，禁用再次通過清除脈沖點(diǎn)寫訪問Flash程序存儲器。使寫入數(shù)據(jù)區(qū)設(shè)備復(fù)位后，可以禁用數(shù)據(jù)區(qū)的連續(xù)兩個值稱為大眾寫作的關(guān)鍵flash_dukr寄存器寫保護(hù)（見：閃光寄存器映射和復(fù)位值）。這些編程鍵，然后比較兩個硬件鍵值：●第一硬件的關(guān)鍵：0b1010 1110（0xae）●二硬件關(guān)鍵：0b0101 0110（0x56）需要下列步驟禁用寫數(shù)據(jù)區(qū)域的保護(hù)：1。寫一個第8位輸入flash_dukr寄存器。當(dāng)這個寄存器寫復(fù)位后的第一時間，數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容不鎖存到寄存器，但相比于第一硬件鍵值（0xae）。2。如果該鍵可在數(shù)據(jù)總線上是不正確的，應(yīng)用程序可以輸入兩個質(zhì)量嘗試取消數(shù)據(jù)區(qū)鍵。3。如果第一個硬件的關(guān)鍵是正確的，flash_dukr寄存器編程與第二個關(guān)鍵。數(shù)據(jù)總線的內(nèi)容還不鎖存到寄存器，但相對于第二硬件鍵值（0x56）。4。如果關(guān)鍵的可用數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)是不正確的，是寫EEPROM區(qū)直到下一個復(fù)位保護(hù)。任何新的寫命令發(fā)送到這個地址被忽略。5。如果第二硬件的關(guān)鍵是正確的，數(shù)據(jù)區(qū)是寫不安全和DUL位的flash_iapsr寄存器設(shè)置（：閃光狀態(tài)寄存器（flash_iapsr））。在開始編程，應(yīng)用程序必須確認(rèn)數(shù)據(jù)區(qū)域不寫通過檢查，有效地保護(hù)DUL點(diǎn)集。應(yīng)用程序可以選擇，在任何時候，禁用再次通過清除DUL點(diǎn)寫入數(shù)據(jù)區(qū)。寫訪問選項(xiàng)字節(jié)區(qū)域可以通過設(shè)置選擇點(diǎn)閃光控制寄存器2啟用（flash_cr2）。主程序存儲器，和數(shù)據(jù)區(qū)必須解鎖之前執(zhí)行任何程序操作。：內(nèi)存訪問安全系統(tǒng)（質(zhì)量）。注：Pcode區(qū)域總是讀出保護(hù)。唯一的辦法是重新改編ROP選項(xiàng)字節(jié)，因此擦除Flash程序存儲器，數(shù)據(jù)區(qū)，并選擇字節(jié)。（讀寫網(wǎng)）RWW特征可以對數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫操作，EEPROM和執(zhí)行程序存儲器。因此，優(yōu)化的執(zhí)行時間。相反的操作是不允許的：數(shù)據(jù)存儲器時不能被寫入程序存儲器讀。該讀寫網(wǎng)特征是始終啟用的，隨時可以用。注：RWW特征對低密度的設(shè)備不可用。參考表附加信息。主程序存儲器和數(shù)據(jù)區(qū)域可以在字節(jié)級程序。程序一個字節(jié)，應(yīng)用直接寫入目標(biāo)地址?！裨谥鞒绦虼鎯ζ鳎簩ψ止?jié)的程序運(yùn)行時間的應(yīng)用程序停止?！裨跀?shù)據(jù)區(qū)：停止執(zhí)行程序在“高電壓”操作，即當(dāng)該hvoff標(biāo)志設(shè)置，和字節(jié)進(jìn)行編程操作使用同時讀寫（讀寫網(wǎng)）在IAP模式的能力。刪除一個字節(jié)0x00，簡單地寫在相應(yīng)的地址。應(yīng)用程序可以讀取flash_iapsr注冊驗(yàn)證，編程或擦除操作已被正確地執(zhí)行：●EOP標(biāo)志設(shè)置一個成功的編程操作之后●wr_pg_dis設(shè)置當(dāng)軟件試圖寫一個受保護(hù)的頁面。在這的情況下，寫不執(zhí)行程序。當(dāng)其中一個標(biāo)志被設(shè)置，一瞬間中斷如果先前已設(shè)置的flash_cr1寄存器IE點(diǎn)使產(chǎn)生。自動快速字節(jié)編程編程時間可以根據(jù)目標(biāo)地址的初始含量變化。如果字（4字節(jié)）包含字節(jié)進(jìn)行編程不是空的，整個世界被自動刪除該程序運(yùn)行之前。相反，如果這個詞是空的，沒有執(zhí)行擦除操作和編程時間短（見tprog表“Flash程序存儲器在數(shù)據(jù)表）。然而，在編程的時候可以通過設(shè)置的flash_cr1固定點(diǎn)固定注冊程序的操作系統(tǒng)力擦除字節(jié)無論其內(nèi)容（：閃光控制寄存器1（flash_cr1））。編程時間因此，固定的和相等的擦除和寫入時間總和（見表“Flash程序存儲器在數(shù)據(jù)表tprog）。注：寫一個字節(jié)的快速（沒有刪除），整個字（4字節(jié)）為其書寫必須刪除以前的。因此，它是不可能做的兩種快速寫入同一個詞（不擦除前二寫）：第一次寫會快但二寫的其他字節(jié)需要擦除。一個字寫操作可以在一個鏡頭一個4字節(jié)編程的話，從而最大限度地減少編程時間。對于字節(jié)編程，word操作都可以為主要的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。讀而寫（讀寫網(wǎng)）的能力也可以當(dāng)一個詞編程操作在數(shù)據(jù)EEPROM進(jìn)行。參考表附加信息?！裨谥鞒绦虼鎯ζ鳎簩ψ止?jié)的程序運(yùn)行時間的應(yīng)用程序停止?！裨跀?shù)據(jù)區(qū)：程序執(zhí)行不停止，和字節(jié)進(jìn)行編程操作使用同時讀寫（讀寫網(wǎng)）在IAP模式的能力。程序一詞，在flash_cr2寄存器WPRG位必須預(yù)先設(shè)定使字編程模式（：閃光控制寄存器2（flash_cr2））。然后，4個字節(jié)的字進(jìn)行編程，必須加載啟動與第一個地址。編程周期開始時自動4字節(jié)，有被寫。對于字節(jié)操作，EOP和flash_iapsr的wr_pg_dis控制標(biāo)志，結(jié)合Flash中斷，可以用來確定是否已正確完成操作。塊程序操作比字或字節(jié)編程操作要快得多。在一塊的程序操作，一塊是整個程序或在一個單一的編程周期擦除。請參考表5的塊的大小根據(jù)設(shè)備。塊可以執(zhí)行的操作都在主程序存儲器和數(shù)據(jù)區(qū)：●在主程序存儲器：塊程序操作主程序存儲器必須完全從RAM中執(zhí)行?！裨跀?shù)據(jù)區(qū)數(shù)據(jù)塊的操作可以從主程序存儲器執(zhí)行。不過，數(shù)據(jù)加載階段（見下文）已被處決的RAM。有三種可能的塊操作：●塊編程，也被稱為標(biāo)準(zhǔn)塊編程：塊自動擦除之前被編程?！窨焖賶K編程：不執(zhí)行任何先前抹除操作?！駢K擦除在塊編程，硬件中斷屏蔽。標(biāo)準(zhǔn)塊編程標(biāo)準(zhǔn)塊程序操作允許整個塊被寫在一個鏡頭。塊擦除之前自動編程。程序一塊在標(biāo)準(zhǔn)模式下，在flash_cr2 PRG點(diǎn)必須登記預(yù)先設(shè)置為啟用標(biāo)準(zhǔn)塊編程（：閃光控制寄存器2（flash_cr2））。然后，數(shù)據(jù)被編程的塊必須加載依次向目的地地址在主程序存儲器或數(shù)據(jù)區(qū)域。這使所有數(shù)據(jù)的字節(jié)被鎖定。開始編程整個街區(qū)，所有字節(jié)數(shù)據(jù)必須寫。用編程序列中的所有字節(jié)必須在同一塊。這意味著，它們必須有相同的高地址：只有六個最重要的的地址位可以改變。當(dāng)目標(biāo)塊的最后一個字節(jié)加載的，程序自動啟動。它是由一個自動擦除操作的整個街區(qū)。EOP和wr_pg_dis控制標(biāo)志的flash_iapsr一起閃光中斷可以用來確定是否已正確完成操作?？焖倬幊炭焖倬幊炭删幊滩幌炔脸鎯ζ鲀?nèi)容?？焖倬幊淌莾杀兜臉?biāo)準(zhǔn)編程一樣快。該模式僅用于已擦除編程部分。這是非常可編程的空白部分的完整的應(yīng)用程序代碼，為節(jié)省時間是重要的?？焖倬幊淌峭ㄟ^使用相同的序列作為標(biāo)準(zhǔn)塊進(jìn)行編程。為了使快速塊編程模式，在flash_cr2注冊財(cái)務(wù)計(jì)劃與報(bào)表生成點(diǎn)必須預(yù)先設(shè)定。EOP的flash_iapsr寄存器wr_pg_dis比特