軟恢復二極管新進展-資料下載頁
2025-05-28 00:48本頁面
【正文】 的條件下測試反向恢復時間trr以及反向峰值恢復電流IRM；并分別于室溫及150℃下測試反向重復峰值電壓VRRM=2000V下的漏電流IRRM。測試結果如表1所示，表中數(shù)據(jù)為多個樣品所測數(shù)據(jù)的平均值，編號代表不同結構與工藝的分類號，其含義如下： 1 雙基區(qū)結構二極管，擴金控制少子壽命； 2 雙基區(qū)結構二極管，電子輻照控制少子壽命； 3 傳統(tǒng)PIN二極管，擴金控制少子壽命； 4 傳統(tǒng)PIN二極管，電子輻照控制少子壽命。 從表1的數(shù)據(jù)可以看出，雙基區(qū)二極管（表中2類）較傳統(tǒng)PIN二極管（表中4類）具有較小的反向恢復時間、反向恢復峰值電流和dirr/dt，其軟度因子也大大提高，但是它的正向壓降略大，尤其是采用電子輻照控制少子壽命的二極管。而采用擴金方法控制少子壽命的二極管與采用電子輻照方法控制少子壽命的二極管相比較，擴金二極管具有較小的正向壓降、反向恢復時間和反向恢復峰值電流，較大的軟度因子，dirr/dt也偏小，只是反向漏電流偏大，所以具有雙基區(qū)結構的二極管最好選用擴金的方法來控制少子壽命。 表1 雙基區(qū)二極管的測試結果 分類編號 樣品數(shù)量（個） 正向壓降VFM（V） 反向恢復時間trr(μs) 軟度因子S=tb/ta 反向恢復峰值電流IRM（A） dirr/dt(A/μs) 漏電流IRRM（mA）(@ VRRM=2000V) 分類編號 樣品數(shù)量 （個） 正向壓降VFM （V） 反向恢復時間 trr(μs) 軟度 因子 S=tb/ta 反向恢復峰值電流 IRM（A） dirr/dt (A/μs) 漏電流IRRM（mA） (@ VRRM=2000V) 25℃ 150℃ 1 10 100 2 5 65 3 10 42 4 5 23 表中第1～2類的150℃下漏電流的數(shù)據(jù)取的是樣品中示數(shù)最小的值。 6 結 論 雙基區(qū)結構二極管比傳統(tǒng)PIN二極管顯示了較小的反向恢復時間、反向恢復峰值電流和dirr/dt，并且在很大程度上提高了軟度因子。可見，N緩沖層對二極管的反向恢復特性產生了較大的影響，但同時，緩沖層二極管的反向漏電流要明顯地比傳統(tǒng)PIN二極管大得多，高溫情況下尤其如此。由于時間問題，我們僅做了一批較系統(tǒng)的比較實驗，很多問題尚未進一步探討，我們預計，通過進一步優(yōu)化設計和改進工藝，雙基區(qū)結構二極管的反向漏電流問題可望得到改善，反向恢復軟度可望得到進一步提高。 完美WORD格式編輯
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