軟恢復(fù)二極管新進(jìn)展(已修改)
2025-06-09 00:48 本頁(yè)面
【正文】 專業(yè)資料整理分享 軟恢復(fù)二極管新進(jìn)展——擴(kuò)散型 雙基區(qū)二極管 張海濤 張 斌 （清華大學(xué)電力電子廠） （北京1021信箱402室， 北京 102201） 摘 要：本文介紹了一種采用擴(kuò)散型雙基區(qū)結(jié)構(gòu)的快速軟恢復(fù)二極管。二極管基區(qū)由傳統(tǒng)的輕摻雜襯底基區(qū)N 與擴(kuò)散形成的較重?fù)诫s的N區(qū)（緩沖基區(qū)）兩部分組成。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，較傳統(tǒng)的PIN二極管有了較大改善。 關(guān)鍵詞：二極管 快速 軟恢復(fù) New Development of Soft Recovery Diode： Diode with Double Base Regions by the Diffusion Zhang Haitao, Zhang Bin (Power Electronics Factory of Tsinghua University) ( P. O. Box. 1021, Beijing, China, Post Code: 102201) Abstract: This paper introduces a fast and soft recovery diode with double base regions by diffusion. The base design of the diode consists of two regions: conventional lightly doped substrate N－ and a more heavily doped region N (buffering region) by the diffusion. The results of test indicate that the reverse recovery softness of the diodes is increased to about , and is more improved than the conventional PIN diode. Key words: diode, fast, soft recovery 1 引 言 廣泛應(yīng)用于功率電路中的PIN二極管具有較高的反向耐壓，而且在通過(guò)正向大電流密度的情況下，由于基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，正向壓降較小。為了提高耐壓，傳統(tǒng)PIN二極管采用深擴(kuò)散緩變結(jié)構(gòu)，造成關(guān)斷前存在著大量存貯電荷使得反向恢復(fù)時(shí)間延長(zhǎng)；為了減小壓降，這種高壓二極管通常又需要設(shè)計(jì)成基區(qū)穿通
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