高純硅的制備與硅烷法-資料下載頁
2025-05-16 08:53本頁面
【正文】 擴(kuò)散面。:一個中性原子在晶格上的穩(wěn)定性是由其受周圍原子的作用力大小決定的，晶體表面上不同格點(diǎn)為之所受的吸引力是不相同的。：單二維晶核生長、多二維晶核生長:，像海浪一樣向前推進(jìn)。，過飽和度低。：熔體向固液界面?zhèn)鲗?dǎo)的熱QF：相轉(zhuǎn)變時放出的相變潛熱QC：從固液界面?zhèn)髯叩臒峤缑鏌崃鞣匠蹋篈KL(dT/dZ)L+fAdH=AKS(dT/dZ)S：，當(dāng)r,z一定時，溫度也相同，因此在z一定時，即在一個水平面上，以r為半徑的圓周上各點(diǎn)的溫度都相同。，θ≈常數(shù)exp(常數(shù)z)，即晶體中溫度隨z增大而按指數(shù)關(guān)系降低。0時，即環(huán)境冷卻晶體，溫度隨r的增大而降低，此時晶體中等溫線是凹向熔體的。當(dāng)h0時，即環(huán)境給晶體熱量時，溫度隨r增大而升高，此時晶體等溫線是凸向熔體的。，如h0，溫度地圖的軸向分量為：(эθ/эZ)～(常數(shù))（1hr2/2ra）即эθ/эZ隨r增大而減??；h0時，эθ/эZ隨r增大而增大。：在重力場中，以流體密度的差異產(chǎn)生的浮力為驅(qū)動力，浮力克服了黏滯力而形成的對流稱為自然對流。自然對流特征：坩堝壁附近的熔體容易受熱，密度ρ變小而上升，到上表面冷卻后ρ變大而從中心下降，從頂部向下看形成輻射條狀循環(huán)對流。消除自然對流溫度振蕩的不良影響的方法：。 。 。：在直拉單晶中是通過晶體和坩堝旋轉(zhuǎn)來完成的，這種用人為的辦法造成的熔體的流動叫強(qiáng)迫對流。：前者有坩堝，一般為電阻加熱（后者無坩堝，用高頻加熱）；前者產(chǎn)生200mm下單晶（后者為150mm下單晶）；前者純度低，可生產(chǎn)無位錯，低位錯單晶；前者載流子壽命低。：熔體縱向溫度梯度(dT/dZ)L0,徑向溫度梯度(dT/dr)L0，而其他部分熔體均處于過熱狀態(tài)，不能產(chǎn)生相轉(zhuǎn)變。另外，對晶體中溫度梯度的要求是(dT/dz)S0,且大小相當(dāng)，既能使晶體生長時放出的相變潛熱順利的從界面?zhèn)鬟f走，又不要因?yàn)闇囟忍荻冗^大而影響晶體的完整性。：潤晶、縮頸、放肩、等徑生長、拉光。：：、棒狀晶體。（如As）Au的受主能級起補(bǔ)償作用：NAsNAu時，As能級電子全部落入Au的第一受主能級，但不能能填滿。(P型)NAs2NAu,As能級上的電子填滿Au的第一受主能級后并開始部分填充Au的第二受主能級。(N型)3. 2NAuNAs3NAu,As能級電子填充滿Au的第一、二兩個受主能級后，還填充部分第三受主能級。(N型)3NAu，所有Au的三個受主能級都填充了電子。(N型)：：兩個復(fù)合中心俘獲電子、空穴的能力是不同的，對于P型Si，少子為電子，壽命與施主能級上俘獲電子的能力有關(guān)，而N型Si與受主能級俘獲空穴的能力有關(guān)，受主能級俘獲空穴能力比施主能級俘獲電子的能力大些，P型Si的壽命比N型長。：P73計算：共熔法、投雜法P80變速拉晶的基本原理：由熔體生長Si、Ge及化合物半導(dǎo)體晶體如果沿著其縱、橫剖面進(jìn)行性能檢測，會發(fā)現(xiàn)它的電阻率、載流子壽命以及其它的物理性能出現(xiàn)起伏，當(dāng)用化學(xué)腐蝕時，其腐蝕速度也出現(xiàn)起伏，最后表面出現(xiàn)寬窄不一的條紋，這些條紋是由于晶體中雜質(zhì)濃度的起伏造成的，因此又稱為雜質(zhì)條紋。：。，熔體內(nèi)溫度產(chǎn)生規(guī)則或不規(guī)則的起伏，從而使生長速率起伏。：在平坦界面上因干擾產(chǎn)生凸起，其尖端處于過冷度較大的熔體中，它的生長速率比界面處快，凸起不能自動消失，于是平坦的界面穩(wěn)定性被破壞了，原來固液界面前沿的過熱熔體，因雜質(zhì)的聚集產(chǎn)生一過冷區(qū)，這種因組分變化而產(chǎn)生的過冷現(xiàn)象叫組分過冷。：。（位錯低于10e3cm2時，壽命隨ND減小而降低；ND在10e3～10e4cm2時，有最長壽命；當(dāng)ND大于10e4cm2時，壽命隨ND增加而降低）。：金屬雜質(zhì)極容易在位錯上沉淀，破壞PN結(jié)的反向性；在應(yīng)力作用下，位錯出現(xiàn)增強(qiáng)擴(kuò)散；位錯引起噪聲增加。：籽晶，應(yīng)力（籽晶位錯可以通過縮頸來排除；防止機(jī)械振動，注意控制溫度和拉速，防止掉渣，收尾時要緩慢升溫）42 、外廷生長：在一定條件下，在經(jīng)過切、磨、拋等仔細(xì)加工的單晶襯底上，生長一層合乎要求的單晶的方法。同（異）質(zhì)外延：外延層與襯底是同（異）種材料。正外延：器件制作在外延層上。反外延：器件制作在襯底上，外延層只起支撐作用。：（高）阻襯底上外延生長高（低）阻外延層。(N)型襯底上外延生長N(P)型外延層，直接形成PN結(jié)。，在指定的區(qū)域進(jìn)行選擇外延生長。，多層，多組分化合物且組分可變的超薄層。，生長速率可控，可以實(shí)現(xiàn)原子級尺寸厚度的外延生長。：（先增大后減?。?。（低溫指數(shù)變化，較高時變化平緩，高溫時對抑制自摻雜不利）。（正比）。：N總=N襯底+N氣+N鄰片+N擴(kuò)散+N基座+N系統(tǒng)：進(jìn)入外延層的雜質(zhì)要比固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入的大，這一部分雜質(zhì)是襯底中的雜質(zhì)進(jìn)入氣相中再摻入外延層造成的。：由于引起自摻雜的雜質(zhì)在停滯層擴(kuò)散，在氣流上方片子蒸發(fā)出來的雜質(zhì)可以擴(kuò)散到氣流下方片子表面附近，從而加重了下方自摻雜，這種相鄰片子自摻雜的影響稱為鄰片效應(yīng)。：（使用蒸發(fā)速度較小的雜質(zhì)做襯底和埋層中的雜質(zhì)；外延生長前高溫加熱襯底；采用背面封閉技術(shù)；采用低溫外延技術(shù)和不含有鹵原子的硅源）。：在藍(lán)寶石或尖晶石襯底上外延生長Si。：。：把器件制作在絕緣襯底上生長的Si單晶層上。SOI結(jié)構(gòu)的制備方法：。52.ⅢⅥ族化合物半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)：大多為閃鋅礦，少數(shù)為纖維鋅礦。：=0處。100方向上具有雙能谷能帶結(jié)構(gòu)。：價帶頂與導(dǎo)帶底不處于相同的k。：GaP摻入某些雜質(zhì)時，這些雜質(zhì)在禁帶中形成一定的雜質(zhì)能級，導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴可通過這些雜質(zhì)能級進(jìn)行復(fù)合發(fā)光，另外還可以形成一種等電子陷阱束縛激子將間接躍遷轉(zhuǎn)化為直接躍遷而發(fā)光。10 / 10
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