高純硅的制備與硅烷法-資料下載頁
2025-05-16 08:53本頁面
【正文】 擴散面。:一個中性原子在晶格上的穩(wěn)定性是由其受周圍原子的作用力大小決定的，晶體表面上不同格點為之所受的吸引力是不相同的。：單二維晶核生長、多二維晶核生長:，像海浪一樣向前推進。，過飽和度低。：熔體向固液界面?zhèn)鲗У臒酫F：相轉變時放出的相變潛熱QC：從固液界面?zhèn)髯叩臒峤缑鏌崃鞣匠蹋篈KL(dT/dZ)L+fAdH=AKS(dT/dZ)S：，當r,z一定時，溫度也相同，因此在z一定時，即在一個水平面上，以r為半徑的圓周上各點的溫度都相同。，θ≈常數exp(常數z)，即晶體中溫度隨z增大而按指數關系降低。0時，即環(huán)境冷卻晶體，溫度隨r的增大而降低，此時晶體中等溫線是凹向熔體的。當h0時，即環(huán)境給晶體熱量時，溫度隨r增大而升高，此時晶體等溫線是凸向熔體的。，如h0，溫度地圖的軸向分量為：(эθ/эZ)～(常數)（1hr2/2ra）即эθ/эZ隨r增大而減??；h0時，эθ/эZ隨r增大而增大。：在重力場中，以流體密度的差異產生的浮力為驅動力，浮力克服了黏滯力而形成的對流稱為自然對流。自然對流特征：坩堝壁附近的熔體容易受熱，密度ρ變小而上升，到上表面冷卻后ρ變大而從中心下降，從頂部向下看形成輻射條狀循環(huán)對流。消除自然對流溫度振蕩的不良影響的方法：。 。 。：在直拉單晶中是通過晶體和坩堝旋轉來完成的，這種用人為的辦法造成的熔體的流動叫強迫對流。：前者有坩堝，一般為電阻加熱（后者無坩堝，用高頻加熱）；前者產生200mm下單晶（后者為150mm下單晶）；前者純度低，可生產無位錯，低位錯單晶；前者載流子壽命低。：熔體縱向溫度梯度(dT/dZ)L0,徑向溫度梯度(dT/dr)L0，而其他部分熔體均處于過熱狀態(tài)，不能產生相轉變。另外，對晶體中溫度梯度的要求是(dT/dz)S0,且大小相當，既能使晶體生長時放出的相變潛熱順利的從界面?zhèn)鬟f走，又不要因為溫度梯度過大而影響晶體的完整性。：潤晶、縮頸、放肩、等徑生長、拉光。：：、棒狀晶體。（如As）Au的受主能級起補償作用：NAsNAu時，As能級電子全部落入Au的第一受主能級，但不能能填滿。(P型)NAs2NAu,As能級上的電子填滿Au的第一受主能級后并開始部分填充Au的第二受主能級。(N型)3. 2NAuNAs3NAu,As能級電子填充滿Au的第一、二兩個受主能級后，還填充部分第三受主能級。(N型)3NAu，所有Au的三個受主能級都填充了電子。(N型)：：兩個復合中心俘獲電子、空穴的能力是不同的，對于P型Si，少子為電子，壽命與施主能級上俘獲電子的能力有關，而N型Si與受主能級俘獲空穴的能力有關，受主能級俘獲空穴能力比施主能級俘獲電子的能力大些，P型Si的壽命比N型長。：P73計算：共熔法、投雜法P80變速拉晶的基本原理：由熔體生長Si、Ge及化合物半導體晶體如果沿著其縱、橫剖面進行性能檢測，會發(fā)現它的電阻率、載流子壽命以及其它的物理性能出現起伏，當用化學腐蝕時，其腐蝕速度也出現起伏，最后表面出現寬窄不一的條紋，這些條紋是由于晶體中雜質濃度的起伏造成的，因此又稱為雜質條紋。：。，熔體內溫度產生規(guī)則或不規(guī)則的起伏，從而使生長速率起伏。：在平坦界面上因干擾產生凸起，其尖端處于過冷度較大的熔體中，它的生長速率比界面處快，凸起不能自動消失，于是平坦的界面穩(wěn)定性被破壞了，原來固液界面前沿的過熱熔體，因雜質的聚集產生一過冷區(qū)，這種因組分變化而產生的過冷現象叫組分過冷。：。（位錯低于10e3cm2時，壽命隨ND減小而降低；ND在10e3～10e4cm2時，有最長壽命；當ND大于10e4cm2時，壽命隨ND增加而降低）。：金屬雜質極容易在位錯上沉淀，破壞PN結的反向性；在應力作用下，位錯出現增強擴散；位錯引起噪聲增加。：籽晶，應力（籽晶位錯可以通過縮頸來排除；防止機械振動，注意控制溫度和拉速，防止掉渣，收尾時要緩慢升溫）42 、外廷生長：在一定條件下，在經過切、磨、拋等仔細加工的單晶襯底上，生長一層合乎要求的單晶的方法。同（異）質外延：外延層與襯底是同（異）種材料。正外延：器件制作在外延層上。反外延：器件制作在襯底上，外延層只起支撐作用。：（高）阻襯底上外延生長高（低）阻外延層。(N)型襯底上外延生長N(P)型外延層，直接形成PN結。，在指定的區(qū)域進行選擇外延生長。，多層，多組分化合物且組分可變的超薄層。，生長速率可控，可以實現原子級尺寸厚度的外延生長。：（先增大后減?。?。（低溫指數變化，較高時變化平緩，高溫時對抑制自摻雜不利）。（正比）。：N總=N襯底+N氣+N鄰片+N擴散+N基座+N系統(tǒng)：進入外延層的雜質要比固態(tài)擴散進入的大，這一部分雜質是襯底中的雜質進入氣相中再摻入外延層造成的。：由于引起自摻雜的雜質在停滯層擴散，在氣流上方片子蒸發(fā)出來的雜質可以擴散到氣流下方片子表面附近，從而加重了下方自摻雜，這種相鄰片子自摻雜的影響稱為鄰片效應。：（使用蒸發(fā)速度較小的雜質做襯底和埋層中的雜質；外延生長前高溫加熱襯底；采用背面封閉技術；采用低溫外延技術和不含有鹵原子的硅源）。：在藍寶石或尖晶石襯底上外延生長Si。：。：把器件制作在絕緣襯底上生長的Si單晶層上。SOI結構的制備方法：。52.ⅢⅥ族化合物半導體的晶體結構：大多為閃鋅礦，少數為纖維鋅礦。：=0處。100方向上具有雙能谷能帶結構。：價帶頂與導帶底不處于相同的k。：GaP摻入某些雜質時，這些雜質在禁帶中形成一定的雜質能級，導帶中的電子和價帶中的空穴可通過這些雜質能級進行復合發(fā)光，另外還可以形成一種等電子陷阱束縛激子將間接躍遷轉化為直接躍遷而發(fā)光。10 / 10
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