集成電路運(yùn)算放大器的定義-資料下載頁(yè)
2025-05-16 08:15本頁(yè)面
【正文】 變量是VGS。在恒流區(qū)，iD與VDS基本無(wú)關(guān)。并通過(guò)跨導(dǎo)gm=△iD/△VGS| VDS描述場(chǎng)效應(yīng)管的放大作用。而晶體管是通過(guò)iB控制iC。參變量是iB。放大區(qū)，iC與VCE基本無(wú)關(guān)。通過(guò)電流放大系數(shù)β=△iC/△iB描述放大作用。(2)iG=0。所以，直流、交流Ri都很高。而晶體管b極和e極處于正偏狀態(tài)，b～e間Ri較?。簬浊W。(3)場(chǎng)效應(yīng)管利用的是一種極性的多子導(dǎo)電（單極型器件），具有噪聲小，受外界T及輻射的影響小等特點(diǎn)（溫度穩(wěn)定性好）。(4)由于場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)稱(chēng)，有時(shí)DS極可互換使用。各項(xiàng)性能基本不受影響。應(yīng)用時(shí)較方便、靈活。但若制造時(shí)已將S和襯底連在一起，則DS不能互換。(5)場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝簡(jiǎn)單，有利于大規(guī)模集成，且所占面積小，集成度高。(6)MOS場(chǎng)效應(yīng)管Ri高，G極的感應(yīng)電荷不易泄放。 SiO2層薄，G極與襯底間等效電容很小，感應(yīng)電荷少量即可形成高電壓， 將SiO2擊穿而損壞管。存放管子時(shí)，應(yīng)將GS短接，避免G極懸空。焊接時(shí)，烙鐵外殼應(yīng)接地良好，防止因烙鐵漏電而擊穿管子。(7)場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用 場(chǎng)效應(yīng)管在恒流區(qū)內(nèi)工作時(shí)，當(dāng)GS電壓變化△VGS時(shí)， D極電流相應(yīng)變化△iD。若將△iD通過(guò)較大的RL， 從RL上取出的△V0=△iDRL，可能比△VGS大許多倍，即△VGS得到了放大。所以場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管一樣在電路中可起放大的作用?！ET BJT 電壓控制器件gm=△iD/△VGS| VSD電流控制器件β=△ic/△ iB∣vCE輸入端PN結(jié)反偏，iG=0，Ri很大輸入端PN結(jié)正偏，ib≠0，rbe較小單極型器件，一種載流子：噪聲小，溫度穩(wěn)定性好雙極型器件，兩種種載流子：噪 聲較大，溫度穩(wěn)定性較差結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，DS極可以互換結(jié)構(gòu)非對(duì)稱(chēng)，CE極不能互換可以作為性能較好的壓控電阻器線(xiàn)性效果差場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝簡(jiǎn)單具有對(duì)稱(chēng)性，有利于大規(guī)模集成，且所占面積小，集成度高三極管的結(jié)構(gòu)非對(duì)稱(chēng)，制造工藝較場(chǎng)效應(yīng)管復(fù)雜，集成度不夠高 。二、MOS型場(chǎng)效應(yīng)管 JFET的輸入電阻可達(dá)107歐姆，但就本質(zhì)而言，這是PN結(jié)的反向電阻，而反向偏置時(shí)總有反向電流存在， 這就限制了在某些工作條件下對(duì)阻值的更高要求。同時(shí)，從制造工藝看， 把它高度集成化還比較復(fù)雜?！ 〗^緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管由金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制成，稱(chēng)為MetalOxideSemiconductor，簡(jiǎn)稱(chēng)為MOSFET，這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層（例如SiO2）隔離，因此Ri 更高，可達(dá)109 歐姆以上。 MOS管與JFET的不同之處在于它們的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和電流控制原理不同 。JFET利用耗盡層的寬度改變導(dǎo)電溝道的寬度來(lái)控制ID，OSFET則是利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)， 由感應(yīng)電荷的多少改變導(dǎo)電溝道來(lái)控制電流?！ OS管分為N溝道和P溝道兩類(lèi), 每一類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型： 增強(qiáng)型：當(dāng)VGS=0,無(wú)導(dǎo)電溝道,ID＝0 耗盡型：當(dāng)VGS=0,有導(dǎo)電溝道,ID≠0返回
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