金屬材料與塑料材質(zhì)概述-資料下載頁
2025-05-14 03:49本頁面
【正文】 兩接觸材料（非導(dǎo)電體）之間的相對電介常數(shù)（Dielectric Constant）越大， 越容易帶靜電。 Triboelectric Table當(dāng)材料的表面電阻大于109 ohms/square時(shí)， 較容易帶靜電.0 ohms/square~106 ohms/square 導(dǎo)體106 ohms/square~109 ohms/square 非靜電材質(zhì)109 ohms/square~ ∞ 易引起靜電材質(zhì) 防靜電材料之表面電阻值導(dǎo)電PE FOAM104~106 ohms/square抗靜電袋108~1012 ohms/square抗靜電材質(zhì)10~108 ohmscm2. 空氣中的相對濕度越低， 物體越容易帶靜電ESD的參數(shù)特性1. 電容ESD的基本關(guān)系式 ： V=Q/CQ為物體所帶的靜電量， 當(dāng)Q固定時(shí)， 帶靜電物體的電容越低， 所釋放的ESD電壓越高。 通常女人的電容比男人高， 一般人體的電容介于80pfd~500pfd之間.2. 電壓ESD所釋放的電壓， 時(shí)造成IC組件故障的主要原因之一。 人體通常因摩擦所造成的靜電放電電壓介于10~15kV, 所能產(chǎn)生的ESD電壓最高不超過35~40kV的上限。 人體所能感應(yīng)的ESD電壓下限為3~4kV3. 能量W=1/2 *CV2典型的ESD能量約在17 milijoules, 即當(dāng)C=150 pfd, V=15kV時(shí)W=1/2 * 150 *1012 * (15 * 103)2 =17 * 103 joules (焦耳)4. 極性物體所帶的靜電有正負(fù)之分， 當(dāng)某極性促使該組件趨向Reverse Bias時(shí)， 則該組件較易被破壞.5. RISE TIME ( tr )RISE TIMEESD起始脈沖(PULSE)10%到90%ESD電流的尖峰值所須的時(shí)間.Duration ESD起始脈沖50%到落下脈沖50%之間所經(jīng)過的的時(shí)間使用尖銳的工具放電， 產(chǎn)生的ESD Rise time最短， 而電流最大.ESD產(chǎn)生可分為五個(gè)階段進(jìn)行:1. 先期電暈放電（Corona Discharge） , 產(chǎn)生RF輻射波.2. 先期電場放電（Prediscahrge EField）3. 電場放電崩潰（Collapse）4. 磁場放電(Discharge HField)5. 電流釋出， 并產(chǎn)生瞬時(shí)電壓（Transient Voltage）82 電子裝備之ESD問題1. 直接放電到電子組件由電壓導(dǎo)致的破壞(1) 以MOS（Metal Oxide Semiconductar）DEVICE為主(2) 當(dāng)ESD電壓超過氧化層（如SiO2）的Breakdown Voltage時(shí)， 即造成組件破壞.(3) 由電場引起 由電流導(dǎo)致的破壞(1) 以BIPOLAR ( Schottky , TTL) DEVICE 為主(2) 當(dāng)ESD電流達(dá)到2~5A時(shí)， 因焦耳效應(yīng)產(chǎn)生的高熱（I2t）, 將IC JUNCTION燒壞.(3) 由磁場引起2. 直接放電到電子設(shè)備外殼當(dāng)帶靜電的人體接觸電子裝備的金屬外殼時(shí)， 若該裝備有接地， 則ESD電流會直接流至地線， 否則有可能流經(jīng)電子組件再流至GROUND, 造成組件的破壞。由于ESD電流是經(jīng)由阻抗最低的路徑向地傳， 若是接地線的動態(tài)阻抗比箱體到地面/桌面的阻抗低， 則可能有箱體傳至地面， 此時(shí)可能對電子線路造成輻射干擾.3. 間接放電間接放電是指帶靜電體不是直接放電到所接觸的設(shè)備部門， 而是放電到臨近的金屬件， 使ESD PILSE造成電磁場輻射影響電子組件.83 ESD 防護(hù)設(shè)計(jì)1. 組件層次(Component Level)2. 電路板層次(PCB Level)3. CABLING 層次4. 箱體層次（Housing Level）其中1，2項(xiàng)和機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)無關(guān)1. cabling層次對于箱體內(nèi)部的Flat Cable和Power Cable, 要注意1. 避免使用過長的Cable.2. 為了防止感應(yīng)ESD Noise, 必須避免讓Cable 太靠近外殼的接縫處.3. 避免使cable與金屬外殼內(nèi)面接觸， 以免當(dāng)外殼承受ESD時(shí)， 對Cable造成干擾.4. 對Cable 做屏蔽（Shielding）處理2. 箱體層次最應(yīng)該注意的是外殼的屏蔽（Shielding）和接地(Grounding). 在Shielding方面， ESD和EMI的要求完全相同， ESD必須注意的是：1. 凡是可從外部接觸到的金屬件（如Switch），都必須與外殼相連， 不可Floating, 以避免：(1) 使ESD電流流經(jīng)PCB.(2) 因電荷飽和產(chǎn)生二次放電或輻射干擾。， 以免ESD對內(nèi)部造成輻射干擾.3. 在塑料外殼的縫隙設(shè)計(jì)上， 應(yīng)盡量拉長縫隙長度， 以免ESD放電或造成ESD輻射4.
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