全控器件和其他新型器-資料下載頁
2025-05-14 01:58本頁面
【正文】 好學力行河南理工大學明德任責集成門極換流晶閘管 IGCT20世紀 90年代后期出現 ，容量 與 GTO相當，開關速度快 10倍，功耗也大為降低。v 可省去 GTO復雜的緩沖電路，但驅動功率仍很大。v 目前正在與 IGBT等新型器件激烈競爭，試圖最終取代 GTO在大功率場合的位置。IGCT（ IntegratedGateCommutatedThyristor） 其他新型電力電子器件? 新半導體材料做成的器件：具有更好的性能。重點是SiC，目前已有 SiC肖特基二極管產品。好學力行河南理工大學明德任責功率集成電路與集成電力電子模塊20世紀 80年代中后期開始，模塊化趨勢，將多個器件封裝在一個模塊中，稱為 功率模塊 ?？煽s小裝置體積，降低成本，提高可靠性。對工作頻率高的電路，可大大減小線路電感，從而簡化對保護和緩沖電路的要求。將器件與邏輯、控制、保護、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為 功率集成電路（ PowerIntegratedCircuit—— PIC）?；靖拍畹谝徽? 電力電子器件好學力行河南理工大學明德任責第一章 電力電子器件智能功率模塊好學力行河南理工大學明德任責不可控器件 (PowerDiode) —— 不能用控制信號來控制其通斷 , 因此也就不需要驅動電路（如大功率二極管）。半 控型器件（ Thyristor） —— 通過控制信號可以控制其導通而不能控制其關斷 。（晶閘管及其派生器件， GTO除外）全控型器件（ IGBT,MOSFET) —— 通過控制信號既可控制其導通又可控制其關斷，又稱自關斷器件 。（其他器件，如 IGBT等） 電力電子器件 的分類按照器件能夠被控制的程度，分為以下三類：第一章 電力電子器件好學力行河南理工大學明德任責脈沖觸發(fā)型—— 通過在控制端施加一個電壓或電流的脈沖信號來實現器件的開通或者關斷的控制 。 (半控器件 )電平控制型—— 必須通過持續(xù)在控制端和公共端之間施加一定電平的電壓或電流信號來使器件開通并維持在導通狀態(tài)或者關斷并維持在阻斷狀態(tài)。按照驅動信號的波形分類（電力二極管除外）第一章 電力電子器件好學力行河南理工大學明德任責v 按照器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況可分為三類：1)單極型器件2)雙極型器件3)復合型器件由一種載流子參與導電的器件；（ 電力 MOSFET和 SIT）由電子和空穴兩種載流子參與導電的器件（ 電力二極管、晶閘管、 GTO、 GTR和 SITH）由單極型器件和雙極型器件集成混合而成的器件（ IGBT、 MCT和 IGCT） 第一章 電力電子器件好學力行河南理工大學明德任責圖 126 電力電子器件分類 “樹 ”第一章 電力電子器件好學力行河南理工大學明德任責電流驅動型—— 通過從控制端注入或者抽出電流來實現導通或者 關斷的控制 。特點：具有電導調制效應，因而通態(tài)壓降低，導通損耗小，但工作頻率較低，所需驅動功率大 ,驅動電路較復雜。 電壓 驅動型—— 僅通過在控制端和公共端之間施加一定的電壓信號就可實現導通或者關斷的控制 。特點：輸入阻抗高，所需驅動功率小，驅動電路簡單，工作頻率高。按照驅動電路信號的性質，分為兩類：第一章 電力電子器件好學力行河南理工大學明德任責? 20世紀 90年代中期以來，逐漸形成了 小功率 （ 10kW以下）場合以 電力 MOSFET為主， 中、大功率 場合以IGBT為主的壓倒性局面，在 10MVA以上或者數千伏以上 的應用場合，如果不需要自關斷能力，那么 晶閘管 仍然是目前的首選器件。? 電力 MOSFET和 IGBT中的技術創(chuàng)新仍然在繼續(xù)，IGBT還在不斷奪取傳統(tǒng)上屬于晶閘管的應用領域。? SiC材料的電力電子器件，在未來很 有 前景。電力電子器件的現狀和發(fā)展趨勢 :好學力行河南理工大學明德任責小 結 重點： 1）掌握電力二極管的反向恢復時間、電導 調制效應概念； 2）掌握晶閘管的開關條件及選型計算。 3）掌握 MOS和 IGBT的開關特性。 4）掌握器件的分類和主要器件的應用領域。第一章 電力電子器件好學力行河南理工大學明德任責作業(yè)第一章 電力電子器件
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