【正文】
三節(jié) 差異化產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力面對(duì)產(chǎn)業(yè)界中諸多的競(jìng)爭(zhēng)者,本公司生產(chǎn)的高功率LED與其他廠(chǎng)商的產(chǎn)品具備下列幾項(xiàng)差異,這也是本公司最主要的競(jìng)爭(zhēng)籌碼一、能維持高發(fā)光效率:本公司生產(chǎn)的高功率LED之發(fā)光效率大於100lm/w。比起同業(yè)約為65lm/w,更貼近市場(chǎng)的需求。二、:。在同業(yè)間無(wú)法達(dá)成此性能。三、超低導(dǎo)熱係數(shù):小於9℃/W。其他封裝廠(chǎng)產(chǎn)品的導(dǎo)熱係數(shù)均為12℃/W。四、全波段可控制色溫制全程技術(shù):可調(diào)色溫範(fàn)圍2200~8500℃。比較起同業(yè)2500~7500℃,本公司產(chǎn)品的可調(diào)色溫範(fàn)圍更為寬廣。五、自有專(zhuān)利設(shè)計(jì):持有LED封裝專(zhuān)利可滿(mǎn)足特殊照明之所需,並可LED照明產(chǎn)品上的技術(shù)限制。第四節(jié) 風(fēng)險(xiǎn)分析與因應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)因素發(fā)生可能性因素對(duì)策產(chǎn)品跌價(jià)中開(kāi)發(fā)更高產(chǎn)品,timetomarket,縮小發(fā)光面積及提升良率。隨時(shí)掌握市場(chǎng)脈動(dòng),高速產(chǎn)品組合,快速應(yīng)變。市場(chǎng)需求萎縮/產(chǎn)能過(guò)剩低近期LED背光源需求量亦大。未來(lái)白光照明應(yīng)用市場(chǎng)龐大。政府十城開(kāi)展及能源政策推動(dòng)下市場(chǎng)需求旺盛,短中期皆無(wú)市場(chǎng)問(wèn)題,長(zhǎng)期在優(yōu)良整合及技術(shù)開(kāi)發(fā)能力下亦遠(yuǎn)慮。產(chǎn)品銷(xiāo)售不佳低銷(xiāo)售主管深耕大陸多年,已充分開(kāi)發(fā)上下游資源,目前已有100餘潛在客戶(hù)且急需要貨。大陸市場(chǎng)起飛需求龐大,高階低階都缺貨。專(zhuān)利衝突低螢光粉專(zhuān)利即將過(guò)期。自我知識(shí)產(chǎn)權(quán)佈局與保護(hù)。自我技術(shù)開(kāi)發(fā)足以應(yīng)付需要。業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)中能進(jìn)入高功率通用照明的競(jìng)爭(zhēng)者不多。市場(chǎng)廣大,競(jìng)爭(zhēng)者的市占率不高。發(fā)展LED晶粒垂直及整合連橫。缺乏專(zhuān)業(yè)人才低穩(wěn)固既有團(tuán)隊(duì)再訓(xùn)練新血便可,團(tuán)隊(duì)已有豐富訓(xùn)練大隊(duì)員工之經(jīng)驗(yàn),目前大陸已有多名幹部。短中長(zhǎng)期訓(xùn)練計(jì)畫(huà),成立之後仍有儲(chǔ)備之優(yōu)秀臺(tái)灣人才會(huì)加入。產(chǎn)品技術(shù)建立太慢低技術(shù)團(tuán)隊(duì)皆為一線(xiàn)大廠(chǎng),穩(wěn)固既有技術(shù)基礎(chǔ),短中期足可因因素需要。技術(shù)團(tuán)隊(duì)有長(zhǎng)期的研發(fā)經(jīng)驗(yàn),研發(fā)速度快。第五節(jié) 核心技術(shù)與未來(lái)之發(fā)展一、整體核心技術(shù)完整的專(zhuān)利佈局及解析經(jīng)驗(yàn)本技術(shù)團(tuán)隊(duì)曾開(kāi)發(fā)的專(zhuān)利種類(lèi)多且完整,足以因應(yīng)產(chǎn)品生產(chǎn)銷(xiāo)售的屏障。(項(xiàng)詳細(xì)專(zhuān)利項(xiàng)目見(jiàn)附錄)優(yōu)秀的量產(chǎn)型研發(fā)團(tuán)隊(duì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)成員皆具備有世界級(jí)一線(xiàn)大廠(chǎng)的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn),穩(wěn)固既有技術(shù)基礎(chǔ),大量生產(chǎn)及管理經(jīng)驗(yàn)強(qiáng),足以達(dá)到300kk以上的月產(chǎn)能力。此外,有強(qiáng)大的研發(fā)精神與解決問(wèn)題的應(yīng)變能力,可配合用戶(hù)端快速開(kāi)發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品。高亮度、低成本的整合製造能力基於團(tuán)隊(duì)成員過(guò)去在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游的完整經(jīng)歷,與全球各大外延片、晶片廠(chǎng)擁有超過(guò)十年的合作經(jīng)驗(yàn),因此能明確要求上游供應(yīng)商提供所需之最優(yōu)化原物料。二、製造技術(shù)本封裝廠(chǎng)的製造技術(shù)核心有:具備超過(guò)每月300kk之高時(shí)效量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)與能力;具備有多年燈具、照明器件的製造與開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),熟知低成本的新產(chǎn)品之開(kāi)發(fā)能力;擁有與設(shè)備製造商設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)更快速的設(shè)備的機(jī)會(huì)與經(jīng)驗(yàn),具備有超過(guò)同業(yè)的機(jī)臺(tái)修改維護(hù)技巧;具備有及時(shí)點(diǎn)測(cè)、分類(lèi)技術(shù),可提供顧客更為滿(mǎn)意的產(chǎn)品服務(wù)。三、供給面、需求面在原物料的供應(yīng)面上,因與上游供應(yīng)商的合作經(jīng)驗(yàn)充足,能與上游供應(yīng)商維持良好的溝通,基於互惠、共同成長(zhǎng)的理念,能幫助供應(yīng)商開(kāi)發(fā)新型高效產(chǎn)品以建立魚(yú)水互利的關(guān)係。四、未來(lái)技術(shù)的限制與瓶頸解決方案LED要投身照明應(yīng)用市場(chǎng),仍有下列幾項(xiàng)技術(shù)上的限制是影響日後半導(dǎo)體照明發(fā)展的關(guān)鍵,因應(yīng)這些技術(shù)瓶頸,本技術(shù)團(tuán)隊(duì)已掌握以下解決方案:電光轉(zhuǎn)換效率為了提高電光轉(zhuǎn)換效率,我們將透過(guò)電極的改良、最佳化的打線(xiàn)技巧,以及螢光粉轉(zhuǎn)換效率的提升,來(lái)改善此性能。結(jié)構(gòu)最佳化透過(guò)LED封裝結(jié)構(gòu)或燈具結(jié)構(gòu)的最佳化設(shè)計(jì),可增加LED光輻射的定向性,進(jìn)而增加垂直出光量及出光性能。此外經(jīng)由結(jié)構(gòu)的最佳化設(shè)計(jì),可以盡可能減少光子的內(nèi)部吸收,而提高量子效應(yīng)。對(duì)高功率LED而言,高驅(qū)動(dòng)電流造成晶片內(nèi)部熱量過(guò)高,導(dǎo)致發(fā)光波長(zhǎng)漂移、出光效率下降、螢光粉加速老化以及使用壽命縮短等一系列問(wèn)題。由於LED散熱問(wèn)題造成了一定程度的困擾,在此背景下有相當(dāng)多的研究集中於解決散熱或?qū)嶙h題?,F(xiàn)有因應(yīng)對(duì)策為:透過(guò)對(duì)晶片外延結(jié)構(gòu)之優(yōu)化設(shè)計(jì),使用表面粗化技術(shù)等提高晶片內(nèi)外量子效率,減少無(wú)輻射複合產(chǎn)生的晶格震盪,從根本上減少散熱元件的負(fù)荷;通過(guò)優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)與材料,選擇以鋁基為主的金屬芯印刷電路板(MCPCB),使用陶瓷、複合金屬基板等方法,加快熱量從外延層直接向散熱基板導(dǎo)出熱源。良率的提升LED的良率是生產(chǎn)品質(zhì)指標(biāo)之重要一環(huán),也是影響市場(chǎng)行銷(xiāo)與品牌形象的關(guān)鍵這一,我們將透過(guò)訓(xùn)練、管理與資訊整合能力的提升,以及設(shè)計(jì)、工程及設(shè)備參數(shù)最佳化,來(lái)達(dá)到95%以上的良率。更低成本的製造技術(shù)先前已一再提到[技術(shù)]及[成本]兩項(xiàng)議題將是決定LED投身照明市場(chǎng)成敗的關(guān)鍵。我們將與原物料供應(yīng)商及設(shè)備廠(chǎng)商全力配合,並整合管理、工程開(kāi)發(fā)及製造技術(shù)的提升,實(shí)現(xiàn)更低成本的製造技術(shù)。References過(guò)三十篇國(guó)內(nèi)外專(zhuān)利發(fā)表識(shí)別碼構(gòu)想名稱(chēng)申請(qǐng)單號(hào)(官方)申請(qǐng)日期修改Vxxx91001TW二極體結(jié)構(gòu)(臺(tái)灣)911002632002/01/09Vxxx91002CN發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)(大陸)911002632002/10/10Vxxx91002TW發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)(臺(tái)灣)911021432002/02/07Vxxx91004CN石晶屑之成長(zhǎng)方法(大陸)2002/11/14Vxxx91004TW石晶屑之成長(zhǎng)方法(臺(tái)灣)Vxxx91004US石晶屑之成長(zhǎng)方法(美國(guó))method of forming group111 nitride semiductor layer on a lightemitting device10/4633552003/06/17Vxxx91006CN橫向石晶形成石晶之方法(大陸)2002/11/14Vxxx91006TW橫向石晶形成石晶之方法(臺(tái)灣)911244822002/10/23Vxxx91006US橫向石晶形成石晶之方法(美國(guó))method of epitaxial lateral overgrowth10/4628922003/06/17Vxxx91007CN以碳化矽為基板為發(fā)光元件(大陸)2002/11/12Vxxx91007TW以碳化矽為基板為發(fā)光元件(臺(tái)灣)911219942002/09/25Vxxx91009CN高晶格匹配性發(fā)光元件(大陸)2002/12/23Vxxx91009TW高晶格匹配性發(fā)光元件(臺(tái)灣)911361602002/12/13Vxxx91009US高晶格匹配性發(fā)光元件(美國(guó))10/6019572003/06/23Vxxx91010CN白光二極體(大陸)2002/03/27Vxxx91010TW白光二極體(臺(tái)灣)921057752003/03/17Vxxx91013JPIII族氧化物半導(dǎo)體發(fā)光體(日本共有)特願(yuàn)平101541161998/06/03Vxxx91014CN氧化體系化合物半導(dǎo)體之磊晶結(jié)構(gòu)及其製作方法(大陸)2003/03/07Vxxx91014TW氧化體系化合物半導(dǎo)體之磊晶結(jié)構(gòu)及其製作方法(臺(tái)灣)921048992003/03/07Vxxx91014US氧化體系化合物半導(dǎo)體之磊晶結(jié)構(gòu)及其製作方法(美國(guó))10/6038642003/06/26Vxxx91015CN白光二極體(大陸)2003/03/25Vxxx91015TW白光二極體(臺(tái)灣)921045992003/03/04Vxxx91015US白光二極體(美國(guó))10/6036592003/06/26Vxxx92001CN氧化物發(fā)光二極體之窗戶(hù)層結(jié)構(gòu)(大陸)2003/06/26Vxxx92001TW氧化物發(fā)光二極體之窗戶(hù)層結(jié)構(gòu)(臺(tái)灣)921129142003/05/13Vxxx92001US氧化物發(fā)光二極體之窗戶(hù)層結(jié)構(gòu)(美國(guó))10/4474332003/05/28Vxxx92002CN氧化物性質(zhì)結(jié)構(gòu)光二極體(大陸)2003/06/26Vxxx92002TW氧化物性質(zhì)結(jié)構(gòu)光二極體(臺(tái)灣)921129152003/05/13Vxxx92002US氧化物性質(zhì)結(jié)構(gòu)光二極體(美國(guó))10/4474342003/05/28Vxxx92003TWInGaN of MOW(臺(tái)灣)可發(fā)光之光學(xué)元件Vxxx92004TWAllnGaN of MOW(臺(tái)灣)發(fā)光二極體)Vxxx10001CN一種大功率LED封裝方法2010/01華人第一片可商品化藍(lán)光LED(本人攝於1998年2月26日工業(yè)技術(shù)研究院)GaN on Siwafer(本人攝於2004年6月9日 威凱科技)大功率LED(>100lm/w,本人攝於2009年10月29日) 33