cmos攝像器件和紅外焦平面器-資料下載頁(yè)
2025-05-07 18:05本頁(yè)面
【正文】 ? HgCdTe IRFPA的像素尺寸目前可作到 18 18um2 HgCdTe材料是目前最重要的紅外探測(cè)器材料，研制與發(fā)展 HgCdTe IRFPA是目前的主要方向。 基本結(jié)構(gòu) ? 用于空間成像光譜儀的 1024 1024短波 (1~) HgCdTe IRFPA； ? 用于戰(zhàn)術(shù)導(dǎo)彈尋的器和戰(zhàn)略預(yù)警、監(jiān)視系統(tǒng)的640 480的中波 (3~5um ) HgCdTe IRFPA； ? 應(yīng)用十分廣泛的長(zhǎng)波 (8~12um) HgCdTe IRFPA； ? 目前 4N系列（ 4 28 4 480、 4 960）的掃描型和 64 6 128 12 640 480凝視型的 HgCdTe IRFPA已批量生產(chǎn)。 主要類別 硅肖特基勢(shì)壘 IRFPA ? 已實(shí)現(xiàn)了 256 25 512 51 640 480、1024 102 1968 1968等多種型號(hào)的器件 ? 硅肖特基勢(shì)壘 IRFPA的像素目前可作到 17 17um2 硅肖特基勢(shì)壘 IRFPA目前已被廣泛應(yīng)用于 近紅外與中紅外波段的熱成像 ，目前唯一利用已成熟的硅超大規(guī)模集成電路技術(shù)制造的紅外傳感器。 非制冷 IRFPA ? 熱釋電探測(cè)器陣列 ? 測(cè)輻射熱計(jì)陣列，熱釋電 —— 氧化釩、非晶硅等 多量子阱（ MQW） IRFPA ?先進(jìn)的 晶體材料外延工藝 ，在一定的襯底材料上，用這兩種工藝交替地淀積兩種不同半導(dǎo)體薄層，周期性結(jié)構(gòu)，薄層厚度從幾個(gè)到幾十個(gè)原子層，形成一種全新的材料，稱為 超晶格材料 ，性質(zhì)取決于 A和 B的性質(zhì)及它們的層厚，性能也與原來(lái)大不相同。分 I、 II、 III類 三種超晶格材料。 ?工作原理 ：利用子帶間的電子吸收紅外輻射躍遷，在外電路作用下形成光電流，適宜于制作長(zhǎng)波紅外探測(cè)器。 ?優(yōu)點(diǎn)：穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)，均勻性好。 多晶硅非制冷焦平面（ UFPA） 制冷 HgCdTe Micro bolometer 320 256 （ 320 240） 30μm 30μm 45 μm 45μm ~ ～ 8~12 μm 法國(guó) SOFRADIR公司探測(cè)器
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