mosfet的閾電壓ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-05 18:16本頁(yè)面
【正文】 偏置效應(yīng)（體效應(yīng)） ? ? FP21BSFPFBT 22 ?? ???? VKVV? ? 01212)()(21FPBS21FP0T0TT BSBS?????????????????????????????VKVVVVV 襯底偏置效應(yīng)： VT 隨 VBS 的變化而變化。 當(dāng) VS = 0 時(shí)，可將源極作為電位參考點(diǎn)，這時(shí) VG = VGS 、VD = VDS 、 VB = VBS 。 對(duì)于 P 溝道 MOSFET， 可見(jiàn)，當(dāng) |VBS | 增大時(shí)， N 溝道 MOSFET 的閾電壓向正方向變化，而 P 溝道 MOSFET 的閾電壓向負(fù)方向變化。 由于 ，所以 TOX 越厚、 N 越高，襯底偏置效應(yīng)就越嚴(yán)重。 ? ? 01212)()(21FNBS21FN0T0TT BSBS???????????????????????????????VKVVVVV? ?OX21s2CNqK ?? 離子注入對(duì)閾電壓的調(diào)整 設(shè)注入的雜質(zhì)濃度為階梯形分布，且注入深度 R 小于溝道下的襯底耗盡區(qū)最大厚度 x?dmax ， ANAN?R xdmaxx?0 dmaxx 以 NI 代表離子注入所新增加的雜質(zhì)濃度 ， N?A = NA + NI ；以 QI = qNIR 代表離子注入后在耗盡區(qū)新增加的電離雜質(zhì)電荷面密度，則經(jīng) 離子注入調(diào)整后的閾電壓為 12 2OX I A IT M S F PO X O X O X s F P124Q Q Q q N RVC C C???????? ? ? ? ? ????? 閾電壓的調(diào)整量為 12 2I A ITO X O X s F P114Q Q q N RVCC ????????? ? ? ? ? ?????????
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