液晶顯示基礎(chǔ)教材ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-01 08:01本頁(yè)面
【正文】 FT主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)方式 視覺(jué)暫留 1/60秒 (固定 ). 掃描電極越多 ,每一條分配到的時(shí)間越少 . 掃描電極越多 ,每一條分配到的時(shí)間越少 ,液晶來(lái)不及配向排列 增加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)解決時(shí)間的不足 增加驅(qū)動(dòng)電壓有限 ,因?yàn)闀?huì)產(chǎn)生串?dāng)_問(wèn)題 ,波型尖銳 TN約可以做到 1/64 DUTY STN約可以做到 1/240 DUTY 動(dòng)畫(huà)困難 如果每一條掃描電極在電壓到來(lái)時(shí) ,可以?xún)?chǔ)存電荷 ,當(dāng)掃描結(jié)束後 ,電荷還一直存在到下一次掃描到來(lái) , 如此一來(lái) ,掃描電極就可以比較沒(méi)有限制 ,也沒(méi)有波型尖銳和串?dāng)_問(wèn)題 .這必須在每個(gè) PIXEL上追加開(kāi)關(guān)元件 , 此一動(dòng)作的機(jī)制稱(chēng)為薄膜電晶體主動(dòng)矩陣驅(qū)動(dòng)方式 . 十六 .主動(dòng)式的簡(jiǎn)述 一個(gè) pixel 開(kāi)關(guān)元件 輔助電容 (儲(chǔ)存顯示信號(hào)用 ) 主動(dòng)式 三端元件薄膜電晶體 (TFT)的 薄膜電晶體液晶顯示器 (TFT LCD) 兩端元件薄膜二極體 (TFD)的 薄膜電晶體液晶顯示器 (TFD LCD) 金屬 氧化物 金屬 MIM 最具代表性 十七 .TFT薄膜電晶體 + + + + + 吸極電壓 源極電壓 閘極電極 絕緣膜 活性半導(dǎo)體 吸極電極 源極電極 玻璃基板 在活性半導(dǎo)體層的兩側(cè)附有 源極 (SOURCE)與吸極 (DRAIN)兩電極 ,源極 有供給源的意義 ,代表電流由此流入 .吸極 有排出的意義 ,代表電流由此流出 .控制源極流入電流到吸極排出電流或不流通電流 ,主要是靠 閘極 ,閘極有閥門(mén)的意義 . 工作原理 : 在閘極上加入正電壓時(shí) ,隨著此電壓的大小 ,由源極流入吸極的電流也會(huì)有大小的變化 ,當(dāng)加入附電壓時(shí) ,電流則不流通 .源極與吸極所夾著的活性半導(dǎo)體的部分稱(chēng)為通道 . 通道 薄膜電晶體的原理 十八 .活性半導(dǎo)體物質(zhì)作成 ASi PolySi 用氫氣化非晶質(zhì)矽 (Amorphous Si)作為活性半導(dǎo)體物質(zhì) ,要做出 TFT時(shí) ,其 Doping只需將磷 元素打入 .用多結(jié)晶 (Poly Si)矽 TFT的場(chǎng)合 ,必須將硼元素與磷元素打入 . 非晶質(zhì)矽 Amorphous Si(Asi) 製程溫度 =300度 C 載體移動(dòng)度 :~^2/ 製程溫度 =1000度 C 載體移動(dòng)度 :500cm^2/ 多晶矽 (高溫 )PolySi(PSi) 製程溫度 =400~500度 C 載體移動(dòng)度 :100~200cm^2/ 低溫多晶矽 () 載體移動(dòng)速度快 *載體意指 :電子與電洞 信號(hào)配線與 TFT的線寬可以細(xì)微化 開(kāi)口率高 高畫(huà)質(zhì)低耗電量 可以 COG製程
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