電子線路-線性部分-場效應(yīng)管-資料下載頁
2025-04-30 01:47本頁面
【正文】 f) 在飽和區(qū)， JFET 的 ID 與 VGS 之間也滿足平方律關(guān)系，但由于 JFET 與 MOS 管結(jié)構(gòu)不同，故方程不同。 第 3 章 場效應(yīng)管 ? 截止區(qū) 特點(diǎn)： 溝道全夾斷的工作區(qū) 條件： VGS VGS(off) IG ? 0， ID = 0 ? 擊穿區(qū) VDS 增大 到一定值時 ? 近 漏極 PN 結(jié)雪崩擊穿 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V ?2 V ?1. 5 V ?1 V ?0. 5 V ? 造成 ID 劇增。 VGS 越負(fù) ? 則 VGD 越負(fù) ? 相應(yīng) 擊穿電壓 V(BR)DS 越小 第 3 章 場效應(yīng)管 ? JFET 轉(zhuǎn)移特性曲線 同 MOS 管一樣 ， JFET 的轉(zhuǎn)移特性也可由輸出特性轉(zhuǎn)換得到 (略 )。 ID = 0 時對應(yīng)的 VGS 值 ? 夾斷電壓 VGS(off) 。 VGS(off) ID/mA VGS /V O IDSS (N 溝道 JFET) ID/mA VGS /V O IDSS VGS(off) (P 溝道 JFET ) VGS = 0 時對應(yīng)的 ID 值 ? 飽和漏電流 IDSS。 第 3 章 場效應(yīng)管 JFET 電路模型同 MOS 管相同 。 只是由于兩種管子在飽和區(qū)數(shù)學(xué)模型不同 ， 因此 ， 跨導(dǎo)計算公式不同 。 ? JFET 電路模型 VGS S D G ID IG ? 0 ID(VGS) + gmvgs rds g d s id vgs vds + + S ID G D (共源極 ) (直流電路模型 ) (小信號模型 ) 利用 2G S ( o f f )GSD S SD )1( VVII ??得 D S SDQm0D S SDQG S ( o f f )D S SQGSDm2IIgIIVIvig ??????第 3 章 場效應(yīng)管 ? 各類 FET 管 VDS、 VGS 極性比較 ? VDS 極性與 ID 流向僅取決于溝道類型 ? VGS 極性取決于工作方式及溝道類型 由于 FET 類型較多 ， 單獨(dú)記憶較困難 ， 現(xiàn)將各類 FET 管 VDS、 VGS 極性及 ID 流向歸納如下： N 溝道 FET： VDS 0， ID 流入管子漏極。 P 溝道 FET： VDS 0， ID 自管子漏極流出。 JFET 管： VGS 與 VDS 極性相反。 增強(qiáng)型： VGS 與 VDS 極性相同。 耗盡型： VGS 取值任意。 MOSFET 管 第 3 章 場效應(yīng)管 ? 場效應(yīng)管與三極管性能比較 項(xiàng)目 器件 電極名稱 工作區(qū) 導(dǎo)電 類型 輸入電阻 跨導(dǎo) 三 極 管 e極 b極 c極 放大區(qū) 飽 和 區(qū) 雙極型 小 大 場效應(yīng)管 s極 g極 d極 飽和區(qū) 非飽和區(qū) 單極型 大 小 第 3 章 場效應(yīng)管 ? N溝道 EMOS 管 GD 相連 ? 構(gòu)成有源電阻 有源電阻 場效應(yīng)管應(yīng)用原理 v = vDS = vGS， i = iD 由圖知 滿足 vDS vGS – vGS(th) 因此 當(dāng) vGS vGS(th) 時 N 溝道 EMOS 管 ?工作在飽和區(qū)。 伏安特性： 2G S ( t h )OXn )(2 VvlWCi ?? ?iD vGS VQ IQ Q 直流電阻： / IVR ?(小 ) 交流電阻： ivr ??? / (大 ) T v i + + v R i 第 3 章 場效應(yīng)管 ? N 溝道 DMOS 管 GS 相連 ?構(gòu)成有源電阻 v = vDS ， vGS = 0 ， i = iD 由圖 因此，當(dāng) vDS 0 –vGS(th) 時，管子工作在飽和區(qū)。 伏安特性即 vGS = 0 時的輸出特性。 由 2G S ( t h )GSOXn )(2 VvlWCi ?? ? 得知 當(dāng) vGS = 0 時，電路近似恒流輸出。 iD vDS VQ IQ Q ?VGS(th) vGS= 0 T v i + + v R i 第 3 章 場效應(yīng)管 ? 有源電阻 ? 構(gòu)成分壓器 若兩管 ?n 、 COX 、 VGS(th)相同，則 聯(lián)立求解得： T1 V1 I1 + I2 V2 + VDD T2 由圖 I1 = I2 V1 + V2 = VDD 2G S ( t h )22OXn2G S ( t h )11OXn )()(2)()(2 VVlWCVVlWC ??? ??V1 + V2 = VDD 1)/()/(1)/()/(12G S ( t h )12DD2????????????lWlWVlWlWVV調(diào)整溝道寬長比 (W/l)， 可得所需的分壓值。 第 3 章 場效應(yīng)管
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