晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線刻蝕工序-資料下載頁(yè)
2025-04-29 12:07本頁(yè)面
【正文】 所用儀器：電子天平 ?方阻上升： 所用儀器：四探針測(cè)試儀 方阻上升標(biāo)準(zhǔn)：方阻上升 5個(gè)以?xún)?nèi) 冷熱探針、三探針 ?硅片邊緣的 PN型 ： 所用儀器：冷熱探針、三探針 邊緣 PN型：顯示 P型 電子天平 四探針測(cè)試儀 confidential confidential 主要檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn) ? 熱探針和 N型半導(dǎo)體接觸時(shí)，將傳導(dǎo)電子流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢(shì)相對(duì)于同一材料上的室溫觸電而言將是正的。同樣道理， P型半導(dǎo)體熱探針觸點(diǎn)相對(duì)于室溫觸點(diǎn)而言將是負(fù)的。 ? 利用探針與硅片表面形成整流接觸（如右圖），通入交流電，通過(guò)毫安表的偏轉(zhuǎn)方向判斷硅片的 PN型。 ? 此法不適應(yīng)于低阻的硅片，因?yàn)榈妥韫杵c探針形成的是歐姆接觸。 ?冷熱探針檢測(cè)原理： ?三探針檢測(cè)原理： confidential confidential 常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法 刻蝕方法 常見(jiàn)問(wèn)題 原因 解決辦法 干法刻蝕 刻蝕不足 刻蝕時(shí)間過(guò)短、氣量不足、射頻功率過(guò)低 相應(yīng)調(diào)整刻蝕參數(shù) 過(guò)刻 刻蝕時(shí)間過(guò)長(zhǎng)、射頻功率過(guò)高 相應(yīng)調(diào)整刻蝕參數(shù) 濕法刻蝕 方阻上升過(guò)大 酸液串槽 加水稀釋、重新配槽 3槽酸性氣體濃度過(guò)高 檢查、加大抽風(fēng) 整體過(guò)刻、刻不通 液面高度過(guò)高或過(guò)低 減小、增大泵浦功率 氣流不均勻 增大或減小抽風(fēng) 部分過(guò)刻或刻不通 液面不水平 調(diào)整抽風(fēng) 滾輪不水平 調(diào)換滾輪 氣流不均勻 調(diào)節(jié)抽風(fēng) confidential confidential 未來(lái)工藝的發(fā)展方向 ： 去 PSG工序?qū)⑴c干法刻蝕合為一道工序，干法刻蝕將逐步被濕法刻蝕所取代。 ： 結(jié)合 rena和 kuttler設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)，既能避免黑邊、方阻也不上升。 Thanks ！
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