模塊一—常用電子元器-資料下載頁
2025-04-29 12:05本頁面
【正文】 極電源的作用下將產(chǎn)生漏極電流 ID，管子導通。 當 UGS UＴ 時 ，將 出現(xiàn) N型導電溝道，將 DS連接起來。UGS愈高，導電溝道愈寬。 當 UGS ? UＴ 后 ，場效應管才形成導電溝道，開始導通，若漏 –源之間加上一定的電壓 UDS，則有漏極電流 ID產(chǎn)生。在一定的 UDS下漏極電流ID的大小與柵源電壓 UGS有關。所以，場效應管是一種電壓控制電流的器件。 在一定的漏 –源電壓 UDS下，使管子由不導通變?yōu)閷ǖ呐R界柵源電壓稱為開啟電壓 UＴ 。 模塊一 常用電子元器件 特性曲線及主要參數(shù) 有導電溝道 轉(zhuǎn)移特性曲線 無導電溝道 開啟電壓 UGS(th） UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏極特性曲線 恒流區(qū) 可變電阻區(qū) 截止區(qū) 模塊一 常用電子元器件 場效應管的主要參數(shù) (1) 開啟電壓 UＴ ： 增強型 MOS管在 UDS為某一固定值時，為使管子由截止變?yōu)閷?，形?ID，柵源之間所需的最小的 UGS (4) 低頻跨導 gm： UDS一定時，漏極電流 ID與柵源電壓 UGS的微變量之比定義為跨導，即 低頻跨導 表示柵源電壓對漏極電流的控制能力 DSGSm UDUIgΔΔ?(2)擊穿電壓 U（ BR） DS 漏極和源極間允許的最大電壓 (3)直流輸入電阻 RGS 柵源之間的電壓與柵極電流之比定義為直流輸入電阻RGS。 MOS場效應管的 RGS可達以上 模塊一 常用電子元器件 特種半導體器件簡介 光敏電阻 光敏電阻有暗電阻、亮電阻和光電流等參數(shù)。 （ 1）暗電阻 光敏電阻在室溫下，全暗后經(jīng)過一定時間測量的電阻值，稱為暗電阻。此時流過的電流，稱為暗電流。 (2）亮電阻 光敏電阻在某一光照下的阻值，稱為該光照下的亮電阻。此時流過的電流稱為亮電流。 （ 3）光電流 亮電流與暗電流之差，稱為光電流。 模塊一 常用電子元器件 熱敏電阻 熱敏電阻的主要參數(shù)有標稱電阻值、電阻溫度系數(shù)和耗散系數(shù)等。 （ 1）標稱電阻值 R25 熱敏電阻在 25℃ 時的阻值，又稱冷阻。標稱電阻是阻值的大小由熱敏電阻材料和幾何尺寸決定。 （ 2）電阻溫度系數(shù) 電阻溫度系數(shù)是指熱敏電阻的溫度變化1℃ 時其阻值變化率與其值之比，即 t1ddRRTTt ??（ 3）耗散系數(shù) H 耗散系數(shù)是指熱敏電阻溫度變化 1℃ 所耗散的功率。其大小與熱敏電阻的結(jié)構(gòu)、形狀以及所處介質(zhì)的種類、狀態(tài)等有關。 模塊一 常用電子元器件 壓敏電阻 壓敏電阻的主要參數(shù)有壓敏電壓、電壓溫度系數(shù)和非線性系數(shù)等。 （ 1）壓敏電壓 U1mA 壓敏電壓是指在直流工作電壓條件下，壓敏電阻中流過規(guī)定直流電流時，其兩端的端電壓。一般規(guī)定此直流電流的值為 1mA。 （ 2）電壓溫度系數(shù) αu 當通過壓敏電阻的電流保持恒定時，溫度每變化 1℃ 電壓的相對變化百分比，稱為壓敏電阻的電壓溫度系數(shù)αu。 （ 3）非線性系數(shù) α 非線性系數(shù)是表征壓敏電阻伏安特性非線性程度的一項重要參數(shù)。 α越大越好。 α越大，表明通過壓敏電阻的電流隨外加電壓的變化越大。 模塊一 常用電子元器件 本 章 小 結(jié) 光敏電阻、熱敏電阻和壓敏電阻是三種特殊的半導體器件。常用于溫度測量、控制、穩(wěn)壓和過壓保護等電路中。 雜質(zhì)半導體分為 N型和 P型半導體兩類。電子和空穴是半導體中兩種導電的載流子。 半導體二極管由一個 PN結(jié)構(gòu)成，它具有單向?qū)щ娦?。外加正向偏置電壓二極管導通，外加反向偏置電壓二極管截止。特殊二極管既有二極管的特性，又具有自身的特殊性能，如穩(wěn)壓二極管用來穩(wěn)壓，發(fā)光二極管用來發(fā)光、光電二極管用來進行光電轉(zhuǎn)換等。 半導體三極管的基極電流對集電極電流有控制作用，所以是一種電流控制器件。三極管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)必須正向偏置，集電結(jié)必須反向偏置。 模塊一 常用電子元器件
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