【正文】 ???? ??????????? ? ＝＝所以據(jù)此可得 d圖 這說明密勒效應(yīng)對輸入回路影響較小。而對輸出回路的密勒效應(yīng)較明顯，但比起 仍可忽略。 ,80 pFC eb ??由 d圖可知，其高頻段電壓增益具有三階低通特性的形式，故得 小結(jié) 4章討論的 BJT是電流控制電流器件，有兩種載流子參與導(dǎo)電，屬于雙極型器件；而FET是電壓控制電流器件， 只依靠一種載流子導(dǎo)電， 因而屬于單極型器件。雖然這兩種器件的控制原理有所不同，但通過類比可發(fā)現(xiàn)，組成電路的形式極為相似，分析的方法仍然是圖解法 (亦可用公式計(jì)算 )和小信號模型分析法。 FET放大電路中， VDS的極性決定于溝道性質(zhì)， N(溝道 )為正， P(溝道 )為負(fù)；為了建立合適的偏置電壓 VGS， 不同類型的 FET， 對偏置電壓的極性有不同要求：增強(qiáng)型 MOSFET的 VGS與VDS 同極性，耗盡型 MOSFET的 VGS 可正、可負(fù)或?yàn)榱悖?JFET的 VGS 與 VDS極性相反。 ， 兩種器件 (BJT， JFET、 MESFET和 MOSFET)可以組成六種組態(tài)。但依據(jù)輸出量與輸入量之間的大小與相位關(guān)系的特征， 這六種組態(tài)又可歸納為三種組態(tài)， 即反相電壓放大器、 電壓跟隨器和電流跟隨器。這為放大電路的綜合設(shè)計(jì)提供了有實(shí)用意義的思路。 FET具有輸入阻抗高、 噪聲低 (如JFET)等一系列優(yōu)點(diǎn)， 而 BJT 的 β高，若FET和 BJT結(jié)合使用， 就可大為提高和改善電子電路的某些性能指標(biāo)。 BiFET模擬集成電路是按這一特點(diǎn)發(fā)展起來的， 從而擴(kuò)展了 FET的應(yīng)用范圍。 GaAs的電子遷移率比硅大約 510倍， 高速 CaAs MESFET正被用于高頻放大和高速數(shù)字邏輯電路中， 其互導(dǎo) gm可達(dá) 100 mS， 甚至更高。 6. MOS器件主要用于制成集成電路。 由于微電子工藝水平的不斷提高，在大規(guī)模和超大規(guī)模模擬和數(shù)字集成電路中應(yīng)用極為廣泛， 同時(shí)在集成運(yùn)算放大器和其他模擬集成電路中也得到了迅速的發(fā)展，其中 BiCMOS集成電路更具有特色， 因此， MOS器件的廣泛應(yīng)用必須引起讀者的高度重視。 作業(yè)： 。 。 。 。 場效應(yīng)管放大電路一章 習(xí)題選講 一般的問題分析： 1，直流偏置電路 由于 FET是電壓控制器件，要求建立合適的直流偏置電壓 VGS。 采用的方法主要有自偏壓和分壓式自偏壓，前者適用于耗盡型 FET， 后者適用于各種類型的 FET， 應(yīng)用較廣。 2．靜態(tài)分析 和雙極性三極管一樣，對場效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析也可以采用圖解法或解析法，圖解法的步驟與雙極型三極管放大電路的圖解法相似。注意的是解析法要驗(yàn)證管是否工作在飽和區(qū)。 3．動(dòng)態(tài)分析 場效應(yīng)管放大電路中除偏置電路元件及電源外，還有隔直流電容和旁路電容等元件，它們的作用與雙極型三極管阻容耦合放大電路中的相同。在正確偏置的基礎(chǔ)上，根據(jù)動(dòng)態(tài)信號 (變化量 )的傳輸方式，場效應(yīng)管放大電路也有三種基本組態(tài)，即共源極、共漏極和共柵極電路。對場效應(yīng)管動(dòng)態(tài)工作情況的分析也可采用圖解法或微變等效電路法。 對于每一種接法的電路，求解場效應(yīng)管放大電路的性能指標(biāo)的方法均與雙極型三極管 放大電路相似。 場效應(yīng)管是電壓控制器件 ， 它沒有偏流 ， 關(guān)鍵是建立適當(dāng)?shù)臇旁雌珘?UGS。 1. 結(jié)型場效應(yīng)管常用的自偏壓電路如圖 。在漏極電源作用下 )(0SDDDDDSSDSDSGGSRRIUURIRIUUU????????? 這種電路不宜用增強(qiáng)型 MOS管 ， 因?yàn)殪o態(tài)時(shí)該電 路不能使管子開啟 （ 即 ID=0） 。 ＋－C1RD＋VC2RL＋ UDDUi.GRGRSCSDSID－Uo. 圖 自偏壓 電路圖 )(0SDDDDDSSDSDSGGSRRIUURIRIUUU?????????＋－C1RD＋C2＋ UDDUi.GRG2RSCSDSID－Uo.RG3RG1 圖 分壓式偏置電路 式中 UG為柵極電位 ， 對 N溝道耗盡型管 ， UGS＜ 0， 所以 ，IDRSUG； 對 N溝道增強(qiáng)型管 ，UGS0， 所以IDRSUG。 SDGGGDDSDGGS RIRRRURIUU ????? 2122. 分壓式自偏壓電路 使漏源電壓為負(fù) 關(guān)鍵是記住 其余指標(biāo)求解與上例同 5． 3． 4 試在具有四象限的直角坐標(biāo)上分別畫出各種類型 FET(包括 N溝道、 P溝道 MOS增強(qiáng)型和耗盡型， JFETP溝道、 N溝道耗盡型）轉(zhuǎn)移特性示意圖，并標(biāo)明各自的開啟電壓或夾斷電壓。 解：各類場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性的示意圖如圖解 ： 、 5． 3． 5 四個(gè) FET的轉(zhuǎn)移特性分別如圖題,b,c,d所示，其中漏極電流 iD的假定正向是它的實(shí)際方向。試問它們各是哪種類型的FET? 4 5． 1． 1 圖題 5． 1． 1所示為 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，請分別說明各屬于何種溝道。如是增強(qiáng)型，說明它的開啟電壓 VT＝ ?如是耗盡型，說明它的夾斷電壓 VP ＝ ?(圖中 iD的假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極 ) 4 解：由圖題 5． 1． 1可見圖 a為 N溝道耗盡型MOSFET， 其 VP=－ 3 V； 圖 b為 P溝道耗盡型MOSFET， 其 VP =2 V； 圖 c為 P溝道增強(qiáng)型MOSFET， 其 VT =－ 4 V。 電路如圖題，設(shè)場效應(yīng)管的參數(shù)為 gm1=1 mS， gm2＝ mS， 且滿足 1／ gm1 rds1和 1／ gm2 rds2，試求 AV = VO / Vi 圖題 圖題 g2 d2 + gmVgs Vds It rds s2 + Vt 對 T2，從 S2看進(jìn)去的等效電阻設(shè)為 R， 求的電路為 2222222221//11mdsmdstttmdstgsmdsttgrgrIVRVgrVVgrVI?????????????????????????圖題 g2 d2 + gmVgs Vds It rds s2 + Vt 電路如圖題 ，設(shè)場效應(yīng)管的參數(shù)為 gm1=1 mS， gm2＝ mS， 且滿足 1／ gm1 rds1和 1／ gm2 rds2，試求 AV = VO / Vi 圖解 電路如圖題 ，設(shè)場效應(yīng)管的參數(shù)為 gm1=1 mS， gm2＝ mS， 且滿足 1／ gm1 rds1和 1／ gm2 rds2，試求 AV = VO / Vi 解：圖題 ，由圖可求出 21110111???????????RgRgvvAmdmiov21110111???????????RgRgvvAmdmiov（ 3） ???? kRRRR gggi 2 0 7 5// 213管子漏極對地的輸出電阻大為增加，可作電流源用。 圖題 圖題 求增益的等效電路圖 解 （ 1） () () 從整個(gè)回路看 故 (2)求輸出電導(dǎo) 圖題 求電導(dǎo)的等效電路圖 解得 又 故有 由圖有 影響，即大大提高了輸入電阻。 見 P221表 ：密勒效應(yīng)使 CM1很小 ,=（ 1－ Av)Cgd