【正文】 產(chǎn)能備注1天津津能5MW2哈爾濱克羅拉太陽能1MW3深圳拓日 1MW4深圳創(chuàng)益 1MW5深圳日月潭 1MW6北京世華籌建中7泉州籌建中 當本項目第一期生產(chǎn)線落成，年生產(chǎn)產(chǎn)能在50MW，只占2010年總需求的20%。（二）產(chǎn)品出口分析 　　性價比優(yōu)良，市場競爭力強 本項目引進德國centrotherm公司技術(shù)，其CIGS薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率高達12%，比現(xiàn)今薄膜電池市場7%左右的轉(zhuǎn)化效率優(yōu)越。產(chǎn)品生產(chǎn)成本為目前晶硅電池的二分之一，具有明顯的強勁市場競爭力。銷售渠道（返銷）同時，技術(shù)合作方德國centrotherm公司、德國太陽能系統(tǒng)安裝公司DF簽署了產(chǎn)品出口包銷協(xié)議。所有生產(chǎn)出來的產(chǎn)品，國內(nèi)銷售不完，全部由德國centrotherm公司和德國DF公司以適當價格購買。（三）價格預測　　同類產(chǎn)品的價格走向判斷和評估 目前多晶硅產(chǎn)品原材料和生產(chǎn)成本超過CIGS產(chǎn)品一倍以上，但多晶硅太陽能電池目前仍占整個太陽能發(fā)電產(chǎn)能的80%以上，發(fā)電效率也比薄膜太陽能電池高，因此仍是目前市場的主流。不過由于多晶硅太陽能電池原料短缺、生產(chǎn)成本較高的問題，因此薄膜太陽能電池更具有發(fā)展空間。根據(jù)上述報告同類產(chǎn)品性價比比較中可以發(fā)現(xiàn)，多晶硅產(chǎn)品市場賣價是CIGS類產(chǎn)品幾乎兩倍左右。但是隨著多晶硅供需平衡，多晶硅價格會迅速恢復到合理價位，從而使硅太陽能電池價格下降，發(fā)電成本降低。隨著硅太陽能商業(yè)化電池效率的不斷提高，商業(yè)化電池硅片厚度持續(xù)降低和規(guī)模效應(yīng)等影響，硅太陽能電池成本仍在降低。規(guī)模每擴大一倍，成本降低約20%。而對于薄膜太陽能電池而言，降低20%成本的硅太陽能電池在市場價格上其影響力仍然有限，業(yè)內(nèi)專家認為隨著薄膜太陽能技術(shù)的日漸成熟，將逐步替代多晶硅太陽能電池。在未來三到五年內(nèi)，晶體硅太陽能電池仍將占主導地位，約占70%～80%的市場份額，而薄膜電池的市場份額將逐步增大，從現(xiàn)在不到5%擴大到20%以上。 新的替代產(chǎn)品價格現(xiàn)況和評估 學術(shù)界正加大力度提出新的概念并研制新一代材料。寬帶隙材料、有機PV(相對于有機襯底上的淀積膜而言的真正有機材料)、納米線、量子點、染料敏化電池等都是目前研究的對象。當前研發(fā)的重點還在于提高產(chǎn)品性能。在產(chǎn)品大規(guī)模上市之前，必須確保產(chǎn)品的可靠性與生產(chǎn)規(guī)模的可擴展性，并做好供應(yīng)鏈的選擇與建立。就目前研發(fā)階段的分析看來，新的替代產(chǎn)品可能在成本價格上比CIGS電池節(jié)省50%左右，但轉(zhuǎn)化率和穩(wěn)定性與CIGS相差較遠，而且研發(fā)工作剛起步，至少58年內(nèi)無法實現(xiàn)產(chǎn)品商業(yè)化。 三、建設(shè)規(guī)模該項目規(guī)劃總目標： 2009年—2014年五年內(nèi)，總投資計劃投入45億人民幣，分一期、二期、三期完成。㎡/塊、功率170Wp以上、轉(zhuǎn)換率12%以上、成本每1Wp/1美元以下的CIGS太陽能電池生產(chǎn)線，年產(chǎn)300MWp以上的CIGS太陽能電池；按照20元/瓦不變價格實現(xiàn)年銷售收入60億元左右。一期工程：計劃投資20億元人民幣。引進一條年產(chǎn)100MWpCIGS太陽能薄膜電池，共計年生產(chǎn)能力為70萬片。并完成一、二、三期廠房、公共設(shè)施及后勤、運輸、生活福利設(shè)施等組成 二、三期工程：計劃投資25億元。引進centrotherm公司升級后的2條100MWp生產(chǎn)線共300MWp；建立太陽能薄膜電池工程技術(shù)研究中心；建立500畝的光伏建筑示范基地。第四章　項目建設(shè)條件與廠址選擇 一、原材料及主要輔助材料供應(yīng) （一）50MWp生產(chǎn)原材料、主要輔助材料需要量，100MWp需乘2材料名稱規(guī)格 每周生產(chǎn)需要量年度需要量用途基板玻璃浮法玻璃的固定尺寸: 1400x1100x3mm*公差177。1mmx177。1mmx177。,2mm邊緣磨成：C型須留有junction box(j/b)連接器使用的孔洞未加工玻璃，無有機表面污染每周大約需要8100片大約35萬片平板玻璃用料蓋板用光學玻璃浮法玻璃的固定尺寸: 1400*1100*4mm公差177。1mmx177。1mmx177。0,2mm白色（低鐵含量）經(jīng)過熱處理的強化玻璃建議邊緣磨成C型厚度范圍：4mm6 mm未加工玻璃，無有機表面污染每周大約需要8100大約35萬玻璃蓋板用料材料名稱規(guī)格每周生產(chǎn)需要量年需量用途靶材鉬尺寸：2620 x O 133 x 14 mm69根靶材銅、鎵板材：2700 x 240 x 24 mm104塊靶材銦板材：2700 x 284 x mm312塊靶材參雜鋁的氧化鋅（鋁含量1％）尺寸：2620 x O 133 x 14 mm133根靶材硒顆粒狀, 尺寸14mm220 kg10000kgSe沉積化學藥劑氨水氫氧化銨液態(tài)，25％ m3120M3化學浴沉積法用料無水醋酸鎘固態(tài)，24 kg1200kg化學浴沉積法用料材料名稱規(guī)格周需量年需量用途化學藥劑硫脲固態(tài)240 kg12 t化學浴沉積法用料鹽酸32%，化學純，液態(tài)Stangl + H+E1 m3+ m3~ 70 m3化學浴沉積法用料及廢水處理NaOH固態(tài)，50%,150 l6800 l廢水處理H2O235%，化學純，液態(tài)3 m3150 m3廢水處理有機硫化物8 kg410 kg廢水處理材料名稱規(guī)格周需量年需量用途其它部分EVAVistasolar ,12 km625 km封裝丁基Helioseal PVS 101, 200kg/桶，450 kg / 40 km23,000 kg /2000 km丁基注入裝置導電膠CE 3103 WLV3 kg150 kg點膠機調(diào)節(jié)劑12006460A (紅)， l120 l分注頭銅箔4 mm * 0,1 mm32 km1500 km銅箔放置設(shè)備絕緣帶10406, 8 x 0,05 mm, km100 km放置銅箔設(shè)備接線盒由買方選擇Ca. 8100350,000接線標簽用紙80 x 100 mm,8100,850 m350,00044 km貼標站打印機粉匣1732 Spezial, x 450 m,2個100個貼標站（二）主要原材料供應(yīng)來源德國centrotherm公司將在項目公司旁全資建立靶材材料供應(yīng)廠。國內(nèi)也可選擇供應(yīng)商，以下供應(yīng)商是未來可能的供應(yīng)商，具備完整的供應(yīng)能力，企業(yè)資金狀態(tài)良好。品種供應(yīng)商基板玻璃1. 武漢長利玻璃公司2. 長江浮法玻璃有限公司面板白玻璃1. 深圳南玻集團2. 洛陽玻璃集團 鉬1. 葫蘆島德旺實業(yè)有限公司2. 成都西奧化冶有限責任公司銅鎵銦ZnO硒(重慶)貿(mào)易有限公司EVA膜 銨溶液　醋酸鎘硫脲膠粘劑丁基Butyl接線盒(控股集團)二、建設(shè)地區(qū)的選擇 該項目擬選址在國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)。中國智力密集、產(chǎn)業(yè)配套設(shè)施齊全、地理位置得天獨厚、交通便捷?！。ㄒ唬┪锪鞒杀炯皶r效性?。ǘ┥a(chǎn)及經(jīng)營成本 　（三）建設(shè)所在地科技、人才資源 第五章　項目技術(shù)方案 一、項目組成 一期工程：征地1000畝，引進建設(shè)一條年產(chǎn)100MWp CIGS薄膜太陽能電池生產(chǎn)線。包括一、二、三期廠房、公共設(shè)施及后勤、運輸、生活福利設(shè)施等組成。二、三期工程（1）繼續(xù)引進德國centroherm公司升級換代后的CIGS太陽能薄膜電池生產(chǎn)線2條，使年生產(chǎn)能力擴充到300MWp；并征用試驗基地500畝。（2）與正在籌建中的中國光谷新能源研究院合作，建設(shè)太陽能薄膜電池專業(yè)工程研究分支機構(gòu)，完善產(chǎn)、學、研相結(jié)合的企業(yè)研發(fā)體系，形成自主創(chuàng)新能力；（3）建設(shè)一座太陽能光伏示范建筑。　二、生產(chǎn)技術(shù)方案 （一）產(chǎn)品標準 產(chǎn)品名稱面積mm2(長x寬)轉(zhuǎn)換效率%功率Wp/組件CIGS太陽能薄膜電池模組1400x110012170　　（二）生產(chǎn)方法 薄膜太陽能電池 (ThinFilm Solar Cell)是一種利用濺鍍或是化學氣相沉積方式，在玻璃或金屬基板上，生成薄膜太陽能生產(chǎn)方式。其制程是先清洗玻璃基板(Glass Cleaning)，而后藉中頻交流磁控濺射方法，在玻璃基底上依次沉積Mo、CuIn、CuGa薄膜，制備CuInGa(CIG)雙層預制膜，采用固態(tài)硒化法制備獲得Cu(InxGax)Se2(CIGS)吸收層薄膜。進行激光切割(Laser Scribing)分割玻璃上的TCO膜，接著形成金屬膜(Coating Absorber)，再進行激光切割，接著鍍上背面電極(Coating Back Contact)后進行第3次激光切割，最后經(jīng)過檢測(Inspection)、模塊封裝(Module Production)即完成出貨。薄膜電池緩沖層ZnS采用化學水浴法（CBD）制備， μm；窗口材料為雙層ZnO膜，第一層為高阻本征層，用中頻磁控濺射純ZnO靶制成，第二層為低阻導電層，直流磁控濺射ZnO：Al靶制成， mm左右；最后用掩模板真空蒸發(fā)Ni/Al柵電極。 CIGS組成可表示成Cu(In1XGaX)Se2的形式，具有黃銅礦相結(jié)構(gòu)，是CuInSe2和CuGaSe2的混合半導體。它是以銅銦鎵硒為吸收層的高效率薄膜太陽電池。Centrotherm公司的CIGS結(jié)構(gòu)：Glass/Mo/CIGS/ZnS/ ZnO/ TCO (ZnO:Al)；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面Cu呈n型與緩沖層共同成為n層，構(gòu)成淺埋式pn結(jié)。太陽光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被pn結(jié)的自建電場分離，從而輸出電能。（三）技術(shù)參數(shù)和工藝流程 1. 技術(shù)參數(shù)技術(shù)參數(shù)表組件/時48片生產(chǎn)周期75秒年工作日360天每天工作時間24時工作時間/年%8640理論生產(chǎn)能力829440塊/年機器運轉(zhuǎn)率85%生產(chǎn)線延續(xù)率97%實際生產(chǎn)能力683874塊/年1900塊/天產(chǎn)出率85%生產(chǎn)線產(chǎn)能581292塊/年 工藝流程CIGS的工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速加熱硒化處理（RTP）→化學水浴法沉積ZnS→本征ZnO濺射沉積→ZnO:Al透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al電極沉積，分割等。(見工藝流程圖)工藝流程圖?。ㄋ模┲饕に囋O(shè)備選擇 本項目主要工藝設(shè)備主要來源于德國Composition uniformity 公司。整體濺射設(shè)備Centrothermsputter coater:鍍膜機167。 涂層均勻度：177。 3%167。 寬度：(2塊基板平行鋪放)167。 平面或旋轉(zhuǎn)靶ydirection [mm] 長度方向[mm]膜層厚度偏差[%]示意圖2. 均勻固化設(shè)備 固化設(shè)備167。 精密度：177。 2K；167。 等溫狀態(tài)：無內(nèi)部的硒凝結(jié)；167。 維修工作量小；167。 充分的硒沉積。 硒均勻退火設(shè)備centrothermthermal退火爐167。 均勻的硒供給；167。 橫向氣流均勻度：+/ 3 %。此外，centrothermthermal退火爐具有獨特的氣化過程，表現(xiàn)為：167。 centrothermthermal氣體分離技術(shù)167。 爐內(nèi)氧氣濃度 1e16 (. 1ppm)總之，Centrotherms CIGS設(shè)備的技術(shù)特點有：167。 核心工藝：硒的沉積與退火；167。 可擴展性；167。 短的生產(chǎn)周期(60 sec)；167。 褐色的表面與高轉(zhuǎn)換效率(組件 12%水平)。Centrotherms CIGS設(shè)備已申請國際專利。(見附件)Centrotherm公司的CIGS生產(chǎn)技術(shù)中另一個顯著優(yōu)點是：完全不用有毒的致癌物質(zhì)CdS。因為， CdS加熱時分解生成硫氧化物有毒煙霧，與酸反應(yīng)，生成硫化氫有毒氣體。因此，CdS的職業(yè)接觸閾限值（以Cd計）（美國政府工業(yè)衛(wèi)生學家會議，1996年）。最高容許濃度：第III ，A2類（1996年）。CdS可通過吸入其氣溶膠和食入吸收到體內(nèi)。其吸入危險性在20℃時蒸發(fā)可忽略不計，但擴散時能較快地達到空氣中顆粒物有害濃度。反復或長期接觸肺可能受到影響。該物質(zhì)還可能對腎和骨骼有影響，導致腎損傷和骨骼虛弱。3. 層壓封裝設(shè)備4. 在線檢測裝置（五）主要原材料、燃料、動力消耗指標 1. 主要原材料（50MWp生產(chǎn)線指標）及費用估算，100MWp需乘2主要原材料及指標人民幣單位：元/萬元材料名稱單價（人民幣：元）年需求總價（人民幣：萬元）所占比率基板玻璃65/塊1883．2%面板白玻璃135/塊3923．72%鉬29．5/塊856．49%銅/鎵86/塊2499．35%銦50/塊1452．29%iZnO