本科生科技創(chuàng)新項目撰寫論文規(guī)范-※※本科教學網(wǎng)-北-資料下載頁
2025-04-07 21:42本頁面
【正文】 光致發(fā)光曲線。通常由簡單化學氣相沉積法制備的ZnO摻雜樣品都有雜摻不均的缺點，作者認為導致同一樣品不同部位的光致發(fā)光曲線存在差異的原因是P的摻雜不均。圖中370nm左右的峰屬于近帶邊發(fā)射；515nm左右的綠光發(fā)光峰一般認為與氧空位有關(guān)；在750nm左右出現(xiàn)的峰是不摻雜ZnO光致發(fā)光譜中沒有的，有P摻雜ZnO納米線相關(guān)文獻報道過這一發(fā)光峰[3]，他們認為這是離化的施主和受主的輻射復合引起的，并且該峰的出現(xiàn)說明氧空位的濃度較低。5 創(chuàng)新點 提出采用CVD法制備ZnO納米籽晶，相比溶膠凝膠法更具有穩(wěn)定性及可控性； 在采用CVD法制備ZnO納米籽晶的環(huán)節(jié)，使用鐵粉與鋅粉混合作為蒸發(fā)源，高了采用CVD法制備ZnO納米材料的沉積量； 提出了兩步法制備了Al摻雜ZnO納米材料：與一般CVD方法相比，不需要采用在真空中反應，同時生長的溫度更低；二是與一般水熱法相比，該方法避免了使用反應釜，可以在常壓下進行。從而簡化了實驗條件，降低了生產(chǎn)成本，并且穩(wěn)定性及可控性更好； 實現(xiàn)了不同摻雜量對Al摻雜ZnO納米材料參數(shù)的影響； 采用CVD法制備出了P摻雜ZnO納米材料，相比常用的磁控濺射法成本更低，從而簡化了實驗條件，降低了生產(chǎn)成本； 制備出的納米梳，發(fā)現(xiàn)了單根齒具有明顯的頸縮效應，這對進一步研究其生長機理提供了現(xiàn)實依據(jù)。參考文獻[1] Ryu Y. R, Kim W. J, White H. W. Fabrication of homostructural ZnO pn junctions[J].Journal of Crystal Growth, 2000, 219: 419422.[2] 徐迪,段學臣,李中蘭,[J].功能材料,2008,39(4):695697.[3] C. X. Shan, Z. Liu, S. K. dependent photoluminescence study on phosphorus doped ZnO nanowires[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2008, 92, 073103.6 / 6
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