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2024-10-24 17:51本頁面
【導讀】的動量、通量密度及入射角有關(guān)。此外，還與靶（襯底）的濺射效率有關(guān)。底撞出的原子數(shù)。反應離子腐蝕器中完成的，就稱作濺射腐蝕。離子束銑蝕是指在一個系統(tǒng)。中離子的形成、離子加速系統(tǒng)與被腐蝕的材料分開放置的一種方法。銑蝕系統(tǒng)可以直接控制轟擊材料表面的離子入射角。而在普通的濺射設(shè)備。中，離子是受內(nèi)建電場的驅(qū)動垂直入射的。離子束銑蝕系統(tǒng)的適用性較強，節(jié)燈絲電流和加速電壓，就可以獨立地控制離子能量及離子密度。使陽離子中性化。IBE通常使用惰性氣體Ar作為作用物質(zhì)，因為它不僅濺。射產(chǎn)額高(重離子)，同時可以避免化學反應。在濺射腔中真空度高達10-4. 此時粒子濃度提高2個數(shù)量級。但是濺射也會因?qū)嶋H情況存在型貌精度問題。子在側(cè)面的掠射會導致根部刻蝕速度快的問題。子等惰性氣體被電離后在電場中加速后導向襯底實現(xiàn)刻蝕。利用XeF2對Si進行刻蝕不需要產(chǎn)生等離子體。的電導率沒有受到影響。RIBE—離子是反應性的，直接刻蝕表面;CAIBE----。
【正文】 生等離子體。 XeF2可是白色固體，在常溫下的飽和蒸汽壓是 4Torr。 可以穩(wěn)定地刻蝕 Si, 刻蝕在常溫下進行，用機械泵抽到 14Torr。 有報導稱其刻蝕率高達 10um/min,實際上典型的刻蝕率 13um/min。 對 SiO Si3N Al和 Photoresist都有非常好的選擇性。設(shè)備簡單。 以下是一個多晶硅加速度傳感器的例子，刻蝕是幾乎各向同性的，刻蝕后的表面粗躁度是幾個微米，刻蝕后 Al的電導率沒有受到影響。 物理 化學干刻蝕 最好用的干刻蝕既不是純化學也不是純物理方式，將物理作用加到純化學刻蝕機理中就可以克服純?yōu)R射和純化學反應刻蝕的缺點。 在化學 物理技術(shù)中，有以下幾中離子表面作用被用來改善干法刻蝕性能。RIBE— 離 子是反應性的，直接刻蝕表面 。 CAIBE。 RIBE比 IBE刻蝕率高，比如用 Ar刻 Si只有 100A/min， 而用 CCl2F2刻可達到 2020A/min。 反應氣體 +陽離子轟擊時 Si和SiO2的形狀變化。 ICP電感耦合等離子體刻蝕 ICP通過將用來產(chǎn)生離子的電子耦合到 RF電場形成的磁場中的方法，生成高密度、低壓和低能量的等離子體。使用含 F氣體、對 Si刻蝕率達到每分鐘 6um、5%的均勻性，同時 Si:SiO2刻蝕率比達到 150:1(用 100℃ 冷卻基板，一方面提高選擇性，另一方面提高高寬比 ), 側(cè)面傾斜角小于 177。1度。這里基板低溫化蝕重要因素。 ICP在一定意義上算是低成本 LIGA。
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