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apd光電二極管的特性測(cè)試與應(yīng)用研究1-資料下載頁(yè)

2025-03-27 23:32本頁(yè)面
  

【正文】 // flag為 1 時(shí),向LCD寫(xiě)數(shù)據(jù) // flag不應(yīng)為其他值 rs = flag。 // 向LCD寫(xiě)命令或數(shù)據(jù) P0 = DATA。 // 使能,允許向LCD寫(xiě)命令或數(shù)據(jù) e = 1。 // 向LCD寫(xiě)命令或數(shù)據(jù)需要時(shí)間,因此延時(shí),保證命令或數(shù)據(jù)完整地寫(xiě)入LCD delay(20)。 // 使能,寫(xiě)入令或數(shù)據(jù)后,應(yīng)鎖定,防止被修改 e = 0。}// LCD初始化函數(shù)void InitLCD(void){ // 清屏 wcode(0x01, 0)。 // 輸入方式控制,增量光標(biāo)不移位 wcode(0x06, 0)。 // 顯示開(kāi)關(guān)控制 wcode(0x0e, 0)。 // 功能設(shè)定:設(shè)置16x2顯示,5x7顯示,8位數(shù)據(jù)接口 wcode(0x38, 0)。}// LCD顯示信息函數(shù)void disp(void){ unsigned int i, j。 unsigned char address[] = {0x80, 0xc0}。 // 使用循環(huán)顯示一行信息 for(j = 0。 j 2。 j++) { // 向LCD寫(xiě)命令,在adddress[j]處顯示信息 wcode(adddress[j], 0)。 // 循環(huán)16次,寫(xiě)完1行 for(i = 0。 i 16。 i++) { // 向LCD寫(xiě)數(shù)據(jù),顯示msg[num][i] wcode(msg[j][i], 1) } }}show.c/** 本頭文件包含了使用LCD 1602 相關(guān)的函數(shù)以及一個(gè)延時(shí)函數(shù)的聲明, 實(shí)現(xiàn)在同名的 c 文件中**/ifndef _SHOW_H_define _SHOW_H_void InitLCD(void)。void delay(unsigned int time)。void wcode(unsigned char mand, unsigned int flag)。void InitLCD(void)。void disp(void)。endif // _SHOW_H_.. . . ..APD光電管的特性測(cè)試及應(yīng)用研究文獻(xiàn)綜述人類(lèi)正處于信息時(shí)代,信息技術(shù)的三大支柱是測(cè)控技術(shù)、通信技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù),而傳感器技術(shù)是測(cè)控技術(shù)的基礎(chǔ)?!皼](méi)有傳感器技術(shù)就沒(méi)有現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)”的觀點(diǎn)已成為全世界公認(rèn)。傳感器技術(shù)是材料學(xué)、力學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、微電子學(xué)、光學(xué)、聲學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)、精密機(jī)械、仿生學(xué)、測(cè)量學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、信息處理技術(shù),乃至系統(tǒng)科學(xué)、人工智能、自動(dòng)化技術(shù)等眾多學(xué)科相互交叉的綜合性高新技術(shù)密集型前言技術(shù),廣泛應(yīng)用于航空航天、兵器、信息產(chǎn)業(yè)、機(jī)械、電力、能源、交通、冶金、石油、建筑、郵電、生物、醫(yī)學(xué)、環(huán)保、材料、災(zāi)害預(yù)測(cè)預(yù)防、農(nóng)業(yè)漁業(yè)、食品、煙酒制造、建筑、汽車(chē)、艦船、機(jī)器人、家電、公共安全等領(lǐng)域,可以說(shuō)是無(wú)處不在。傳感器處于自動(dòng)檢測(cè)與控制系統(tǒng)之首,是感知、獲取與檢測(cè)信息的窗口??茖W(xué)研究和生產(chǎn)過(guò)程要獲取的信息,都要通過(guò)傳感器才能轉(zhuǎn)換成容易傳輸和處理的電信號(hào)或光信號(hào)等??茖W(xué)技術(shù)越發(fā)達(dá),自動(dòng)化程度越高,對(duì)傳感器的依賴(lài)就越大,其中光電傳感器占有十分重要的地位。 光電傳感器是采用光電元件作為檢測(cè)元件的傳感器。它首先把被測(cè)量的變化轉(zhuǎn)換成光信號(hào)的變化,然后借助光電元件進(jìn)一步將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。光電傳感器一般由光源、光學(xué)通路和光電元件三部分組成。它可以用于檢測(cè)直接引起光量變化的其它非電量,如零件直徑、表面粗糙度、應(yīng)變、位移、速度、加速度及物體的形態(tài)、工作狀態(tài)的識(shí)別等。光電傳感器具有非接觸、響應(yīng)快、性能可靠等特點(diǎn),因此在工業(yè)自動(dòng)化裝置和機(jī)器人中獲得了廣泛應(yīng)用,在光電傳感器中我們又不得不提到常用的雪崩光電二極管。1953年。1955年,載流子的倍增因子M隨反向偏壓V的變化可以近似用下列經(jīng)驗(yàn)公式表示: M=1/[1(V/VB)n]  式中VB是體擊穿電壓,n是一個(gè)與材料性質(zhì)及注入載流子的類(lèi)型有關(guān)的指數(shù)。當(dāng)外加偏壓非常接近于體擊穿電壓時(shí),二極管獲得很高的光電流增益。PN結(jié)在任何小的局部區(qū)域的提前擊穿都會(huì)使二極管的使用受到限制,因而只有當(dāng)一個(gè)實(shí)際的器件在整個(gè)PN結(jié)面上是高度均勻時(shí),才能獲得高的有用的平均光電流增益。因此,從工作狀態(tài)來(lái)說(shuō),雪崩光電二極管實(shí)際上是工作于接近(但沒(méi)有達(dá)到)雪崩擊穿狀態(tài)的、高度均勻的半導(dǎo)體光電二極管。1965年,K..、均勻擊穿的半導(dǎo)體雪崩光電二極管。從此,雪崩光電二極管作為一種新型、高速、靈敏的固態(tài)光電探測(cè)器件漸漸受到重視。   性能良好的雪崩光電二極管的光電流平均增益可以達(dá)到幾十、幾百倍甚至更大。半導(dǎo)體中兩種載流子的碰撞離化能力可能不同,因而使具有較高離化能力的載流子注入到耗盡區(qū)有利于在相同的電場(chǎng)條件下獲得較高的雪崩倍增。但是,光電流的這種雪崩倍增并不是絕對(duì)理想的。一方面,由于光電流隨注入光強(qiáng)的增加而下降,使雪崩光電二極管的線(xiàn)性范圍受到一定的限制,另一方面更重要的是,由于載流子的碰撞電離是一種隨機(jī)的過(guò)程,亦即每一個(gè)別的載流子在耗盡層內(nèi)所獲得的雪崩增益可以有很廣泛的幾率分布,因而倍增后的光電流I比倍增前的光電流I0有更大的隨機(jī)起伏,即光電流中的噪聲有附加的增加。與真空光電倍增管相比,由于半導(dǎo)體中兩種載流子都具有離化能力,使得這種起伏更為嚴(yán)重。   載流子在耗盡層中獲得的雪崩增益越大,雪崩倍增過(guò)程所需的時(shí)間越長(zhǎng)。因而,雪崩倍增過(guò)程要受到“增益帶寬積”的限制。在高雪崩增益情況下,這種限制可能成為影響雪崩光電二極管響應(yīng)速度的主要因素之一。但在適中的增益下,與其他影響光電二極管響應(yīng)速度的因素相比,這種限制往往不起主要作用,因而雪崩光電二極管仍然能獲得很高的響應(yīng)速度?,F(xiàn)代雪崩光電二極管增益帶寬積已達(dá)幾百G赫茲。   與真空光電倍增管相比,雪崩光電二極管具有小型、不需要高壓電源等優(yōu)點(diǎn),因而更適于實(shí)際應(yīng)用;與一般的半導(dǎo)體光電二極管相比,雪崩光電二極管具有靈敏度高、速度快等優(yōu)點(diǎn),特別當(dāng)系統(tǒng)帶寬比較大時(shí),能使系統(tǒng)的探測(cè)性能獲得大的改善,因此它在光通信中應(yīng)用前景廣泛。雪崩光敏二極管的主要缺點(diǎn)是噪聲大。由于雪崩反映是隨機(jī)的,所以它的噪聲較大,特別是工作電壓接近或等于反向擊穿電壓時(shí),噪聲可增大到放大器的噪聲水平,以致無(wú)法使用。目前對(duì)單光子探測(cè)技術(shù)進(jìn)行的研究,為實(shí)現(xiàn)單光子探測(cè)作了必要的準(zhǔn)備,并取得了一些成果。然而,距離單光子探測(cè)器的實(shí)用化還有較大的距離,加上時(shí)間和實(shí)驗(yàn)條件的限制,研究工作還存在很多有待解決的問(wèn)題。量子信息科學(xué)是一個(gè)正在興起和迅速發(fā)展的新領(lǐng)域。在量子通信系統(tǒng)中,量子信息的載體是單光子。要實(shí)現(xiàn)量子保密通信,就要求單光子在光纖中傳輸。由于光在1550nm具有最小損耗,因此實(shí)現(xiàn)在1550nm波長(zhǎng)上的量子通信具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。量子密鑰分發(fā)實(shí)驗(yàn),是屬于國(guó)家973計(jì)劃“量子通信與量子信息技術(shù)”中“量子密鑰分發(fā)”實(shí)驗(yàn)的紅外單光子探測(cè)的一個(gè)子項(xiàng)目。是對(duì)單光子探測(cè)系統(tǒng)中的探測(cè)器雪崩光電二極管進(jìn)行特性研究。通過(guò)不帶前放的SAM雪崩光電二極管,解決了溫度會(huì)對(duì)前置放大器的特性產(chǎn)生難以檢測(cè)的影響,消除了APD探測(cè)性能變壞的問(wèn)題。近幾年的相關(guān)研究表明:雪崩電壓必須大于拉通電壓,APD才能取得有效的倍增過(guò)程,拉通電壓隨著溫度的降低略微增大。雪崩電壓隨著溫度的降低而降低。因此,溫度的升高會(huì)使APD拉通的程度增大。通過(guò)對(duì)耗盡層拉通到吸收層的深度進(jìn)行合理的設(shè)計(jì),能使APD器件獲得更好的信噪比性能。如對(duì)摻雜濃度為1015cm3,厚度為4μm的吸收層來(lái)說(shuō),應(yīng)使這個(gè)拉通深度小于吸收區(qū)寬度的1/4。在同一偏置電壓下,降溫會(huì)使光電流和倍增因子增大,暗電流降低,因此給APD帶來(lái)更高的信噪比和靈敏度。由于暗電流雪崩后凈光電流降低,光電流和光增益都會(huì)有一個(gè)最大值。在無(wú)源抑制中,到達(dá)雪崩點(diǎn)后,APD兩端的電壓基本維持不變。利用這個(gè)特性可以準(zhǔn)確地確定APD的雪崩電壓值。在波長(zhǎng)小于1μm的波段內(nèi),硅具有比較合適的吸收系數(shù)。在電場(chǎng)的作用下,電子與空穴的離化率之比很大(大于10),使用硅作探測(cè)器材料有利于得到更小的暗電流和更高的溫度穩(wěn)定性。在波長(zhǎng)大于1μm的波段內(nèi),硅的響應(yīng)度下降,相比之下,InGaAsP或InGaAsP在此波段下為直接帶隙躍遷,其帶隙寬度足以保證有較低的體漏電流密度。在結(jié)構(gòu)上使用薄的耗盡層,也能保證對(duì)光信號(hào)有快的響應(yīng)速度。因此,Ⅲ-Ⅴ。對(duì)于適合的光纖通信系統(tǒng)中使用的APD,如果在吸收區(qū)采用InGaAs(P),而在雪崩倍增區(qū)采用硅材料,那么必將獲得高性能的快速響應(yīng)的APD。通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)集成大晶格失配的Si和InGaAs(P)難以獲得低穿透位錯(cuò)密度的界面。大密度的穿透位錯(cuò)會(huì)導(dǎo)致大的暗電流,使探測(cè)器難以產(chǎn)生雪崩倍增。利用鍵合技術(shù),將具有理想的雪崩倍增效果的Si晶體和具有很好吸收特性的InGaAs晶體鍵合,可以獲得更高的增益帶寬積、更低的噪聲和更好的溫度特性。美國(guó)MAXIM公司的DC—DC芯片MAX5026設(shè)計(jì)出一種低紋波、高穩(wěn)定、線(xiàn)性可調(diào)的APD直流偏置電壓源。MAX5026是一個(gè)專(zhuān)門(mén)為APD、LCD、低噪聲變?nèi)荻O管等提供直流偏置電源的表帖元件,其內(nèi)部的橫向DMOS開(kāi)關(guān)器件頻率固定為500K,且具有40V的耐壓極限。工作時(shí)使用了一個(gè)工作于非連續(xù)電流模式的電感,有意減慢開(kāi)關(guān)速度,以降低高頻電壓毛刺。很好的解決了APD工作時(shí)對(duì)電壓穩(wěn)定性要求高的特點(diǎn),以此達(dá)到很高的信噪比。單光子探測(cè)器核心器件APD的各項(xiàng)性能參數(shù)都與環(huán)境溫度、偏壓穩(wěn)定度、探測(cè)電路設(shè)計(jì)的優(yōu)劣有著極大的關(guān)系。要維持APD的優(yōu)良性能,實(shí)際應(yīng)用時(shí)必須就半導(dǎo)體器件進(jìn)行制冷處理,加大了設(shè)備的體積和能耗,對(duì)制冷儀器提出了較高要求同時(shí)還增加了成本,這是APD在實(shí)際應(yīng)用中急切需要解決的問(wèn)題。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的查閱,掌握了完成畢業(yè)論文所需要的基本資料,以上是對(duì)資料的綜合描述,這些資料對(duì)完成論文有很大的幫助。除了參考文獻(xiàn)中列出的文獻(xiàn)可以參考外,還可以參考一些其他的相關(guān)資料,比如器件的用戶(hù)手冊(cè)和數(shù)據(jù)手冊(cè)等。參考文獻(xiàn)[1]彭樟. 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