【正文】 4k字節(jié)Flash閃速存儲(chǔ)器，128字節(jié)內(nèi)部RAM， 32個(gè)I/O口線，看門(mén)狗（WDT），兩個(gè)數(shù)據(jù)指針，兩個(gè)16位定時(shí)/計(jì)數(shù)器，一個(gè)5向量?jī)杉?jí)中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí)，AT89S51可降至0Hz的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式?？臻e方式停止CPU的工作，但允許RAM，定時(shí)/計(jì)數(shù)器，串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存RAM中的內(nèi)容，但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)硬件復(fù)位。引腳功能說(shuō)明：Vcc： 電源電壓GND：地P0口：P0口是一組8位漏極開(kāi)路型雙向I/O口，也即地址/數(shù)據(jù)總線復(fù)用口。作為輸出口用時(shí)，每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯門(mén)電路，對(duì)端口寫(xiě)‘1’可作為高阻抗輸入端用。在訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器或程序存儲(chǔ)器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址(低8位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問(wèn)期間激活內(nèi)部上拉電阻。在Flash編程時(shí)，P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。P1口：P1是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P1的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)‘1’，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。作輸入口使用時(shí)，囚為內(nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流(In)。Flash編程和程序校驗(yàn)期間 P 1接收低8位地址。P2口：P2是一個(gè)帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口，P2的輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)端口寫(xiě)‘1’，通過(guò)內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，囚為內(nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流(In)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行MOVX @DPTR指令)時(shí)，P2口送出高 8位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn)8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(如執(zhí)行MOVX @Ri指令)時(shí)，P2口線卜的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器（SFR)區(qū)中P2寄存器的內(nèi)容)，在整個(gè)訪問(wèn)期間不改變。Flash編程或校驗(yàn)時(shí)，P2亦接收高位地址和其它控制信號(hào)。P3口：P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口。P3口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)(吸收或輸出電流)4個(gè)TTL邏輯門(mén)電路。對(duì)P3 口寫(xiě)入“1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。作輸入端時(shí)，被外部拉低的P3 口將用上拉電阻輸出電流（In）。 P3口除了作為一般的I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能。P3 口還接收一些用于Flash閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。P3口也可作為AT89C51的一些特殊功能口，如下表所示：管腳備選功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） （外部中斷0） （外部中斷1） T0（記時(shí)器0外部輸入） T1（記時(shí)器1外部輸入） （外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫(xiě)選通） （外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通）RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)，RST引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。WDT溢出將使該引腳輸出高電平，設(shè)置SFR AUXR 的DISRTO位（地址8EH）可打開(kāi)或關(guān)閉該功能。DISRTO位缺省為RESET輸出高電平打開(kāi)狀態(tài)。ALE/PROG：當(dāng)訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。即使不訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器，ALE仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的正脈沖信號(hào)，囚此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是：每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè)ALE脈沖。對(duì)Flash存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（PROG）。如有必要，可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器（SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位，可禁正ALE操作。該位置位后，只有一條MOVX和MOVC指令A(yù)LE才會(huì)被激活。此外，該引腳會(huì)被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置ALE無(wú)效。PSEN：程序儲(chǔ)存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng)AT89S51由外部程序存儲(chǔ)器取指令(數(shù)據(jù))時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次PSEN有效，即輸出兩個(gè)脈沖。當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，沒(méi)有兩次有效的PSEN信號(hào)。EA/VPP：外部訪問(wèn)允許。欲使CPU僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器(地址為0000HFFFFH), EA端必須保持低電平(接地)。需注意的是：如果加密位LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存EA端狀態(tài)。如EA端為高電平(接Vcc端)，CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。Flash存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上+12 V的編程電壓Vpp。XTAL 1：振蕩器反相放大器及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。特殊功能寄存器：特殊功能寄存器的于片內(nèi)的空間分布的這些地址并沒(méi)有全部占用，沒(méi)有占用的地址亦不可使用，讀這些地址將得到一個(gè)隨意的數(shù)值。而寫(xiě)這些地址單元將不能得到預(yù)期的結(jié)果。中斷寄存器：各中斷允許控制位于IE寄存器，5個(gè)中斷源的中斷優(yōu)先級(jí)控制位于IP寄存器。雙時(shí)鐘指針寄存器：為更方便地訪問(wèn)內(nèi)部和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，提供了兩個(gè)16位數(shù)據(jù)指針寄存器：DP0位于SFR(特殊功能寄存器)區(qū)塊中的地址82H, 83H和DP1位于地址84H, 85H，當(dāng)SFR中的位DPS=0選擇DP0，而DPS=1則選擇DP1。用戶(hù)應(yīng)在訪問(wèn)相應(yīng)的數(shù)據(jù)指針寄存器前初始化DPS位。電源空閑標(biāo)志：電源空閑標(biāo)志（POF）在特殊功能寄存器SFR中PCON的第4位(}，電源打開(kāi)時(shí)POF置‘1’，它可由軟件設(shè)置睡眠狀態(tài)并不為復(fù)位所影響。程序存儲(chǔ)器：如果EA引腳接地(GND)，全部程序均執(zhí)行外部存儲(chǔ)器。在AT89S51,假如EA接至Vcc(電源+)，程序首先執(zhí)行地址從0000HOFFFH （4KB）內(nèi)部程序存儲(chǔ)器，而執(zhí)行地址為1000HFFFFH (60KB)的外部程序存儲(chǔ)器。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：AT89S51的具有128字節(jié)的內(nèi)部RAM，這128字節(jié)可利用直接或間接尋址方式訪問(wèn)，堆棧操作可利用間接尋址方式進(jìn)行，128字節(jié)均可設(shè)置為堆棧區(qū)空間。 看門(mén)狗定時(shí)器(WDT)：WDT是為了解決CPU程序運(yùn)行時(shí)可能進(jìn)入混亂或死循環(huán)而設(shè)置，它由一個(gè)14bit計(jì)數(shù)器和看門(mén)狗復(fù)位SFR (WDTRST)構(gòu)成。外部復(fù)位時(shí)，WDT默認(rèn)為關(guān)閉狀態(tài)，要打開(kāi)WDT，用戶(hù)必須按順序?qū)?1EH和0E1H寫(xiě)到WDTRST寄存器（SFR地址為OA6H},當(dāng)啟動(dòng)了WDT，它會(huì)隨晶體振蕩器在每個(gè)機(jī)器周期計(jì)數(shù)，除硬件復(fù)位或WDT溢出復(fù)位外沒(méi)有其它方法關(guān)閉WDT，當(dāng)WDT溢出，將使RSF引腳輸出高電平的復(fù)位脈沖。使用看門(mén)狗（WDT）：打開(kāi) WDT 需按次序?qū)?01EH 和 0E1H 到 WDTRST 寄存器（SFR 的地址為 0A6H），當(dāng) WDT 打開(kāi)后，需在一定的時(shí)候01EH 和 0E1H 到 WDTRST 寄存器以避免 WDT 計(jì)數(shù)溢出。14 位 WDT 計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)達(dá)到16383（3FFFH），WDT 將溢出并使器件復(fù)位。WDT 打開(kāi)時(shí)，它會(huì)隨晶體振蕩器在每個(gè)機(jī)器周期計(jì)數(shù)，這意味著用戶(hù)必須在小于每個(gè)16383機(jī)器周期內(nèi)復(fù)位WDT，也即寫(xiě) 01EH 和 0E1H 到 WDTRST 寄存器，WDTRST 為只寫(xiě)寄存器。WDT 計(jì)數(shù)器既不可讀也不可寫(xiě)，當(dāng) WDT溢出時(shí)，通常將使 RST 引腳輸出高電平的復(fù)位脈沖。復(fù)位脈沖持續(xù)時(shí)間為 98Tosc，而 Tosc=1／Fosc（晶體振蕩頻率）。為使 WDT 工作最優(yōu)化，必須在合適的程序代碼時(shí)間段周期地復(fù)位 WDT 防止 WDT 溢出。指導(dǎo)教師意見(jiàn) 簽名： 月 日教研室意見(jiàn) 教研室主任（簽章）： 月 日評(píng)審小組意見(jiàn) 參加評(píng)審人員（簽字）