【正文】 儲器 （ Cache） 高速緩沖存儲器是位于 CPU和主內(nèi)存 DRAM之間的規(guī)模較小、但速度很高的存儲器，通常由 SRAM組成。 把在一段時間內(nèi)一定地址范圍被頻繁訪問的信息集合，成批地從主存中讀到一個能高速存取的小容量存儲器中存放起來，供程序在這段時間內(nèi)隨時采用，而減少，或不再去訪問速度較慢的主存，就可以加快程序的運行速度。這個介于CPU和主存之間的高速小容量存儲器就稱之為高速緩沖存儲器，簡稱 Cache。顯然，程序訪問的局部化性質(zhì)是 Cache得以實現(xiàn)的基礎(chǔ)。目前， CPU一般設(shè)有一級緩存（ L1 Cache）和二級緩存（ L2 Cache）。 Cache的基本操作有讀和寫，其衡量指標(biāo)為命中率，即在有 Cache的系統(tǒng)中， CPU訪問數(shù)據(jù)時，在 Cache中能直接找到的概率，它是 Cache的一個重要指標(biāo)，與 Cache的大小、替換算法、程序特性等因素有關(guān)。由于 Cache加快了 CPU訪問主存的速度， 所以 Cache的大小對系統(tǒng)整體速度的提高十分顯著。同理，構(gòu)造硬盤光驅(qū)等外部存儲器的高速緩存（簡稱磁盤Cache），也將提高系統(tǒng)的整體運行速度。 第 2節(jié) 內(nèi)存的性能指標(biāo)和規(guī)范 內(nèi)存的性能指標(biāo) 存儲容量是內(nèi)存的一項重要指標(biāo) ， 因為它將直接制約系統(tǒng)的整體性能 。 內(nèi)存條通常有 32MB、 64MB、 128MB、 256MB、 512MB等容量級別 ， 其中 256MB、 512MB內(nèi)存已成為當(dāng)前的主流配置 ， 而較高配置的微型機的內(nèi)存容量已高達 1GB。 目前內(nèi)存的主要接口類型是 184（ DDR內(nèi)存 ） 和 168（ SD內(nèi)存 ） 線的 DIMM類型接口 ， 較早的 EDORAM內(nèi)存條使用的 72線的 SIMM類型接口已經(jīng)很少見了 。 DIMM內(nèi)存插板的兩邊都有數(shù)據(jù)接口觸片 ， 一般是 84或 92針 ， 雙邊共 84*2=168或92*2=184針 ， 所以通常把這種內(nèi)存稱為 168/184線內(nèi)存 。 而 SIMM內(nèi)存為 72線內(nèi)存 。是 5X86及其較早的 PC中常采用的內(nèi)存接口方式 。 （ Tck） 、最大延遲時間 （ tAC） 和 CAS延遲時間 （ CL） tCK（ TCLK）系統(tǒng)時鐘周期，它代表 SDRAM所能運行的最大頻率。數(shù)字越小說明 SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。最大延遲時間 tAC（ Access Time from CLK）是最大 CAS延遲時的最大輸入時鐘數(shù)， PC100規(guī)范要求在 CL=3時 tAC不大于6ns。目前大多數(shù) SDRAM芯片的存取時間為 8或 10ns。 CAS的延遲時間 CL（ CAS Latency）是縱向地址脈沖的反應(yīng)時間，它關(guān)系著內(nèi)存的反應(yīng)速度，也就是代表著內(nèi)存 CAS信號需要經(jīng)過多少個時鐘周期（ Clock）后，才能穩(wěn)定地被讀取或?qū)懭?。目?SDRAM的 CAS延遲時間大部分為 2或 3，即它在讀取數(shù)據(jù)時的延遲時間，可以是 2個時鐘周期，也可以是 3個時鐘周期，當(dāng)然越小越快。 4. 內(nèi)存的帶寬總量 內(nèi)存帶寬總量是在理想狀態(tài)下一組內(nèi)存在一秒內(nèi)所能傳輸?shù)淖畲髷?shù)據(jù)容量。計算公式為：內(nèi)存帶寬總量 (MBytes) = 最大時鐘速頻率 (MHz) * 總線寬度 (bits) x*每時鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量 / 8 SDRAM使用 ， DDR使用 V電壓，而新的 DDRII內(nèi)存使用 V電壓。 （ ECC） ECC（ Error Check Correct，錯誤檢查與校正）校驗功能，不但使內(nèi)存只有數(shù)據(jù)檢查的能力，而且使內(nèi)存具備數(shù)據(jù)錯誤修正功能。以前奇偶校驗的是 8 bit數(shù)據(jù)，用 1bit的奇偶校驗位來檢查數(shù)據(jù)的正確性，但具有 ECC功能的內(nèi)存，則用 4bit來檢查 8bit的數(shù)據(jù)是否正確。當(dāng) CPU讀取數(shù)據(jù)時，若有 1個 bit的數(shù)據(jù)錯誤，則 ECC就會根據(jù)原先存在 4bit中的檢驗 bit數(shù)據(jù)，來定位那個 bit錯誤，而且會將錯誤數(shù)據(jù)加以校正。帶有 ECC功能內(nèi)存的成本較高，且要求主板的芯片組支持 ECC功能，目前 ECC內(nèi)存主要用于服務(wù)器或高檔微型機中。 為檢驗內(nèi)存在存取過程中是否準(zhǔn)確無誤，每 8位容量配備 1位作為奇偶校驗位，配合主板上的奇偶校驗電路，對存取的數(shù)據(jù)進行正確校驗，這需要在內(nèi)存條上額外加裝一塊芯片?，F(xiàn)大多數(shù)主板上可以使用帶奇偶校驗或不帶奇偶校驗兩種內(nèi)存條，但不能兩種內(nèi)存條混用。鑒別內(nèi)存條是否帶奇偶校驗比較簡單，裝好內(nèi)存開機后，在 BIOS設(shè)置中，選擇允許奇偶校驗，如果機器可正常引導(dǎo)，則說明內(nèi)存條帶奇偶校驗，如果屏幕上出現(xiàn)奇偶校驗錯的提示后死機，則說明內(nèi)存不帶奇偶校驗。 從 PC100標(biāo)準(zhǔn)開始，內(nèi)存條上就裝有一個稱為 SPD（ Serial Presence Detect,串行存在探測）的小芯片。 SPD一般位于內(nèi)存條正面右側(cè)，它是 1個 8針SDIC封裝（ 3mm*4mm） 256字節(jié)的 EEPROM芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、 CAS、 tRCD、 tRP、 tAC、 SPD版本等信息。當(dāng)開機時，支持 SPD功能的主板 BIOS就會讀取 SPD中的信息，按照讀取的值來設(shè)置內(nèi)存的存取時間。當(dāng)然，這些情況只是在內(nèi)存參數(shù)設(shè)置為 By SPD的情況下才可以實現(xiàn)。 內(nèi)存的規(guī)范 規(guī)范 （ 1) PC100 SDRAM 規(guī)范 PC 100規(guī)范要求主機板外部時鐘頻率為 100MHZ，且在 BIOS選項中， CAS latency設(shè)置為 2時， PC 100 SDRAM能穩(wěn)定地與主板同頻工作。 PC 100 SDRAM規(guī)范包括：內(nèi)存條各部分線長最大值與最小值；線寬與間距的精確規(guī)格； 6層 PCB板 ,且有完整的電源層和地線層；每一電路層之間距離的詳細(xì)規(guī)格；符合精確發(fā)送、載入、終止等請求的時間；詳細(xì)的 SDRAM組成規(guī)格；詳細(xì)的 EEPROM編程規(guī)格；特殊的標(biāo)記要求；電磁干擾標(biāo)記要求；可選鍍金印刷電路板等。 （ 2) PC133 SDRAM 規(guī)范 相比于 PC100來說， PC133規(guī)范進一步對內(nèi)存提出了更高的要求： CL=3時， tCK＝ 133MHz。隨后 Intel也提出了自己的 PC133規(guī)范，與威盛的最大區(qū)別就在于要求將 CL的參數(shù)設(shè)置成 2時，內(nèi)存穩(wěn)定工作在 133MHz的外頻下。威盛和英特爾的 PC133規(guī)范中都明確規(guī)定：所有符合 PC133規(guī)范的內(nèi)存都必須采用 6層PCB板。 (3) PC150 SDRAM 規(guī)范 這種內(nèi)存并非正式發(fā)布的一個版本 ， 它實際上就是一個超頻版的內(nèi)存 。通常這種內(nèi)存可以運行在 150MHz頻率 CAS 3模式 ， 或者是 133MHz頻率 CAS2模式下 。 SDRAM 規(guī)范 DDR內(nèi)存按照速度有兩種方法來進行分類：第一種就是以 DDRxxx這種方式命名 ， 后邊的 “ xxx”就表示了這個內(nèi)存是以兩倍于 xxx的速度運行的內(nèi)存；另外一種就是以 PCxxxx進行命名 ， 后邊的 “ xxxx”就是內(nèi)存的帶寬 。 目前常用的DDR標(biāo)準(zhǔn)有以下四個： (1) DR 200/PC 1600 此類 DDR內(nèi)存就是最早的一代 DDR內(nèi)存了。它的工作頻率為 200MH(由于是DDR內(nèi)存，所以頻率增加一倍，就是 100MHz 2，所以，這類內(nèi)存是工作在200MHz的頻率下的 )，而工作模式為 CAS 。 (2) DDR 266/PC 2100 現(xiàn)在最普遍見到的 DDR內(nèi)存，工作頻率為 266MHz，工作模式為 CAS 。 (4) PC1066 這是 RDRAM中新的一代內(nèi)存，它運行在 533MHz DDR之下，實際工作頻率達到了。 (5) PC1200 與 PC1066/800類似，它的運行頻率將在 600MHz DDR (實際為 1200MHz這個頻率之下 )。 第 3節(jié) 內(nèi)存的技術(shù)發(fā)展 最近幾年微型機的硬件更新速度很快，對內(nèi)存的帶寬（速度）的需求越來越高，對內(nèi)存的容量要求越來越大。另外，操作系統(tǒng)也變得越來越復(fù)雜，對內(nèi)存的性能要求也將不斷提高。目前，兩種更先進的內(nèi)存已出現(xiàn)，這新一代內(nèi)存主要是：DDRII和 32bit Rambus。另外， 隨著微型機性能的不斷提升，人們要求內(nèi)存封裝更加精致，以適應(yīng)大容量的內(nèi)存芯片，同時也要求內(nèi)存封裝的散熱性能更好，以適應(yīng)越來越快的核心頻率。 DDRII和 32bit Rambus 1. DDR II 2. 32bit Rambus： RIMM 4200 (3) DDR 333/PC 2700 正式發(fā)布的一個 DDR內(nèi)存版本，通過將內(nèi)存頻率增加到 166MHz DDR(實際工作中雙倍變?yōu)?333MHz),。 (4) DDR400/PC3200 工作的頻率 200MHz的 DDR(實際工作頻率為 400MHz)。 規(guī)范 RDRAM 內(nèi)存的命名方式和 DDR內(nèi)存非常相似，統(tǒng)一命名采用 PCXXX的格式，而其中的 XXX 就接近于內(nèi)存實際工作頻率。 (1) PC600 這是第一代的 RDRAM。工作頻率為 300MHz DDR (也就是實際工作頻率為 600MHz)。 (2) PC700 也是第一代的 RDRAM內(nèi)存。工作頻率為 356MHz DDR (也就是實際工作頻率為712MHz)。 (3) PC800 這也是第一代的 RDRAM內(nèi)存版本。工作頻率為 400MHz DDR (實際工作頻率為800MHz)。 第 4節(jié) 內(nèi)存的安裝與選用 內(nèi)存的安裝 目前主板上內(nèi)存條的插槽主要是 184針的 DIMM插槽 ， 使用的是 184線的 DDR內(nèi)存條 。 DIMM 內(nèi)存條的安裝比較簡單 ， 但 DIMM內(nèi)存條很長 ， 安裝時要小心 ， 不要太用力 ， 以免損壞主板 。 DIMM內(nèi)存條的兩邊是相同的 ， 在金屬引腳端有一個或兩個凹缺口 ， 對應(yīng) DIMM插座上的凸棱 ， 所以插入方向容易確定 。 安裝 DIMM內(nèi)存條時 ，首先將內(nèi)存條垂直插入對應(yīng)的插槽中 ， 然后均勻用力將內(nèi)存條插到底就可以了 ，同時聽到 “ 咔 ” 的一聲 ， 插槽兩端的卡子就會將內(nèi)存條卡住 ， 內(nèi)存條就安裝到位了 。 拆卸 DIMM內(nèi)存條時 ， 用手將內(nèi)存條插槽兩端的卡子向外掰開 ， 內(nèi)存條就彈出來了 。 內(nèi)存的選用 對于內(nèi)存的容量當(dāng)然越大越好 ， 但考慮價格 、 夠用 、 實用的原則 ， 現(xiàn)在一般用戶最好配備 256MB內(nèi)存 。 內(nèi)存質(zhì)量的好壞 ， 主要從以下幾方面來看： (1) 內(nèi)存顆粒的質(zhì)量 晶圓是指那些尚未經(jīng)過切割的內(nèi)存片，并不是那些包上品牌外衣的內(nèi)存顆粒。選用內(nèi)存時要選擇較大廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒，如日本的 NEC、日立、韓國的三星和現(xiàn)代 (HY)、臺灣的勝創(chuàng)科技、宇瞻、金邦，以及美國的 Micron的內(nèi)存顆粒質(zhì)量都不錯。但內(nèi)存顆粒的品牌并非是內(nèi)存條的品牌，只是表示內(nèi)存條上所用顆粒的品牌，一些廠家雖然也使用上述著名品牌的內(nèi)存顆粒，但由于生產(chǎn)內(nèi)存條的工藝不同，內(nèi)存條質(zhì)量相差仍較大。 （ 2） PCB電路板的質(zhì)量 PCB電路板是內(nèi)存條的主體，它質(zhì)量的好壞，對內(nèi)存條和主機板的兼容性等都起著重要的作用。拿到一條內(nèi)存條，首先要看的是 PCB板的大小、顏色，以及板材的厚度（ 4層還是 6層）等。好的電路板，外觀看上去顏色均勻、表面光滑、邊緣整齊無毛邊，采用六層板結(jié)構(gòu)且手感較重。 （ 3）內(nèi)存條的制造工藝 質(zhì)量好的內(nèi)存條外觀看上去顏色均勻，表面光滑，邊緣整齊無毛邊，且無虛焊、無搭焊， SPD、電阻的焊接也很整齊的，內(nèi)存條的引腳 (金手指 )一定要光亮整齊，沒有褪焊現(xiàn)象。 (4) 注意辨認(rèn)內(nèi)存上的標(biāo)識 在正規(guī)生產(chǎn)條件下，內(nèi)存條所用的芯片應(yīng)該是同一型號的產(chǎn)品，只允許在生產(chǎn)批次上有微小的差別，而對于品牌型號來講，是不允許有差別。所以要是一個內(nèi)存條上采用了不同型號，甚至不同廠商的內(nèi)存芯片的話，那么這肯定不是一個可靠的產(chǎn)品?？傮w上說，在內(nèi)存芯片的標(biāo)識中通常包括廠商名稱、單片容量、芯片類型、工作速度、生產(chǎn)日期等內(nèi)容，其中還可能有電壓、容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識在里面。可使用 Software Sandra這類測試軟件，讀取內(nèi)存條上的 SPD內(nèi)部的參數(shù)，根據(jù)測試結(jié)果，就可以了解內(nèi)存條是否符合對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，并依次檢測內(nèi)存條的標(biāo)識是否相符。 對于內(nèi)存這種高集成度的半導(dǎo)體產(chǎn)品來講，在選用和運輸中，注意保護也是很重要的。猛烈的振動和撞擊，都會導(dǎo)致內(nèi)存條折壽甚至報廢，所以內(nèi)存條要防摔、防振。還有一點就是防止靜電對內(nèi)存條的危害。人體或某些物品（尤其是電器產(chǎn)品）帶的靜電也有可能將內(nèi)存的芯片擊壞，所以盡量用柔軟、防靜電的物品包裹內(nèi)存條，注意，在用手觸摸它之前，要先觸摸一下導(dǎo)體，使手上的靜電放掉，拿內(nèi)存條時也應(yīng)輕拿輕放 。 DDR內(nèi)存 (1) 現(xiàn)代 （ HY） 現(xiàn)代 DDR內(nèi)存顆粒編號的含義 1. 1 生產(chǎn)廠家： HY表示現(xiàn)代公司； （ 2 內(nèi)存類型： 57表示 SDRAM， 5D為 DDR SDRAM； （ 3額定工作電壓：空白為 5V， V為 , U為 （ 4內(nèi)存單位容量和刷新單位：其中 64為 64Mbit、 4K刷新；