【正文】 儲(chǔ)器 （ Cache） 高速緩沖存儲(chǔ)器是位于 CPU和主內(nèi)存 DRAM之間的規(guī)模較小、但速度很高的存儲(chǔ)器，通常由 SRAM組成。 把在一段時(shí)間內(nèi)一定地址范圍被頻繁訪問(wèn)的信息集合，成批地從主存中讀到一個(gè)能高速存取的小容量存儲(chǔ)器中存放起來(lái)，供程序在這段時(shí)間內(nèi)隨時(shí)采用，而減少，或不再去訪問(wèn)速度較慢的主存，就可以加快程序的運(yùn)行速度。這個(gè)介于CPU和主存之間的高速小容量存儲(chǔ)器就稱(chēng)之為高速緩沖存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱(chēng) Cache。顯然，程序訪問(wèn)的局部化性質(zhì)是 Cache得以實(shí)現(xiàn)的基礎(chǔ)。目前， CPU一般設(shè)有一級(jí)緩存（ L1 Cache）和二級(jí)緩存（ L2 Cache）。 Cache的基本操作有讀和寫(xiě)，其衡量指標(biāo)為命中率，即在有 Cache的系統(tǒng)中， CPU訪問(wèn)數(shù)據(jù)時(shí)，在 Cache中能直接找到的概率，它是 Cache的一個(gè)重要指標(biāo)，與 Cache的大小、替換算法、程序特性等因素有關(guān)。由于 Cache加快了 CPU訪問(wèn)主存的速度， 所以 Cache的大小對(duì)系統(tǒng)整體速度的提高十分顯著。同理，構(gòu)造硬盤(pán)光驅(qū)等外部存儲(chǔ)器的高速緩存（簡(jiǎn)稱(chēng)磁盤(pán)Cache），也將提高系統(tǒng)的整體運(yùn)行速度。 第 2節(jié) 內(nèi)存的性能指標(biāo)和規(guī)范 內(nèi)存的性能指標(biāo) 存儲(chǔ)容量是內(nèi)存的一項(xiàng)重要指標(biāo) ， 因?yàn)樗鼘⒅苯又萍s系統(tǒng)的整體性能 。 內(nèi)存條通常有 32MB、 64MB、 128MB、 256MB、 512MB等容量級(jí)別 ， 其中 256MB、 512MB內(nèi)存已成為當(dāng)前的主流配置 ， 而較高配置的微型機(jī)的內(nèi)存容量已高達(dá) 1GB。 目前內(nèi)存的主要接口類(lèi)型是 184（ DDR內(nèi)存 ） 和 168（ SD內(nèi)存 ） 線的 DIMM類(lèi)型接口 ， 較早的 EDORAM內(nèi)存條使用的 72線的 SIMM類(lèi)型接口已經(jīng)很少見(jiàn)了 。 DIMM內(nèi)存插板的兩邊都有數(shù)據(jù)接口觸片 ， 一般是 84或 92針 ， 雙邊共 84*2=168或92*2=184針 ， 所以通常把這種內(nèi)存稱(chēng)為 168/184線內(nèi)存 。 而 SIMM內(nèi)存為 72線內(nèi)存 。是 5X86及其較早的 PC中常采用的內(nèi)存接口方式 。 （ Tck） 、最大延遲時(shí)間 （ tAC） 和 CAS延遲時(shí)間 （ CL） tCK（ TCLK）系統(tǒng)時(shí)鐘周期，它代表 SDRAM所能運(yùn)行的最大頻率。數(shù)字越小說(shuō)明 SDRAM芯片所能運(yùn)行的頻率就越高。最大延遲時(shí)間 tAC（ Access Time from CLK）是最大 CAS延遲時(shí)的最大輸入時(shí)鐘數(shù)， PC100規(guī)范要求在 CL=3時(shí) tAC不大于6ns。目前大多數(shù) SDRAM芯片的存取時(shí)間為 8或 10ns。 CAS的延遲時(shí)間 CL（ CAS Latency）是縱向地址脈沖的反應(yīng)時(shí)間，它關(guān)系著內(nèi)存的反應(yīng)速度，也就是代表著內(nèi)存 CAS信號(hào)需要經(jīng)過(guò)多少個(gè)時(shí)鐘周期（ Clock）后，才能穩(wěn)定地被讀取或?qū)懭?。目?SDRAM的 CAS延遲時(shí)間大部分為 2或 3，即它在讀取數(shù)據(jù)時(shí)的延遲時(shí)間，可以是 2個(gè)時(shí)鐘周期，也可以是 3個(gè)時(shí)鐘周期，當(dāng)然越小越快。 4. 內(nèi)存的帶寬總量 內(nèi)存帶寬總量是在理想狀態(tài)下一組內(nèi)存在一秒內(nèi)所能傳輸?shù)淖畲髷?shù)據(jù)容量。計(jì)算公式為：內(nèi)存帶寬總量 (MBytes) = 最大時(shí)鐘速頻率 (MHz) * 總線寬度 (bits) x*每時(shí)鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量 / 8 SDRAM使用 ， DDR使用 V電壓，而新的 DDRII內(nèi)存使用 V電壓。 （ ECC） ECC（ Error Check Correct，錯(cuò)誤檢查與校正）校驗(yàn)功能，不但使內(nèi)存只有數(shù)據(jù)檢查的能力，而且使內(nèi)存具備數(shù)據(jù)錯(cuò)誤修正功能。以前奇偶校驗(yàn)的是 8 bit數(shù)據(jù)，用 1bit的奇偶校驗(yàn)位來(lái)檢查數(shù)據(jù)的正確性，但具有 ECC功能的內(nèi)存，則用 4bit來(lái)檢查 8bit的數(shù)據(jù)是否正確。當(dāng) CPU讀取數(shù)據(jù)時(shí)，若有 1個(gè) bit的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，則 ECC就會(huì)根據(jù)原先存在 4bit中的檢驗(yàn) bit數(shù)據(jù)，來(lái)定位那個(gè) bit錯(cuò)誤，而且會(huì)將錯(cuò)誤數(shù)據(jù)加以校正。帶有 ECC功能內(nèi)存的成本較高，且要求主板的芯片組支持 ECC功能，目前 ECC內(nèi)存主要用于服務(wù)器或高檔微型機(jī)中。 為檢驗(yàn)內(nèi)存在存取過(guò)程中是否準(zhǔn)確無(wú)誤，每 8位容量配備 1位作為奇偶校驗(yàn)位，配合主板上的奇偶校驗(yàn)電路，對(duì)存取的數(shù)據(jù)進(jìn)行正確校驗(yàn)，這需要在內(nèi)存條上額外加裝一塊芯片?，F(xiàn)大多數(shù)主板上可以使用帶奇偶校驗(yàn)或不帶奇偶校驗(yàn)兩種內(nèi)存條，但不能兩種內(nèi)存條混用。鑒別內(nèi)存條是否帶奇偶校驗(yàn)比較簡(jiǎn)單，裝好內(nèi)存開(kāi)機(jī)后，在 BIOS設(shè)置中，選擇允許奇偶校驗(yàn)，如果機(jī)器可正常引導(dǎo)，則說(shuō)明內(nèi)存條帶奇偶校驗(yàn)，如果屏幕上出現(xiàn)奇偶校驗(yàn)錯(cuò)的提示后死機(jī)，則說(shuō)明內(nèi)存不帶奇偶校驗(yàn)。 從 PC100標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始，內(nèi)存條上就裝有一個(gè)稱(chēng)為 SPD（ Serial Presence Detect,串行存在探測(cè)）的小芯片。 SPD一般位于內(nèi)存條正面右側(cè)，它是 1個(gè) 8針SDIC封裝（ 3mm*4mm） 256字節(jié)的 EEPROM芯片，里面保存著內(nèi)存條的速度、工作頻率、容量、工作電壓、 CAS、 tRCD、 tRP、 tAC、 SPD版本等信息。當(dāng)開(kāi)機(jī)時(shí)，支持 SPD功能的主板 BIOS就會(huì)讀取 SPD中的信息，按照讀取的值來(lái)設(shè)置內(nèi)存的存取時(shí)間。當(dāng)然，這些情況只是在內(nèi)存參數(shù)設(shè)置為 By SPD的情況下才可以實(shí)現(xiàn)。 內(nèi)存的規(guī)范 規(guī)范 （ 1) PC100 SDRAM 規(guī)范 PC 100規(guī)范要求主機(jī)板外部時(shí)鐘頻率為 100MHZ，且在 BIOS選項(xiàng)中， CAS latency設(shè)置為 2時(shí)， PC 100 SDRAM能穩(wěn)定地與主板同頻工作。 PC 100 SDRAM規(guī)范包括：內(nèi)存條各部分線長(zhǎng)最大值與最小值；線寬與間距的精確規(guī)格； 6層 PCB板 ,且有完整的電源層和地線層；每一電路層之間距離的詳細(xì)規(guī)格；符合精確發(fā)送、載入、終止等請(qǐng)求的時(shí)間；詳細(xì)的 SDRAM組成規(guī)格；詳細(xì)的 EEPROM編程規(guī)格；特殊的標(biāo)記要求；電磁干擾標(biāo)記要求；可選鍍金印刷電路板等。 （ 2) PC133 SDRAM 規(guī)范 相比于 PC100來(lái)說(shuō)， PC133規(guī)范進(jìn)一步對(duì)內(nèi)存提出了更高的要求： CL=3時(shí)， tCK＝ 133MHz。隨后 Intel也提出了自己的 PC133規(guī)范，與威盛的最大區(qū)別就在于要求將 CL的參數(shù)設(shè)置成 2時(shí)，內(nèi)存穩(wěn)定工作在 133MHz的外頻下。威盛和英特爾的 PC133規(guī)范中都明確規(guī)定：所有符合 PC133規(guī)范的內(nèi)存都必須采用 6層PCB板。 (3) PC150 SDRAM 規(guī)范 這種內(nèi)存并非正式發(fā)布的一個(gè)版本 ， 它實(shí)際上就是一個(gè)超頻版的內(nèi)存 。通常這種內(nèi)存可以運(yùn)行在 150MHz頻率 CAS 3模式 ， 或者是 133MHz頻率 CAS2模式下 。 SDRAM 規(guī)范 DDR內(nèi)存按照速度有兩種方法來(lái)進(jìn)行分類(lèi)：第一種就是以 DDRxxx這種方式命名 ， 后邊的 “ xxx”就表示了這個(gè)內(nèi)存是以?xún)杀队?xxx的速度運(yùn)行的內(nèi)存；另外一種就是以 PCxxxx進(jìn)行命名 ， 后邊的 “ xxxx”就是內(nèi)存的帶寬 。 目前常用的DDR標(biāo)準(zhǔn)有以下四個(gè)： (1) DR 200/PC 1600 此類(lèi) DDR內(nèi)存就是最早的一代 DDR內(nèi)存了。它的工作頻率為 200MH(由于是DDR內(nèi)存，所以頻率增加一倍，就是 100MHz 2，所以，這類(lèi)內(nèi)存是工作在200MHz的頻率下的 )，而工作模式為 CAS 。 (2) DDR 266/PC 2100 現(xiàn)在最普遍見(jiàn)到的 DDR內(nèi)存，工作頻率為 266MHz，工作模式為 CAS 。 (4) PC1066 這是 RDRAM中新的一代內(nèi)存，它運(yùn)行在 533MHz DDR之下，實(shí)際工作頻率達(dá)到了。 (5) PC1200 與 PC1066/800類(lèi)似，它的運(yùn)行頻率將在 600MHz DDR (實(shí)際為 1200MHz這個(gè)頻率之下 )。 第 3節(jié) 內(nèi)存的技術(shù)發(fā)展 最近幾年微型機(jī)的硬件更新速度很快，對(duì)內(nèi)存的帶寬（速度）的需求越來(lái)越高，對(duì)內(nèi)存的容量要求越來(lái)越大。另外，操作系統(tǒng)也變得越來(lái)越復(fù)雜，對(duì)內(nèi)存的性能要求也將不斷提高。目前，兩種更先進(jìn)的內(nèi)存已出現(xiàn)，這新一代內(nèi)存主要是：DDRII和 32bit Rambus。另外， 隨著微型機(jī)性能的不斷提升，人們要求內(nèi)存封裝更加精致，以適應(yīng)大容量的內(nèi)存芯片，同時(shí)也要求內(nèi)存封裝的散熱性能更好，以適應(yīng)越來(lái)越快的核心頻率。 DDRII和 32bit Rambus 1. DDR II 2. 32bit Rambus： RIMM 4200 (3) DDR 333/PC 2700 正式發(fā)布的一個(gè) DDR內(nèi)存版本，通過(guò)將內(nèi)存頻率增加到 166MHz DDR(實(shí)際工作中雙倍變?yōu)?333MHz),。 (4) DDR400/PC3200 工作的頻率 200MHz的 DDR(實(shí)際工作頻率為 400MHz)。 規(guī)范 RDRAM 內(nèi)存的命名方式和 DDR內(nèi)存非常相似，統(tǒng)一命名采用 PCXXX的格式，而其中的 XXX 就接近于內(nèi)存實(shí)際工作頻率。 (1) PC600 這是第一代的 RDRAM。工作頻率為 300MHz DDR (也就是實(shí)際工作頻率為 600MHz)。 (2) PC700 也是第一代的 RDRAM內(nèi)存。工作頻率為 356MHz DDR (也就是實(shí)際工作頻率為712MHz)。 (3) PC800 這也是第一代的 RDRAM內(nèi)存版本。工作頻率為 400MHz DDR (實(shí)際工作頻率為800MHz)。 第 4節(jié) 內(nèi)存的安裝與選用 內(nèi)存的安裝 目前主板上內(nèi)存條的插槽主要是 184針的 DIMM插槽 ， 使用的是 184線的 DDR內(nèi)存條 。 DIMM 內(nèi)存條的安裝比較簡(jiǎn)單 ， 但 DIMM內(nèi)存條很長(zhǎng) ， 安裝時(shí)要小心 ， 不要太用力 ， 以免損壞主板 。 DIMM內(nèi)存條的兩邊是相同的 ， 在金屬引腳端有一個(gè)或兩個(gè)凹缺口 ， 對(duì)應(yīng) DIMM插座上的凸棱 ， 所以插入方向容易確定 。 安裝 DIMM內(nèi)存條時(shí) ，首先將內(nèi)存條垂直插入對(duì)應(yīng)的插槽中 ， 然后均勻用力將內(nèi)存條插到底就可以了 ，同時(shí)聽(tīng)到 “ 咔 ” 的一聲 ， 插槽兩端的卡子就會(huì)將內(nèi)存條卡住 ， 內(nèi)存條就安裝到位了 。 拆卸 DIMM內(nèi)存條時(shí) ， 用手將內(nèi)存條插槽兩端的卡子向外掰開(kāi) ， 內(nèi)存條就彈出來(lái)了 。 內(nèi)存的選用 對(duì)于內(nèi)存的容量當(dāng)然越大越好 ， 但考慮價(jià)格 、 夠用 、 實(shí)用的原則 ， 現(xiàn)在一般用戶(hù)最好配備 256MB內(nèi)存 。 內(nèi)存質(zhì)量的好壞 ， 主要從以下幾方面來(lái)看： (1) 內(nèi)存顆粒的質(zhì)量 晶圓是指那些尚未經(jīng)過(guò)切割的內(nèi)存片，并不是那些包上品牌外衣的內(nèi)存顆粒。選用內(nèi)存時(shí)要選擇較大廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒，如日本的 NEC、日立、韓國(guó)的三星和現(xiàn)代 (HY)、臺(tái)灣的勝創(chuàng)科技、宇瞻、金邦，以及美國(guó)的 Micron的內(nèi)存顆粒質(zhì)量都不錯(cuò)。但內(nèi)存顆粒的品牌并非是內(nèi)存條的品牌，只是表示內(nèi)存條上所用顆粒的品牌，一些廠家雖然也使用上述著名品牌的內(nèi)存顆粒，但由于生產(chǎn)內(nèi)存條的工藝不同，內(nèi)存條質(zhì)量相差仍較大。 （ 2） PCB電路板的質(zhì)量 PCB電路板是內(nèi)存條的主體，它質(zhì)量的好壞，對(duì)內(nèi)存條和主機(jī)板的兼容性等都起著重要的作用。拿到一條內(nèi)存條，首先要看的是 PCB板的大小、顏色，以及板材的厚度（ 4層還是 6層）等。好的電路板，外觀看上去顏色均勻、表面光滑、邊緣整齊無(wú)毛邊，采用六層板結(jié)構(gòu)且手感較重。 （ 3）內(nèi)存條的制造工藝 質(zhì)量好的內(nèi)存條外觀看上去顏色均勻，表面光滑，邊緣整齊無(wú)毛邊，且無(wú)虛焊、無(wú)搭焊， SPD、電阻的焊接也很整齊的，內(nèi)存條的引腳 (金手指 )一定要光亮整齊，沒(méi)有褪焊現(xiàn)象。 (4) 注意辨認(rèn)內(nèi)存上的標(biāo)識(shí) 在正規(guī)生產(chǎn)條件下，內(nèi)存條所用的芯片應(yīng)該是同一型號(hào)的產(chǎn)品，只允許在生產(chǎn)批次上有微小的差別，而對(duì)于品牌型號(hào)來(lái)講，是不允許有差別。所以要是一個(gè)內(nèi)存條上采用了不同型號(hào)，甚至不同廠商的內(nèi)存芯片的話，那么這肯定不是一個(gè)可靠的產(chǎn)品?？傮w上說(shuō)，在內(nèi)存芯片的標(biāo)識(shí)中通常包括廠商名稱(chēng)、單片容量、芯片類(lèi)型、工作速度、生產(chǎn)日期等內(nèi)容，其中還可能有電壓、容量系數(shù)和一些廠商的特殊標(biāo)識(shí)在里面?？墒褂?Software Sandra這類(lèi)測(cè)試軟件，讀取內(nèi)存條上的 SPD內(nèi)部的參數(shù)，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，就可以了解內(nèi)存條是否符合對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)，并依次檢測(cè)內(nèi)存條的標(biāo)識(shí)是否相符。 對(duì)于內(nèi)存這種高集成度的半導(dǎo)體產(chǎn)品來(lái)講，在選用和運(yùn)輸中，注意保護(hù)也是很重要的。猛烈的振動(dòng)和撞擊，都會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存條折壽甚至報(bào)廢，所以?xún)?nèi)存條要防摔、防振。還有一點(diǎn)就是防止靜電對(duì)內(nèi)存條的危害。人體或某些物品（尤其是電器產(chǎn)品）帶的靜電也有可能將內(nèi)存的芯片擊壞，所以盡量用柔軟、防靜電的物品包裹內(nèi)存條，注意，在用手觸摸它之前，要先觸摸一下導(dǎo)體，使手上的靜電放掉，拿內(nèi)存條時(shí)也應(yīng)輕拿輕放 。 DDR內(nèi)存 (1) 現(xiàn)代 （ HY） 現(xiàn)代 DDR內(nèi)存顆粒編號(hào)的含義 1. 1 生產(chǎn)廠家： HY表示現(xiàn)代公司； （ 2 內(nèi)存類(lèi)型： 57表示 SDRAM， 5D為 DDR SDRAM； （ 3額定工作電壓：空白為 5V， V為 , U為 （ 4內(nèi)存單位容量和刷新單位：其中 64為 64Mbit、 4K刷新；