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畢業(yè)設(shè)計(jì)-基于單片機(jī)溫度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)-資料下載頁(yè)

2025-01-17 01:03本頁(yè)面
  

【正文】 E1H。當(dāng) WDT激活后,用戶必須向 WDTRST寫(xiě)入 01EH和 0E1H喂狗來(lái)避免 WDT溢出。當(dāng)計(jì)數(shù)達(dá)到 8191(1FFFH)時(shí), 13 位計(jì)數(shù)器將會(huì)溢出,這將會(huì)復(fù)位器件。晶振正常工作、 WDT激活后,每一個(gè)機(jī)器周期 WDT 都會(huì)增加。為了復(fù)位 WDT,用戶必須向 WDTRST 寫(xiě)入 01EH 和 0E1H( WDTRST 是只讀寄存器)。 WDT 計(jì)數(shù)器不能讀或?qū)?。?dāng) WDT 計(jì)數(shù)器溢出時(shí),將給 RST 引腳產(chǎn)生一個(gè)復(fù)位脈沖輸出,這個(gè)復(fù)位脈沖持續(xù) 96個(gè)晶振周期( TOSC),其中 TOSC=1/FOSC。為了很好地使用 WDT,應(yīng)該在一定時(shí)間內(nèi)周期性寫(xiě)入那部分代碼,以避免 WDT復(fù)位 。 掉電和空閑方式下的 WDT:在掉電模式下,晶振停止工作,這意味這 WDT也停止了工作。在這種方式下,用戶不必喂狗。有兩種方式可以離開(kāi)掉電模式:硬件復(fù)位或通過(guò)一個(gè)激活的外部中斷。通過(guò)硬件復(fù)位退出掉電模式后,用 戶就應(yīng)該給 WDT 喂狗,就如同通常 AT89S52 復(fù)位一樣。通過(guò)中斷退出掉電模式的情形有很大的不同。中斷應(yīng)持續(xù)拉低很長(zhǎng)一段時(shí)間,使得晶振穩(wěn)定。當(dāng)中斷拉高后,執(zhí)行中斷服務(wù)程序。為了防止 WDT在中斷保持低電平的時(shí)候復(fù)位器件, WDT 直到中斷拉低后才開(kāi)始工作。這就意味著 WDT 應(yīng)該在中斷服務(wù)程序中復(fù)位。為了確保在離開(kāi)掉電模式最初的幾個(gè)狀態(tài) WDT不被溢出,最好在進(jìn)入掉電模式前就復(fù)位WDT。在進(jìn)入待機(jī)模式前,特殊寄存器 AUXR 的 WDIDLE位用來(lái)決定 WDT 是否繼續(xù)計(jì)數(shù)。默認(rèn)狀態(tài)下,在待機(jī)模式下, WDIDLE= 0, WDT繼續(xù)計(jì)數(shù)。為了式下復(fù)位AT89S52,用戶應(yīng)該建立一個(gè)定時(shí)器,定時(shí)離開(kāi)待機(jī)模式,喂狗,再重新進(jìn)入待機(jī)模式。 定時(shí)器 0和定時(shí)器 1:定時(shí)器 0和定時(shí)器 1與 AT89C21和 AT89C52 一樣 . 定時(shí)器 2: 定時(shí)器 2是一個(gè) 16位定時(shí) /計(jì)數(shù)器,它既可以做定時(shí)器,又可以做事件計(jì)數(shù)器。其工作方式由特殊寄存器 T2CON 中的 C/T2位選擇(如表 2所示)。定時(shí)器 2有三種工作模式:捕捉方式、自動(dòng)重載(向下或向上計(jì)數(shù))和波特率發(fā)生器。如表 3 所示,工作模式由 T2CON中的相關(guān)位選擇。定時(shí)器 2 有 2 個(gè) 8位寄存器: TH2和 TL2。在定時(shí)工作方式中,每個(gè)機(jī)器周期, TL2 寄存器都會(huì)加 1。由于一個(gè)機(jī)器周期由 12 個(gè)晶振周期構(gòu)成,因此,計(jì)數(shù)頻率就是晶振頻率的 1/12。 表 T2CON:定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 2控制寄存器 TF2 EXF2 RCLK TCLK EXEN2 TR2 C/T2 CP/RL2 7 6 5 4 3 2 1 0 符號(hào) 功能 TF2 定時(shí)器 2溢出標(biāo)志位,必須軟件清 0, RCLK=1或 TCLK=1, TF2不用置位 EXF2 定時(shí)器 2外部標(biāo)志位, EXEN2=1時(shí), T2EX上的負(fù)跳變出現(xiàn)或者重載時(shí), EXEF2會(huì)被硬件置位。定時(shí)器 2 打開(kāi)。 EXF2=1,將引導(dǎo) CPU 執(zhí)行定時(shí)器 2 中斷程序。 RCLK 串行口接收數(shù)據(jù)時(shí)鐘標(biāo)志位,若 RCLK=1,串行口將使用定時(shí)器 2溢出脈沖作為串行口工作方式 1和工作方式 3 的串口接收時(shí)鐘。 TCLK=0將使用定時(shí)器 1計(jì)數(shù)溢出作為串口接收時(shí)鐘 TCLK 串行口發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)鐘標(biāo)志位。當(dāng) EXEN2=1 時(shí),如果定時(shí)器 2 沒(méi)有作為串行時(shí)鐘, T2EX 的負(fù)跳變引起定時(shí)器 2 捕捉和重載,若 EXEN2=0,定時(shí)器 2 將視 T2EX 為無(wú)效。 EXEN2 定時(shí)器 2外部允許標(biāo)志位,當(dāng) EXEN2=1 時(shí),如果定時(shí)器 2沒(méi) 有用作 T2EX的負(fù)跳變引起定時(shí)器 2捕捉和重載,若 EXEN2=0,定時(shí)器 2將視 T2EX為無(wú)效。 TR2 開(kāi)始 /停止控制定時(shí)器 2,若 TR2=1,定時(shí)器 2開(kāi)始工作 C/T2 定時(shí)器 2定時(shí) /計(jì)數(shù)選擇標(biāo)志位, C/T2=0開(kāi)始計(jì)時(shí), C/T2=1外部事件計(jì)數(shù)。(下降沿觸發(fā)) CP/RL2 捕捉重載標(biāo)志位,當(dāng) EXEN2=1 時(shí),如果定時(shí)器 2 沒(méi)有作為串行時(shí)鐘, T2EX的負(fù)跳變引起定時(shí)器 2捕捉和重載,若 EXEN2=0,定時(shí)器 2將視 T2EX為無(wú)效。定時(shí)器 2強(qiáng)制自動(dòng)重載。 表 定時(shí)器 2的工作模式 RCLK+TCLK CP/RL2 TR2 MODE 0 0 1 16位自動(dòng)重載 0 1 1 16 位捕捉 1 X 1 波特率發(fā)生器 X X 0 (不用) 表 2的工作模式 在計(jì)數(shù)工作方式下,寄存器在相關(guān)外部輸入角 T2 發(fā)生 1 至 0 的下降沿時(shí)增加 1。在這種方式下,每個(gè)機(jī)器周期的 S5P2 期間采樣外部輸入。一個(gè)機(jī)器周期采樣到高電平,而下一個(gè)周期采樣到低電平,計(jì)數(shù)器將加 1。在檢測(cè)到跳變的這個(gè)周期的 S3P1 期間,新的計(jì)數(shù)值出現(xiàn)在寄存器中。因?yàn)樽R(shí)別 1- 0的跳變需要 2個(gè)機(jī)器周期 ( 24個(gè)晶振周期),所以,最 大的計(jì)數(shù)頻率不高于晶振頻率的 1/24。為了確保給定的電平在改變前采樣到一次,電平應(yīng)該至少在一個(gè)完整的機(jī)器周期內(nèi)保持不變。 4. 中斷 AT89S52 有 6個(gè)中斷源:兩個(gè)外部中斷( INT0 和 INT1),三個(gè)定時(shí)中斷(定時(shí)器 0、 2)和一個(gè)串行中斷。每個(gè)中斷源都可以通過(guò)置位或清除特殊寄存器IE 中的相關(guān)中斷允許控制位分別使得中斷源有效或無(wú)效。 IE還包括一個(gè)中斷允許總控制位 EA,它能一次禁止所有中斷。如表 5所示, 。對(duì)于 AT89S52, 。用戶軟件不應(yīng)給這些位寫(xiě) 1。它們?yōu)?AT89系列新產(chǎn)品預(yù)留定時(shí)器 2可以被寄存器 T2CON 中的 TF2和 EXF2的或邏輯觸發(fā)。程序進(jìn)入中斷服務(wù)后,這些標(biāo)志位都可以由硬件清 0。實(shí)際上,中斷服務(wù)程序必須判定是否是 TF2 或 EXF2激活中斷,標(biāo)志位也必須由軟件清 0。定時(shí)器 0和定時(shí)器 1標(biāo)志位 TF0 和 TF1在計(jì)數(shù)溢出的那個(gè)周期的 S5P2被置位。它們的值一直到下一個(gè)周期被電路捕捉下來(lái)。然而,定時(shí)器 2 的標(biāo)志位 TF2 在計(jì)數(shù)溢出的那個(gè)周期的 S2P2被置位,在同一個(gè)周期被電路捕捉下來(lái)。 EA — ET2 ES ET1 EX1 ET0 EX0 中斷允許控制位 =1 允許中斷 中斷允許控制位 =0 禁止中斷 符號(hào) 地址 位功能 EA 中斷允許總控制位。 EA=0,中斷總禁止: EA=1,各中斷由各自的控制位設(shè)定 預(yù)留 ET2 定時(shí)器 2中斷允許控制位 ES 串行口中斷允許控制位 ET1 定時(shí)器 1中斷允許控制位 EX1 外部中斷 1允許控制位 ET0 定時(shí)器 0中斷允許控制位 EX0 外部中斷 1允許控制位 表 35 中斷允許控制寄存器 溫度顯示模塊 采用三位共陽(yáng) LED動(dòng)態(tài)顯示方式,三位共陽(yáng) LED管腳如下圖? ?所示: 對(duì)應(yīng)管腳說(shuō)明如下表? ?所示: LED K1 A F K2 K3 B E D DP C G 顯示方式: 此次設(shè)計(jì)中,我們要在同一時(shí)刻顯示不同的字符,從電路上看,這是辦不到的。因此只能利用人眼對(duì)視覺(jué)的殘留效應(yīng),采用動(dòng)態(tài)掃描的顯示方法,逐個(gè)地循環(huán)點(diǎn)亮三個(gè)數(shù)碼管,每位顯示 1ms左右,使人看起來(lái)就好像在同時(shí)顯示不同的字符一樣。這由調(diào)用延時(shí) 1ms 子程序 DELY 來(lái)實(shí)現(xiàn)。實(shí)踐證明,當(dāng)每位顯示時(shí)間偏離 1ms較 多時(shí),將會(huì)產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象。 在進(jìn)行動(dòng)態(tài)掃描顯示時(shí),往往事先并不知道應(yīng)顯示什么內(nèi)容,這樣也就無(wú)從選擇被顯示字符的顯示段碼。為此,一般才用查表的方法,由待顯示的字符通過(guò)查表得到其對(duì)應(yīng)的顯示段碼。 十六進(jìn)制數(shù)及空白字符與 P的顯示段碼如 下 表? ?所示。 表? ? 管腳 對(duì)應(yīng)端 說(shuō)明 1 K3 2 B 3 E 小數(shù)點(diǎn) 7 D 4 DP 8 空 5 C 6 G 第三個(gè) LED 位選通 9 K2 第二個(gè) LED 位選通 10 11 12 F A K1 第一個(gè) LED 位選通 此次設(shè)計(jì)中由于是顯示被測(cè)水溫溫度,故只需顯示 0~9數(shù)字字符。 電路接線原理圖如下所示: 9012 9012 9012470R2470R3470R4470R5470R6470R1470R7K1f2g3e4d5K6c8DP7b9a10D?L E D 1K1f2g3e4d5K6c8DP7b9a10D?L E D 2K1f2g3e4d5K6c8DP7b9a10D?L E D 31KR81KR91KR 10P 1. 0 P 1. 1 P 1. 2V C C 圖? ? 在圖? ?中。 其中 采用三個(gè) PNP 三極管( 9012)進(jìn)行驅(qū)動(dòng),只有當(dāng) 、 或者 輸出低電平時(shí),才能使 9012 導(dǎo)通,從而選通 LED。段碼從 P0 口輸出。由于設(shè)計(jì)中精度沒(méi)有過(guò)高要求,故不需要顯示小數(shù)部分,所以 DP 端不需要連接,數(shù)碼管上顯示溫度的整數(shù)部分。 溫度控制模塊 字型 0 1 2 3 4 5 6 7 8 共陽(yáng)極段碼 字型 共陽(yáng)極段碼 C0H F9H A4H B0H 99H 92H 82H F8H 80H 9 A B C D E F 空白 P 6FH 77H 7CH 39H 5EH 79H 71H 00H 73H 10 0K / 1WR?1N 40 07T L P 5 211KR?R?V C CP or tM O C 30 21B T A 16熱得快10 K / 5WR?360R?C?9013330R?R?V C CP 2. 0 過(guò)零檢測(cè)部分由一個(gè)光耦隔離獲得同步信號(hào);控制部分由光耦 MOC302可控硅BTA1電熱爐(熱得快)組成。當(dāng)溫度低于下限溫度時(shí)候,加熱部分開(kāi)始啟動(dòng),溫度升高到上限溫度時(shí)候停止工作。 可控硅 BTA16 一種以硅單晶為基本材料的 P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于 1957 年,由于它特性類(lèi)似 于真空閘流管,所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱可控硅 T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“ 死硅 ” )更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此頻率,因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花 、無(wú)噪音;效率高,成本低等等。可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通??煽毓鑿耐庑紊戏诸?lèi)主要有:螺栓形、平板形和平底形。 不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由 P 型硅和 N 型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖 1。它有三個(gè) PN結(jié)( J J J3),從 J1結(jié)構(gòu)的 P1層引出陽(yáng)極 A,從 N2 層引出陰級(jí) K,從 P2 層引出控制極 G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件??煽毓杞Y(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖 如圖 421所示。 圖 421可控硅結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖 可控硅是 P N P N2四層三端結(jié)構(gòu)元件, 共有三個(gè) PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè) PNP管和一個(gè) NPN管所組成,其等效圖解如圖 422所示 。 圖 422 可控硅內(nèi)部等效圖 當(dāng)陽(yáng)極 A加上正向電壓時(shí), BG1和 BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制極 G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào), BG2便有基流 ib2流過(guò),經(jīng) BG2放大,其集電極電流 ic2=β2ib2 。因?yàn)?BG2的集電極直接與 BG1的基極相連,所以 ib1=ic2。此時(shí),電流 ic2 再經(jīng) BG1 放大,于是 BG1 的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2 。這個(gè)電流又流回到 BG2的基極,表成正反饋,使 ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個(gè)管子 的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。 由于 BG1和 BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?,所以一旦可控硅?dǎo)通后,即使控制極 G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,沒(méi)有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。 由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見(jiàn)表 42。 表 42 可控硅開(kāi)關(guān)特性表 狀 態(tài) 條 件 說(shuō) 明 從關(guān)斷到導(dǎo)通 陽(yáng)極電位高于陰極電位 控制極有足夠的正向電流和電壓 兩者缺一不可 維持導(dǎo)通 陽(yáng)極電位高于陰極電位
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