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畢業(yè)設(shè)計(jì)-基于單片機(jī)溫度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)(參考版)

2025-01-20 01:03本頁面
  

【正文】 由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見表 42。這個(gè)電流又流回到 BG2的基極,表成正反饋,使 ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個(gè)管子 的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。因?yàn)?BG2的集電極直接與 BG1的基極相連,所以 ib1=ic2。 圖 422 可控硅內(nèi)部等效圖 當(dāng)陽極 A加上正向電壓時(shí), BG1和 BG2管均處于放大狀態(tài)。可控硅結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)圖 如圖 421所示。見圖 1。可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花 、無噪音;效率高,成本低等等。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。當(dāng)溫度低于下限溫度時(shí)候,加熱部分開始啟動(dòng),溫度升高到上限溫度時(shí)候停止工作。由于設(shè)計(jì)中精度沒有過高要求,故不需要顯示小數(shù)部分,所以 DP 端不需要連接,數(shù)碼管上顯示溫度的整數(shù)部分。 其中 采用三個(gè) PNP 三極管( 9012)進(jìn)行驅(qū)動(dòng),只有當(dāng) 、 或者 輸出低電平時(shí),才能使 9012 導(dǎo)通,從而選通 LED。 表? ? 管腳 對(duì)應(yīng)端 說明 1 K3 2 B 3 E 小數(shù)點(diǎn) 7 D 4 DP 8 空 5 C 6 G 第三個(gè) LED 位選通 9 K2 第二個(gè) LED 位選通 10 11 12 F A K1 第一個(gè) LED 位選通 此次設(shè)計(jì)中由于是顯示被測(cè)水溫溫度,故只需顯示 0~9數(shù)字字符。為此,一般才用查表的方法,由待顯示的字符通過查表得到其對(duì)應(yīng)的顯示段碼。實(shí)踐證明,當(dāng)每位顯示時(shí)間偏離 1ms較 多時(shí),將會(huì)產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象。因此只能利用人眼對(duì)視覺的殘留效應(yīng),采用動(dòng)態(tài)掃描的顯示方法,逐個(gè)地循環(huán)點(diǎn)亮三個(gè)數(shù)碼管,每位顯示 1ms左右,使人看起來就好像在同時(shí)顯示不同的字符一樣。 EA — ET2 ES ET1 EX1 ET0 EX0 中斷允許控制位 =1 允許中斷 中斷允許控制位 =0 禁止中斷 符號(hào) 地址 位功能 EA 中斷允許總控制位。它們的值一直到下一個(gè)周期被電路捕捉下來。實(shí)際上,中斷服務(wù)程序必須判定是否是 TF2 或 EXF2激活中斷,標(biāo)志位也必須由軟件清 0。它們?yōu)?AT89系列新產(chǎn)品預(yù)留定時(shí)器 2可以被寄存器 T2CON 中的 TF2和 EXF2的或邏輯觸發(fā)。對(duì)于 AT89S52, 。 IE還包括一個(gè)中斷允許總控制位 EA,它能一次禁止所有中斷。 4. 中斷 AT89S52 有 6個(gè)中斷源:兩個(gè)外部中斷( INT0 和 INT1),三個(gè)定時(shí)中斷(定時(shí)器 0、 2)和一個(gè)串行中斷。因?yàn)樽R(shí)別 1- 0的跳變需要 2個(gè)機(jī)器周期 ( 24個(gè)晶振周期),所以,最 大的計(jì)數(shù)頻率不高于晶振頻率的 1/24。一個(gè)機(jī)器周期采樣到高電平,而下一個(gè)周期采樣到低電平,計(jì)數(shù)器將加 1。 表 定時(shí)器 2的工作模式 RCLK+TCLK CP/RL2 TR2 MODE 0 0 1 16位自動(dòng)重載 0 1 1 16 位捕捉 1 X 1 波特率發(fā)生器 X X 0 (不用) 表 2的工作模式 在計(jì)數(shù)工作方式下,寄存器在相關(guān)外部輸入角 T2 發(fā)生 1 至 0 的下降沿時(shí)增加 1。(下降沿觸發(fā)) CP/RL2 捕捉重載標(biāo)志位,當(dāng) EXEN2=1 時(shí),如果定時(shí)器 2 沒有作為串行時(shí)鐘, T2EX的負(fù)跳變引起定時(shí)器 2捕捉和重載,若 EXEN2=0,定時(shí)器 2將視 T2EX為無效。 EXEN2 定時(shí)器 2外部允許標(biāo)志位,當(dāng) EXEN2=1 時(shí),如果定時(shí)器 2沒 有用作 T2EX的負(fù)跳變引起定時(shí)器 2捕捉和重載,若 EXEN2=0,定時(shí)器 2將視 T2EX為無效。 TCLK=0將使用定時(shí)器 1計(jì)數(shù)溢出作為串口接收時(shí)鐘 TCLK 串行口發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)鐘標(biāo)志位。 EXF2=1,將引導(dǎo) CPU 執(zhí)行定時(shí)器 2 中斷程序。 表 T2CON:定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 2控制寄存器 TF2 EXF2 RCLK TCLK EXEN2 TR2 C/T2 CP/RL2 7 6 5 4 3 2 1 0 符號(hào) 功能 TF2 定時(shí)器 2溢出標(biāo)志位,必須軟件清 0, RCLK=1或 TCLK=1, TF2不用置位 EXF2 定時(shí)器 2外部標(biāo)志位, EXEN2=1時(shí), T2EX上的負(fù)跳變出現(xiàn)或者重載時(shí), EXEF2會(huì)被硬件置位。在定時(shí)工作方式中,每個(gè)機(jī)器周期, TL2 寄存器都會(huì)加 1。如表 3 所示,工作模式由 T2CON中的相關(guān)位選擇。其工作方式由特殊寄存器 T2CON 中的 C/T2位選擇(如表 2所示)。為了式下復(fù)位AT89S52,用戶應(yīng)該建立一個(gè)定時(shí)器,定時(shí)離開待機(jī)模式,喂狗,再重新進(jìn)入待機(jī)模式。在進(jìn)入待機(jī)模式前,特殊寄存器 AUXR 的 WDIDLE位用來決定 WDT 是否繼續(xù)計(jì)數(shù)。這就意味著 WDT 應(yīng)該在中斷服務(wù)程序中復(fù)位。當(dāng)中斷拉高后,執(zhí)行中斷服務(wù)程序。通過中斷退出掉電模式的情形有很大的不同。有兩種方式可以離開掉電模式:硬件復(fù)位或通過一個(gè)激活的外部中斷。 掉電和空閑方式下的 WDT:在掉電模式下,晶振停止工作,這意味這 WDT也停止了工作。當(dāng) WDT 計(jì)數(shù)器溢出時(shí),將給 RST 引腳產(chǎn)生一個(gè)復(fù)位脈沖輸出,這個(gè)復(fù)位脈沖持續(xù) 96個(gè)晶振周期( TOSC),其中 TOSC=1/FOSC。為了復(fù)位 WDT,用戶必須向 WDTRST 寫入 01EH 和 0E1H( WDTRST 是只讀寄存器)。當(dāng)計(jì)數(shù)達(dá)到 8191(1FFFH)時(shí), 13 位計(jì)數(shù)器將會(huì)溢出,這將會(huì)復(fù)位器件。 WDT的使用 :為了激活 WDT,用戶必須向 WDTRST寄存器(地址為 0A6H的 SFR)依次寫入 0E1H和 0E1H。除了復(fù)位(硬件復(fù)位或 WDT溢出復(fù)位),沒有辦法停止 WDT工作。當(dāng) WDT激活后,晶振工作, WDT在每個(gè)機(jī)器周期都 會(huì)增加。 WDT 由 13位計(jì)數(shù)器和特殊功能寄存器中的看門狗定時(shí)器復(fù)位存儲(chǔ)器( WDTRST)構(gòu)成。直接尋址方式訪問特殊功能寄存器( SFR)。也就是說高 128字 節(jié)與特殊功能寄存器有相同的地址,而物理上是分開的。 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器: AT89S52 有 256 字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 AT89S52 存儲(chǔ)器配置 程序存儲(chǔ)器: 如果 EA引腳接地,程序讀取只從外部存儲(chǔ)器開始。 注意加密方式 1時(shí), /EA將內(nèi)部鎖定為 RESET;當(dāng)/EA端保持高電平時(shí),此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。 在由外部程序存儲(chǔ)器取指期間,每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN有效。 另外,該引腳被略微拉高。如想禁止 ALE的輸出可在 SFR8EH地址上置 0。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。在 FLASH 編程期間,此引腳用于輸入編程脈沖。 RST:復(fù)位輸入。作為輸入,由于外部下拉為低電平, P3口將輸出電流( ILL)這是由于上拉的緣故。 P3口: P3口管腳是 8個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的雙向 I/O口,可接收輸出 4個(gè) TTL門電流。P2口在 FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。 P2 口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或 16位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí), P2口輸出地址的高八位。并因此作為輸入時(shí), P2口的管腳被外部拉低,將輸出電流。 P1口管腳寫入 1后,被內(nèi)部上拉為高,可用作輸入, P1口被外部下拉為低電平時(shí),將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。 P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,它可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。 P0口: P0口為一個(gè) 8位漏級(jí)開路雙向 I/O 口,每腳可吸收 8TTL 門電流。 GND:接地。 VCC:供電電壓。掉電方式保存 RAM中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個(gè)中斷或硬件復(fù)位為止。同時(shí), AT89S51可降至 0HZ的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。在單芯片上,擁有靈巧的 8位 CPU和在系統(tǒng)可編程 Flash,使得 AT89S52眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。使用 Armel 公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造,與工業(yè) 80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。單片機(jī)的邏輯控制功能很強(qiáng) ,指令系統(tǒng)有各種控制功能用指令;可以方便地實(shí)現(xiàn)多機(jī)和分布式控制。它能方便地組裝成各種智能式測(cè)控設(shè)備及各種智能儀器儀表;可靠性好 ,適應(yīng)溫度范圍寬。單片機(jī)應(yīng)用在檢測(cè)、控制領(lǐng)域中 ,具有如下特點(diǎn)。 單片機(jī) AT89S52 介紹 單片機(jī)的發(fā)展方向 未來單片機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)主要有:主流型機(jī)發(fā)展趨勢(shì), 8位單片機(jī)為主流,少量 32位機(jī), 16位可能被淘汰;全盤 CMOS化趨勢(shì); RISC體系結(jié)構(gòu)的發(fā)展;大力發(fā)展專用單片機(jī); OTPROM、 flashROM成為主流供應(yīng)狀態(tài); ISP及基于 ISP的開發(fā)環(huán)境;單片機(jī)的軟件嵌入;實(shí)現(xiàn)全面功耗管理;推行串行擴(kuò)展總線; ASMIC技術(shù)的發(fā)展。 LED是三位一體共陽型,并采用動(dòng)態(tài)掃描顯示方式進(jìn)行顯示。 整體電路圖 9012 9012 9012470R2470R3470R4470R5470R6470R1470R7E A / V P P31X T A L 119X T A L 218R S T9P ( R D )17P ( W R )16P ( I N T 0)12P ( I N T 1)13P ( T 0)14P ( T 1)15P ( T 2)1P ( T 2E X )2P 3P 4P 5P ( M O S I )6P ( M I S O )7P ( S C K )8( A D 0) P 39( A D 1) P 38( A D 2) P 37( A D 3) P 36( A D 4) P 35( A D 5) P 34( A D 6) P 33( A D 7) P 32( A 8) P 21( A 9) P 22( A 10 ) P 23( A 11 ) P 24( A 12 ) P 25( A 13 ) P 26( A 14 ) P 27( A 15 ) P 28P S E N29A L E / P R O G30( T X D ) P 11( R X D ) P 10GND20V C C40A T 89 S 5212X T A L30pFC130pFC2K1f2g3e4d5K6c8DP7b9a10D?L E D 1K1f2g3e4d5K6c8DP7b9a10D?L E D 2K1f2g3e4d5K6c8DP7b9a10D?L E D 31KR81KR91KR 10P P P 1KR 121KR 131KR 14R 15updo w ns e tk5330R 1710uF C31KR 16V C CV C CDQ2GND1V C C3D S 18 B 20V C CV C C10 0K / 1WR?1N 40 07T L P 52 11KR?R?V C CP or tM O C 30 21B T A 16熱得快10 K / 5WR?360R?C?9013330R?R?V C CP 在。水箱的水大約為 1 升,電熱爐功率為 400W;按鍵設(shè)定分為設(shè)置按鍵( SET), +1( UP), 1( DOWN)功能,其特點(diǎn)是:按下 SET 鍵可進(jìn)行水箱溫度預(yù)設(shè),預(yù)設(shè)值為所期望水箱水溫值,按下 SET鍵后,可通過 UP和 DOWN鍵進(jìn)行溫度閃爍加減設(shè)定;光耦采用 MOC3021,可控硅采用 BTA16;還有超溫報(bào)警功能 ,鑒于使用蜂鳴器聲音太小等原因,本功能采用市場(chǎng)上常用的音樂芯片進(jìn)行設(shè)計(jì),超溫將會(huì)發(fā)出聲光警聲報(bào)警。因此,系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)是設(shè)計(jì)中的首要考慮對(duì)象。連續(xù)寫 2位間的間隙應(yīng)大于 1us。從 T0 時(shí)刻開始15us之內(nèi)應(yīng)將所需寫的位送到總線上, DS1820 在 T0后 15~60us間對(duì)總線采樣。 T2 距 T0 為 15us,也就是說, T2 時(shí)刻前主機(jī)必須完成讀位,并在T0后的 60us~120us 內(nèi)釋放總線。 圖 351 DS18B20初始化時(shí)序圖 讀時(shí)間隙時(shí)序圖: 如圖 352 所示,主機(jī)總線 T0 時(shí)刻從高拉至低電平時(shí),總線只須保持低電平 10us。 DS18B20時(shí)序圖 : 初始化過程時(shí)序: 時(shí)序如圖 351 所示。命令代碼為 B4H。該操作是在 DS18B20上電時(shí)自動(dòng)執(zhí)行
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