氣體放電的物理過程—均勻電場中氣體擊穿-資料下載頁
2025-01-16 03:24本頁面
【正文】 流注理論 一、巴申定律（湯遜理論）： ??擊擊大，小于小，一定：UdUdd ????擊擊小，大，小，碰撞機會少，一定：UUd???湯遜理論中氣隙的擊穿過程是： 電子崩 —— 氣隙擊穿 僅適用于短間隙低氣壓的 輝光放電 流注：由正負離子構成的具有良好導電性的冷等離子體 放電的主要因素： 電子的碰撞電離及空間光電離（光子、短波光射線引起的空間電離），強調(diào)了空間電荷畸變電場的作用，流注是由二次電子崩匯入主崩形成的。 放電過程： 主電子崩 —— 二次電子崩 —— 流注 —— 氣隙擊穿 二、流注理論： Eex: 外加電場 E’: 正空間電荷與負極板產(chǎn)生的電場 E’’：正空間電荷與負空間電荷產(chǎn)生的電場 E’’’：負空間電荷與正極板產(chǎn)生的電場 E：空間電荷產(chǎn)生的電場與外加電場疊加 后的實際電場 正粒子的遷移率遠遠小于電子的遷移率 正流注的產(chǎn)生 當外施電壓為氣隙最低擊穿電壓時 負流注的產(chǎn)生 當外施電壓比氣隙的 最低擊穿電壓高出許多時， 間隙中的強電場足可以引 起光電離，從而產(chǎn)生二次 電子崩，形成流注。 The End Thank You
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