金屬化與多層互連ppt課件-資料下載頁
2025-01-15 15:04本頁面
【正文】 （通過降低 Ф MS） ? VT降低提高了器件性能： ①工作頻率提高；②功耗降低；③集成度提高； ? 多晶硅柵的優(yōu)點(diǎn)：①實(shí)現(xiàn)自對準(zhǔn)的源漏；②降低 VT ? 互連延遲時(shí)間常數(shù) : RC=RL2 εox/tox R、 l 互連線方塊電阻和長度， εox、 tox介質(zhì)層的介電常數(shù)和厚度； ? 局限性：電阻率過高， 只能作局部互連 ； 多晶硅柵技術(shù) 多晶硅互連及其局限性 互連引線面積與各種互連延遲 VLSI與多層互連 ? 多層互連的提出： 互連線面積占主要； 時(shí)延常數(shù) RC占主要。 多層互連對 VLSI的意義 ； ： 3. 降低成本 （目前 Cu互連最高已達(dá) 10層） 平坦化的必要性 平坦化 平坦化 ? 臺(tái)階的存在：如， 引線孔、通孔邊緣； ? 影響：薄膜的覆蓋效果； ? 改善： ①改進(jìn)薄膜淀積的工藝： 行星旋轉(zhuǎn)式真空蒸發(fā)裝置； 濺射替代蒸發(fā)； ② PSG、 BPSG回流； ③平坦化工藝 BPSG回流工藝 犧牲層工藝 ： 等離子刻蝕工藝，局域完全平坦化 CMP工藝 CMP： chemical mechanical planarization化學(xué)機(jī)械平面化 或 chemicalmechanical polishing 化學(xué)機(jī)械拋光 CMP工藝 ? CMP的基本構(gòu)成： ①磨盤：聚亞胺酯薄片 ②磨料： ：氧化劑； ： SiO2 ? CMP的基本機(jī)理： ①金屬被氧化，形成氧化物； ② SiO2磨掉氧化物。
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