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正文內(nèi)容

電源開關(guān)及電阻電容(rc)緩沖器設(shè)計(jì)-資料下載頁

2025-01-13 14:56本頁面
  

【正文】 在 MOSFET 上焊接 100 pF 低 ESR 薄膜電容。 提高電容,直到振鈴頻率達(dá)到初始測量值的一半。 現(xiàn)在,由於振鈴頻率與電路的電感和電容乘積的平方根成反比,開關(guān)的輸出電容總值(增加的電容加上原本的寄生電容)增加四倍。 因此寄生電容 Cp 則為外部附加電容值的三分之一。 現(xiàn)在,即可使用下列方程式求得寄生電感 Lp:  求得寄生電感 Lp 和寄生電容量 Cp 後,即可依據(jù)下列計(jì)算方式選擇緩沖器電阻 Rsnub 和電容 Csunb?!? 若有需要,可進(jìn)一步微調(diào)緩沖器電阻以降低振鈴?!sunb 在指定切換頻率 (fs) 下的功率耗散為?! ⊥高^這些計(jì)算值,即可完成電源供應(yīng)器開關(guān)緩沖器的設(shè)計(jì),并在應(yīng)用中實(shí)施。本文引用自集合在線前沿論壇
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