西電碩士論文答辯模板-資料下載頁
2025-01-06 12:17本頁面
【正文】 蔽機(jī)殼，那么平面電磁波在自由空間傳播，從而觀測點(diǎn) P處的負(fù)載阻抗為 ，電壓 ，因此電場屏蔽效能為： (28) ????????????????????????)](s i n [)/()](c o s [)](t a n [)/(1)](t a n [22trpkZZjtrpkVVtrpkZZjtrpkjZZZggtrgtrggtrggtr)](ta n [3 pcKjZZ gg ??)/( 3232 ZZZVV p ??pppe VVVVS2lg20/39。lg200??0Z 2/39。 0VV p ?西安電子科技大學(xué) 加裝印刷電路板含矩形孔陣矩形機(jī)殼屏蔽效能計算結(jié)果及分析 ? 方法驗證及比較 ? 電場極化方向?qū)ζ帘涡艿挠绊? ? 矩形孔縫大小對屏蔽效能的影響 ? 屏蔽體厚度對屏蔽效能的影響 ? 相同面積的矩形孔縫，長寬比 l/w對屏蔽效能的影響 ? 相同面積的單孔與孔陣對屏蔽效能的影響 西安電子科技大學(xué) 方法驗證及比較 ? 依據(jù)本文提出的波導(dǎo)等效電路模型，及電場屏蔽效能解析表達(dá)式（ 28），編程計算屏蔽效能是本文方法。 XFDTD仿真意味著基于相同模型和參數(shù)，采用通用專業(yè)軟件 XFDTD的仿真結(jié)果。圖 16表示觀測點(diǎn)處，采用本文方法和 XFDTD仿真的電場屏蔽效能。從圖 16可以看出，本文方法與 XFDTD仿真結(jié)果良好吻合?？梢姳疚奶岢龅牡刃щ娐纺Ｐ图半妶銎帘涡芙馕霰磉_(dá)式是有效的。 圖 16 不同方法屏蔽效能的比較 西安電子科技大學(xué) 電場極化方向?qū)ζ帘涡艿挠绊? ? 圖 17表示入射波電場極化方向與屏蔽效能的關(guān)系。這里取電場強(qiáng)度與孔縫寬度 w之間的夾角為 ， 電場極化方向與孔陣長度方向平行（ ）時的機(jī)殼屏蔽效能，同電場極化方向與孔陣長度方向垂直（ ）時的機(jī)殼屏蔽效能比較，前者顯著優(yōu)于后者。 圖 17 極化方向與屏蔽效能的關(guān)系曲線 ???90???0?西安電子科技大學(xué) 矩形孔縫大小對屏蔽效能的影響 ? 相同的屏蔽體上分別開 3個 和 的矩形孔陣，在腔體中心處計算的電屏蔽效能曲線如下圖所示。圖 18表示不同孔徑大小與屏蔽效能的關(guān)系。結(jié)果顯示出： 孔縫越大，耦合進(jìn)入系統(tǒng)的能量越多，在相同頻率下屏蔽效能越低；同時共振區(qū)域變寬。 圖 18 不同孔縫大小的屏蔽效能比較 mmmm 10160 ? mmmm 5100 ?西安電子科技大學(xué) 屏蔽體厚度對屏蔽效能的影響 ? 大小相同，屏蔽體厚度 h分別為 2mm、 1mm和，在腔體中心處計算的電屏蔽效能曲線如右圖所示。圖19描繪不同厚度矩形金屬機(jī)殼的屏蔽效能比較。從圖 19中可以看出， 屏蔽體壁越厚，透射進(jìn)屏蔽體內(nèi)的電磁能量越少，屏蔽效能就越高。 圖 19 不同厚度屏蔽體的屏蔽效能比較 西安電子科技大學(xué) 相同面積的矩形孔縫，長寬比 l/w對屏蔽效能的影響 ? 相同的屏蔽體上分別開有面積同為 1600mm的矩形孔，長寬比 l/w分別等于 4以及 16的三種取值。在腔體中心處計算的電屏蔽效能曲線如右圖所示。通過圖 20可以看出，對于面積相同的矩形孔縫，隨著長寬比l/w的增大，除少數(shù)點(diǎn)外，屏蔽效能是成減小趨勢。 當(dāng)長寬比l/w=1，即孔縫為正方形時，中心處的屏蔽效能最大，也就是耦合進(jìn)屏蔽體的電場強(qiáng)度較小 。所以， 對于矩形孔縫，我們一般采取正方形孔縫代替矩形孔縫，以減少外部電磁波對內(nèi)部的影響 圖 20 相同面積，不同長寬比 l/w的屏蔽效能比較 西安電子科技大學(xué) 相同面積的單孔與孔陣對屏蔽效能的影響 ? 在裝有 PCB矩形腔體的表面上分別開有面積相同的正方形孔陣和單孔， 4個邊長為 20mm的正方形孔陣與邊長為 40mm的正方形單孔的面積相等，在腔體中心處計算的電屏蔽效能曲線如右圖所示。圖 21的計算結(jié)果顯示出： 相同面積的孔陣比單孔的屏蔽效能要高，可見在相同面積條件下，孔陣的屏蔽效果比單孔要好，所以，對于通風(fēng)孔我們一般采取孔陣。 圖 21 相同面積孔陣與單孔的屏蔽效能比較 西安電子科技大學(xué) 結(jié)論 ? 電場極化方向與孔陣長度方向平行，同電場極化方向與孔陣長度方向垂直比較，前者屏蔽效能顯著優(yōu)于后者； ? 孔縫越大，耦合進(jìn)入系統(tǒng)的能量越多，在相同頻率下屏蔽效能越低，同時共振區(qū)域變寬； ? 屏蔽體壁越厚，透射進(jìn)屏蔽體內(nèi)的電磁能量越少，屏蔽效能就越高； ? 對于面積相同的矩形孔縫，隨著長寬比 l/w的增大，除少數(shù)點(diǎn)外，屏蔽效能是成減小趨勢。當(dāng)長寬比 l/w=1，即孔縫為正方形時，中心處的屏蔽效能最大，也就是耦合進(jìn)屏蔽體的電場強(qiáng)度較小，所以，對于矩形孔縫，我們一般采取正方形孔縫代替矩形孔縫，以減少外部電磁波對內(nèi)部的影響； ? 相同面積的孔陣比單孔的屏蔽效能要高，可見在相同面積條件下，孔陣的屏蔽效果比單孔要好，所以，對于通風(fēng)孔我們一般采取孔陣。 西安電子科技大學(xué) 結(jié)束語 ? 雖然本文運(yùn)用傳輸線法對含孔陣矩形機(jī)殼的屏蔽效能進(jìn)行了系統(tǒng)深入的分析，完成了相關(guān)課題的研究，但是還有一些問題有待進(jìn)一步研究。本文主要分析了孔陣位于中心位置的情況，即分析計算時僅考慮第一個 TE10主模，但對于孔陣偏離中心位置的情況，分析計算時還需要考慮高次模。 西安電子科技大學(xué) 感謝各位老師聽取我的答辯報告并提出寶貴意見！ 西安電子科技大學(xué) 西安電子科技大學(xué)
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