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材料科學(xué)基礎(chǔ)教程及習(xí)題上海交通大學(xué)-資料下載頁

2025-01-06 03:14本頁面
  

【正文】 12 圖 球晶結(jié)構(gòu)的詳細(xì)示意圖 圖 球晶生長過程示意圖 圖 串晶的結(jié)構(gòu)示意圖 聚合物晶態(tài)結(jié)構(gòu)的模型 1)櫻狀微束模型 2)折疊鏈模型 3)伸直鏈模型 4)串晶的結(jié)構(gòu)模型 5)球晶的結(jié)構(gòu)模型 6)Hosemann 模型 圖 半結(jié)晶高分子的櫻狀微束模型示意圖 圖 Keller 近鄰規(guī)則折疊鏈結(jié)構(gòu)模型 上海交通大學(xué) 材料科學(xué)基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)課程 整理 13 霍斯曼模型 非晶態(tài)結(jié)構(gòu) 晶體結(jié)構(gòu)的基本特征是原子在三維空間呈周期性排列,即存在長程有序;而非晶體中的原子排列卻無長程有序的特點(diǎn)。非晶態(tài)物質(zhì)包括玻璃、凝膠、非晶態(tài)金屬和合金、非晶態(tài)半導(dǎo)體、無定型碳及某些聚合物等。 玻璃包括非晶態(tài)金屬和合金(也稱金屬玻璃),實(shí)際上是從一種過冷狀態(tài)液體中得到的。金屬材料由于其晶體結(jié)構(gòu)比較簡單,且熔融時(shí)的粘度小,冷卻時(shí)很難阻止結(jié)晶過程的發(fā)生,故固態(tài)下的金屬大多為晶體;但如果冷速很 快時(shí),能阻止某些合金的結(jié)晶過程,此時(shí),過冷液態(tài)的原子排列方式保留至固態(tài),原子在三維空間則不呈周期性的規(guī)則排列。隨著現(xiàn)代材料制備技術(shù)的發(fā)展,蒸鍍、濺射、激光、溶膠凝膠法和化學(xué)鍍法也可以獲得玻璃相和非晶薄膜材料。 陶瓷材料晶體 般比較復(fù)雜。盡管大多數(shù)陶瓷材料可進(jìn)行結(jié)晶,但也有一些是非晶體,這主要是指玻璃和硅酸鹽結(jié)構(gòu)。 高聚物也有晶態(tài)和非晶態(tài)之分。大多數(shù)聚合物容易得到非晶結(jié)構(gòu),結(jié)晶只起次要作用。 圖 聚合物的幾種非晶結(jié)構(gòu)模型 本章重點(diǎn)復(fù)習(xí) 內(nèi)容提要: 可分為晶體和非晶體兩大類。 晶體的性能是與內(nèi)部結(jié)構(gòu)密切相關(guān)的。 為了便于了解晶體結(jié)構(gòu),首先引入一個(gè)“空間點(diǎn)陣”的概念。根據(jù)“每個(gè)陣點(diǎn)的周圍環(huán)境相同”和六個(gè)點(diǎn)陣參數(shù)間的相互關(guān)系,可將晶體分為 7 個(gè)晶系, 14 種布拉菲點(diǎn)陣。晶胞是能反映點(diǎn)陣對(duì)稱性、具有代表性的基本單元(最小平行六面體),其不同方向的晶向和晶面可用密勒指數(shù)加以標(biāo)注,并可采 用極射投影方法來分析晶面和晶向的相對(duì)位向關(guān)系。 在晶體結(jié)構(gòu)中,最常見的是面心立方 (fcc)、體心立方( bcc)和密排六方 (hcp)三種典型結(jié)構(gòu),其中 fcc 和 hcp 系密排結(jié)構(gòu),具有最高的致密度和配位數(shù)。這三種典型結(jié)構(gòu)的晶胞分別含有 6 個(gè)原子。利用剛球模型可以算出晶體結(jié)構(gòu)中的間隙, 14 以及點(diǎn)陣常數(shù)與原子半徑之間的關(guān)系。 金屬晶體的結(jié)合鍵是金屬鍵,故往往構(gòu)成具有高度對(duì)稱性的簡單晶體結(jié)構(gòu),如 fcc、 bcc 和 hcp 等。但是,工業(yè)上廣泛使用的金屬材料絕大多數(shù)是合金。由于合金元素的加入,使形成的合金相結(jié) 構(gòu)變得復(fù)雜。合金組元之間的相互作用及其所形成的合金相的性質(zhì)主要是由它們各自的電化學(xué)因素、原子尺寸因素和電子濃度三個(gè)因素控制的。合金相基本上可分為固溶體和中間相兩大類。 固溶體保持溶劑的晶體結(jié)構(gòu)類型。根據(jù)溶質(zhì)在固溶體點(diǎn)陣中的位置可分為置換固溶體和間隙固溶體;按固溶度則分為有限固溶體和無限固溶體;而按溶質(zhì)在固溶體中的排布則分為無序固溶體和有序固溶體;若按溶劑分類則有第一類固溶體和第二類固溶體之分。 中間相的晶體結(jié)構(gòu)不同于其組元的結(jié)構(gòu),它通??捎没衔锏幕瘜W(xué)分子式表示。中間相根據(jù)其主導(dǎo)影響因素可分 為正常價(jià)化合物,電子化合物,間隙相與間隙化合物,拓?fù)涿芏严嗟取? 離子晶體是以正負(fù)離子為結(jié)合單元的,其結(jié)合鍵為離子鍵。 Pauling 在實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)上,用離子鍵理論,歸納總結(jié)出離子晶體的如下結(jié)構(gòu)規(guī)則:負(fù)離子配位多面體規(guī)則、電價(jià)規(guī)則、負(fù)離子多面體共用頂、棱和面的規(guī)則,不同種類正離子配位多面體間連接規(guī)則和節(jié)約規(guī)則等。它們?cè)诜治?、理解晶體結(jié)構(gòu)時(shí)簡單明瞭,突出了結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。 典型的離子晶體結(jié)構(gòu)是 NaCl 型,自然界有幾百種化合物都屬于此種結(jié)構(gòu)。它屬于立方晶系, Fm3m 空間群,可以看成分別由 Na+和 CL構(gòu)成兩個(gè) fcc 結(jié)構(gòu)相互在棱邊上穿插而成。 在無機(jī)非金屬材料中,硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)尤其復(fù)雜,有孤島狀、組群狀、鏈狀、層狀和骨架狀結(jié)構(gòu)等。但它們有一個(gè)共同特點(diǎn),即均具有 [SiO4]4四面體,并遵循由此導(dǎo)出的硅酸鹽結(jié)構(gòu)定律。 共價(jià)晶體是以共價(jià)鍵結(jié)合。共價(jià)晶體的共同特點(diǎn)是配位數(shù)服從 8N 法則( N 為原子的價(jià)電子數(shù))。 最典型的共價(jià)晶體結(jié)構(gòu)是金剛石結(jié)構(gòu)。它屬于復(fù)雜的 fcc 結(jié)構(gòu),可視為兩個(gè) fcc 晶胞沿體對(duì)角線相對(duì)位移 1/4 距離穿插而成。 結(jié)合物晶態(tài)結(jié)構(gòu)是其聚集態(tài)結(jié)構(gòu)(三次結(jié)構(gòu))中的一大類。由于大分子 結(jié)構(gòu)的緣故,聚合物的結(jié)晶是分子結(jié)晶,一個(gè)大分子可以貫穿若干個(gè)晶胞,結(jié)晶速度慢且存在結(jié)晶不完整性。 聚合物的晶態(tài)多種多樣,主要由單晶、片晶、球晶、樹枝狀晶、孿晶和串晶等。由于聚合物的晶態(tài)結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜,可用纓狀微束模型、折疊鏈模型、伸直鏈模型、串晶或球晶結(jié)構(gòu)模型以及 Hosemann 模型來加以描述。 固態(tài)物質(zhì)中除各種晶體外,另一大類稱為非晶體。由于非晶態(tài)物質(zhì)內(nèi)的原子排列在三維空間不具有長程有序和周期性,故決定了它在性質(zhì)上是各向同性的,且沒有固定的熔點(diǎn)(對(duì)玻璃而言,存在一個(gè)玻璃轉(zhuǎn)變溫度)。但是應(yīng)注意 固態(tài)物質(zhì)雖有晶體和非晶體之分,然在一定條件下,兩者是可以相互轉(zhuǎn)換的。 重點(diǎn)與難點(diǎn) 1. 選取晶胞的原則; 2. 7 個(gè)晶系, 14 種布拉菲空間點(diǎn)陣的特征; 3. 晶向指數(shù)與晶面指數(shù)的標(biāo)注; 4. 晶面間距的確定與計(jì)算; 5. 晶體的對(duì)稱元素與 32 種點(diǎn)陣; 6. 極射投影與 Wulff 網(wǎng); 7. 三種典型金屬晶體結(jié)構(gòu)的晶體學(xué)特點(diǎn); 8. 晶體中的原子堆垛方式和間隙; 9. 固溶體的分類及其結(jié)構(gòu)特點(diǎn); 10. 影響固溶體固溶度的因素; 11. 超結(jié)構(gòu)的類型和影響有序化的因素; 12. 中間相的分類及其結(jié)構(gòu)特點(diǎn); 13. 離子晶體的結(jié)構(gòu)規(guī)則; 14. NaCl 型、 A2B2 型和硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn); 上海交通大學(xué) 材料科學(xué)基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)課程 整理 15 15. 金剛石型共價(jià)晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn); 16. 聚合物晶態(tài)結(jié)構(gòu)模型,晶體形態(tài)及其結(jié)構(gòu)特點(diǎn); 17. 非晶態(tài)結(jié)構(gòu)及其性能與晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)別。 重要概念與名詞 晶體,非晶體; 晶體結(jié)構(gòu),空間點(diǎn)陣,陣點(diǎn),晶胞, 7 個(gè)晶系, 14 種布拉菲點(diǎn)陣; 宏觀對(duì)稱元素,微觀對(duì)稱元素,點(diǎn)群,空間群; 極射投影,極點(diǎn),吳氏網(wǎng),標(biāo)準(zhǔn)投影; 晶向指數(shù),晶面指數(shù),晶向族,晶面族,晶帶軸,共價(jià)面,晶面間距; 面心立方,體心立方,密排立方,多晶型性,同素異構(gòu)體; 點(diǎn)陣常數(shù),晶胞原子數(shù),配位數(shù),致密度,四面體間隙,八面體間隙; 合金,相,固溶體,中間相,短程有序參數(shù) a ,長程有序參數(shù) S ; 置換固溶體,間隙固溶體,有限固溶體,無限固溶體,無序固溶體,有序固溶體; 正常價(jià)化合物,電子化合物,電子濃度,間隙相,間隙化合物,拓?fù)涿芏严啵? 離子晶體, NaCl 型結(jié)構(gòu),閃鋅礦型結(jié)構(gòu),纖鋅礦型結(jié)構(gòu),硅酸鹽 [SiO 4 ] 4 四面體; 共價(jià)晶體,金剛石結(jié)構(gòu); 聚集態(tài)結(jié)構(gòu),球晶, 纓狀微束模型,折疊鏈模型,伸直鏈模型; 玻璃,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度 [ U V W ] 與 [ u v t w ] 之間的互換關(guān)系: 晶帶定律: 立方晶系晶面間距計(jì)算公式 : 六方晶系晶 面間距計(jì)算公式: 電子濃度計(jì)算公式: 第 3 章 晶體缺陷 在實(shí) 際晶體中,由于原子(或離子、分子)的熱運(yùn)動(dòng),以及晶體的形成條件、冷熱加工過程和其他輻射、雜質(zhì)等因素的影響,實(shí)際晶體中原子的排列不可能那樣規(guī)則、完整,常存在各種偏離理想結(jié)構(gòu)的情況,即晶體缺陷。晶體缺陷對(duì)晶體的性能,特別是對(duì)那些結(jié)構(gòu)敏感的性能,如屈服強(qiáng)度、斷裂強(qiáng)度、塑性、電阻率、磁導(dǎo)率等有很大影響。另外晶體缺陷還與擴(kuò)散、相變、塑性變形、再結(jié)晶、氧化、燒結(jié)等有密切關(guān)系。因此,研究晶體缺陷具有重要的理論與實(shí)際意義。 點(diǎn)缺陷 點(diǎn)缺陷是最簡單的晶體缺陷,它是在結(jié)點(diǎn)上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結(jié)構(gòu)的正常排 列的一種缺陷。晶體點(diǎn)缺陷包括空位、間隙原子、雜質(zhì)或溶質(zhì)原子,以及由它們組成的復(fù)雜點(diǎn)缺陷,如空位對(duì)、空位團(tuán)和空位 溶質(zhì)原子對(duì)等。 16 點(diǎn)缺陷的形成 在晶體中,位于點(diǎn)陣結(jié)點(diǎn)上的原子并非靜止的,而是以其平衡位置為中心作熱振動(dòng)。原子的振動(dòng)能是按幾率分布,有起伏漲落的。當(dāng)某一原子具有足夠大的振動(dòng)能而使振幅增大到一定限度時(shí),就可能克服周圍原子對(duì)它的制約作用,跳離其原來的位置,使點(diǎn)陣中形成空結(jié)點(diǎn),稱為空位。離開平衡位置的原子有三個(gè)去處:一是遷移到晶體表面或內(nèi)表面的正常結(jié)點(diǎn)位置上,而使晶體內(nèi)部留下空位,稱為肖脫基( Schottky)空位;二是擠人點(diǎn)陣的間隙位置,而在晶體中同時(shí)形成數(shù)目相等的空位和間隙原子,則稱為弗蘭克爾( Frenkel)缺陷;三是跑到其他空位中,使空位消失或使空位移位。另外,在一定條件下,晶體表面上的原子也可能跑到晶體內(nèi)部的間隙位置形成間隙原子,如圖 所演示。 圖 晶體中的點(diǎn)缺陷 對(duì)于高分子晶體除了上述的空位、間隙原子和雜質(zhì)原子等點(diǎn)缺陷外,還有其特有的點(diǎn)缺陷。 點(diǎn)缺陷的平衡濃度 晶體中點(diǎn)缺陷的存在一方面造成點(diǎn)陣畸變,使晶體的內(nèi)能升高,降低了晶體的熱力學(xué)穩(wěn)定性,另一方面由于增大了原 子排列的混亂程度,并改變了其周圍原子的振動(dòng)頻率,引起組態(tài)熵和振動(dòng)熵的改變,使晶體熵值增大,增加了晶體的熱力學(xué)穩(wěn)定性。這兩個(gè)相互矛盾的因素使得晶體中的點(diǎn)缺陷在一定的溫度下有一定的平衡濃度。 空位在 T 溫度時(shí)的平衡濃度為: C=Aexp(NAEv/kNAT)=Aexp(Qf/RT) 式中 Qf=NAEv為形成 1 摩爾空位所需作的功,單位為 J/mol; R=kN 為氣體常數(shù) () 間隙原子的平衡濃度 C 為 : C′ =n′ /N′ =A′ exp(△ E′ /kT′ ) 式中 N′為晶體中間隙位置總數(shù); n 為間隙原子 數(shù);△ E′ v 為形成一個(gè)間隙原子所需的能量。 在一般的晶體中間隙原子的形成能△ E′ v 較大(約為空位形成能△ Ev 的 3~ 4 倍)。因此,在同一溫度下,晶體中間隙原子的平衡濃度 C 要比空位的平衡濃度 C′低得多。因此,在通常情況下,相對(duì)于空位,間隙原子可以忽略不計(jì);但是在高能粒子輻照后,產(chǎn)生大量的弗蘭克爾缺陷,間隙原子數(shù)就不能忽略了。 點(diǎn)缺陷的運(yùn)動(dòng) 在一定溫度下,晶體中達(dá)到統(tǒng)計(jì)平衡的空位和間隙原子的數(shù)目是一定的,而且晶體中的點(diǎn)缺陷并不是固定不動(dòng)的,而是處于不斷的運(yùn)動(dòng)過程中。在運(yùn)動(dòng)過程中,當(dāng)間隙原子與一個(gè)空位 相遇時(shí),它將落人該空位,而使兩者都消失,這一過程稱為復(fù)合。 晶體中的原子正是由于空位和間隙原子不斷地產(chǎn)生與復(fù)合才不停地由一處向另一處作無規(guī)則的布朗運(yùn)動(dòng),這就是晶體中原子的自擴(kuò)散,是固態(tài)相變、表面化學(xué)熱處理、蠕變、燒結(jié)等物理化學(xué)過程的基礎(chǔ)。 位錯(cuò) 位錯(cuò)的基本類型和特征 從位錯(cuò)的幾何結(jié)構(gòu)來看,可將它們分為兩種基本類型,即刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)。 1.刃型位錯(cuò) 刃型位錯(cuò)的結(jié)構(gòu)如圖 所示 上海交通大學(xué) 材料科學(xué)基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)課程 整理 17 圖 含有刃型位錯(cuò)的晶體結(jié)構(gòu) 刃型位錯(cuò)結(jié)構(gòu)的特點(diǎn): 1).刃型位錯(cuò)有一個(gè)額外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面上邊的稱為正刃型位錯(cuò),記為 ┻ ;而把多 出在下邊的稱為負(fù)刃型位錯(cuò),記為 ┳ 。其實(shí)這種正、負(fù)之分只具相對(duì)意義而無本質(zhì)的區(qū)別。 2).刃型位錯(cuò)線可理解為晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線。它不一定是直線,也可以是折線或曲線,但它必與滑移方向相垂直,也垂直于滑移矢量,如圖 所示。 3).滑移面必定是同時(shí)包含有位錯(cuò)線和滑移矢量的平面,在其他面上不能滑移。由于在刃型位錯(cuò)中,位錯(cuò)線與滑移矢量互相垂直,因此,由它們所構(gòu)成的平面只有一個(gè)。 4).晶體中存在刃型位錯(cuò)之后,位錯(cuò)周圍的點(diǎn)陣發(fā)生彈性畸變,既有切應(yīng)變,又有正應(yīng)變。就正刃型 位錯(cuò)而言,滑移面上方點(diǎn)陣受到壓應(yīng)力,下方點(diǎn)陣受到拉應(yīng)力:負(fù)刃型位錯(cuò)與此相反。 5).在位錯(cuò)線周圍的過渡區(qū)(畸變區(qū))每個(gè)原子具有較大的平均能量。但該區(qū)只有幾個(gè)原子間距寬,畸變區(qū)是狹長的管道,所以刃型位錯(cuò)是線缺陷。 2.螺型位錯(cuò) 螺型位錯(cuò)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可用圖 來加以說明。 螺型位 錯(cuò)具有以下特征: 1).螺型位錯(cuò)無額外半原子面,原子錯(cuò)排是呈軸對(duì)稱的
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