[計(jì)算機(jī)硬件及網(wǎng)絡(luò)]微機(jī)原理與接口技術(shù)第05章xp-資料下載頁(yè)
2024-12-08 02:16本頁(yè)面
【正文】 采用高速 16位總線 ，其速度可高達(dá) 400MHz 可在時(shí)鐘的上升 、 下降沿同時(shí)讀寫(xiě) ， 故理論上 400MHz的總線速度相當(dāng)于 800MHz工作速率 ，其帶寬為： 2 400MHz 2=1600MBps或 GBps） 幾種新型的 RAM DDR SDRAM： 雙數(shù)據(jù)率 在每個(gè)時(shí)鐘的上升 、 下降沿時(shí)均可讀寫(xiě) ， 故速度是普通 SDRAM的雙倍 數(shù)據(jù)帶寬：每秒傳輸?shù)淖畲髷?shù)據(jù)量 。 如 DDR 400， 其系統(tǒng)總線頻率為 200MHz， 則帶寬為：8字節(jié) 200MHz 2=3200MBps 只讀存儲(chǔ)器 （ 1） 掩膜式只讀存儲(chǔ)器 MROM的內(nèi)容是由生產(chǎn)廠家按用戶要求在芯片的生產(chǎn)過(guò)程中寫(xiě)入的 ， 寫(xiě)入后不能修改 。 掩膜 ROM的內(nèi)容 VDD 字線 0 字線 1 字線 2 字線 3 位線 0 位線 1 位線 2 位線 3 A0 A1 字 線 地 址 譯 碼 器 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 單元 D0 D1 D2 D3 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 2 1 0 1 0 3 0 0 0 0 復(fù)合譯碼結(jié)構(gòu)電路 1 2 32 I/O A5 A6 A7 A8 A9 1 2 32 A0 A1 A2 A3 A4 X地址譯碼器 Y 地址譯碼器 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? …… （ 2） EPROM（可擦除可編程 ROM） 頂部開(kāi)有一個(gè)圓形的石英窗口 ， 用于紫外線透過(guò)擦除原有信息 一般使用專門(mén)的編程器 （ 燒寫(xiě)器 ） 進(jìn)行編程 ，編程后 ， 應(yīng)該貼上不透光封條 出廠未編程前 ， 每個(gè)基本存儲(chǔ)單元都是信息 1，編程就是將某些單元寫(xiě)入信息 0 EPROM芯片 2716 存儲(chǔ)容量為 2K 8 24個(gè) 引腳： 11根地址線 A10～ A0 8根數(shù)據(jù)線 DO7～ DO0 片選 /編程 CE*/PGM 讀寫(xiě) OE* 編程電壓 VPP 功能 VDD A8 A9 VPP OE* A10 CE*/PGM DO7 DO6 DO5 DO4 DO3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 DO0 DO1 DO2 Vss （ 3） EEPROM（電可擦除可編程 ROM） 用加電方法 ， 進(jìn)行在線 （ 無(wú)需拔下 ， 直接在電路中 ） 擦寫(xiě) （ 擦除和編程一次完成 ） 有字節(jié)擦寫(xiě) 、 塊擦寫(xiě)和整片擦寫(xiě)方法 并行 EEPROM：多位同時(shí)進(jìn)行 串行 EEPROM：只有一位數(shù)據(jù)線 （ 4） Flash ROM：閃存 Flash：閃存 與 EEPROM的區(qū)別：容量大 與 RAM的區(qū)別：壽命較短 ， 編程較慢 發(fā)展速度驚人 ， 目前單片容量已達(dá)幾 Gb 廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)技術(shù)的各個(gè)領(lǐng)域 第 5章教學(xué)要求 1. 了解各類半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的應(yīng)用特點(diǎn)； 2. 熟悉半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的結(jié)構(gòu)； 3. 理解 SRAM讀寫(xiě)原理 4. 掌握存儲(chǔ)芯片與 CPU連接的方法 ， 特別是片選端的處理；
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