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2025-10-10 11:21本頁面
【正文】 PushPull topology analysis 假若電路在理想工作狀態(tài)下 , 二極管壓降忽略，變壓器為理想變壓器，電感 L釋放的能量和儲(chǔ)存的能量相同 ,根據(jù)伏特 秒原理 ,故有 : (Vin*W3/W2Vo) *ton2 =Vo*ts2(2) 因 W3=W4,W1=W2, ton1=ton2,ts1=ts2， D= (ton1+ton2)/T 將（ 1）式 +（ 2）式，則有： Vo=Vin*D*W4/W1 若兩組 MOSFET同時(shí)導(dǎo)通 ,就相當(dāng)于變壓器一次側(cè)線圈短路 .為避免兩組 MOSFET同時(shí)導(dǎo)通而造成短路損壞，每組 MOSFET的 DUTY不應(yīng)超過 50%，且留有裕量 . 三、電路的傳輸特性 (斷續(xù)模式 ) 對于斷續(xù)模式，電路在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)相繼經(jīng)歷六個(gè)時(shí)段，其分別為 : MOSFET Q1導(dǎo)通時(shí)段 (ton1), 二次側(cè)線圈 W4上產(chǎn)生的電能經(jīng) D2,濾波電容 C和 R LOAD再對電感 L充電，電感 L電流增長 . MOSFET Q1進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài) ， MOSFET Q2仍處于截止，線圈 W1中的電流為零 ,變壓器次級線圈上的電壓也相應(yīng)為零 .電感 L通過二極管 D1,D2續(xù)流時(shí)段（ ts1),并降到為零 . MOSFET Q1， Q2仍處于截止?fàn)顟B(tài) ，電感電流保持為零時(shí)段（ ts2)，此時(shí) ,電容 C向 R LOAD充電 . PushPull topology analysis MOSFET Q2導(dǎo)通時(shí)段 (ton2), 二次側(cè)線圈W3上產(chǎn)生的電能經(jīng) D1，濾波電容 C和 R LOAD再對電感 L充電，電感 L電流增長。 MOSFET Q1處于截止?fàn)顟B(tài) ， MOSFET Q2進(jìn)入截止時(shí)，電感 L通過二極管 D1,D2續(xù)流時(shí)段（ ts3),并降到為零 . MOSFET Q1， Q2仍處于截止?fàn)顟B(tài) ，電感電流保持為零時(shí)段（ ts4)，此時(shí) ,電容 C向 R LOAD充電 ,并等待下一個(gè)周期導(dǎo)通 .故電路在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi) : T=ton1+ton2+ts1+ts2+ts3+ts4, D= (ton1+ton2)/T. 因此 ,電路處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界條件為 : ts2=0,ts4=0. 即 :ts=ts1+ts3=(1D)*T. 在所有 MOSFET均處于截止時(shí)期，電感電流正好下降為零。 2Vints3 ts4tVinton2iD1toff=ton2+ts1 +ts2+ts3+ts4tts1VQ1iQ12Vints2iLtViniLiLiLtVQ2ViniL/2iL/2Q1DISCONTINUE C URRENT MODEtiQ2VintiL/2tton1iL/2tiD2Q2t2Vin
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