sic材料的特性及應用-資料下載頁
2025-10-07 16:43本頁面
【正文】 超低漏電流器件 晶格失配低 GaN、 AlN的最理想的襯底材料 SiC器件的應用領域： 高壓大功率開關二極管，可控硅 電力電子器件 IC高密度封裝 空間應用的大功率器件 高擊穿電場 高的熱導率 良好散熱的大功率器件 高的器件集成度 SiC材料的制備方法 Ⅰ .SiC Substrate Crystal Growth 無論 Lely法還是改良的 Lely法生長的單晶幾乎都是六方結構的 4H、 6HSiC，而立方 SiC中載流子遷移率較高，更適合于研制微電子器件，但至今尚無商用的 3CSiC體單晶，另外， SiC體單晶在高溫下 (2200176。 C)生長，摻雜難于控制，晶體中存在缺陷，特別是微管道缺陷無法消除，并且 SiC體單晶非常昂貴，于是發(fā)展了多種外延 SiC的方法。 SiC材料的制備方法 Ⅱ .SiC Thin Film Epitaxy SiC外延的方法主要有：磁控濺射法 (sputting)、激光燒結法 (Laser ablation)、升華法 (sublimation epitaxy)、液相外延法 (LPE)、化學氣相沉積 (CVD)和分子束外延法 (MBE)等。 小結 SiC是非常有潛力的材料，它所具有的卓越性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件的優(yōu)選材料。 目前 SiC研究領域也已取得了可喜的成績，展現出了美好的應用前景，但仍有一些重大技術難點有待克服，其中最重要的繼續(xù)改善晶體生長工藝、降低成本、提高材料質量、減少缺陷密度和改善上層摻雜以及獲得厚度可控的大面積晶片。 謝謝大家！
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