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正文內(nèi)容

gsm手機(jī)射頻工作原理與電路分析-資料下載頁

2024-10-16 16:10本頁面
  

【正文】 有時,我們還使用扼流磁珠來獲得更強(qiáng)的隔離效果。 去耦電容由 C C2并聯(lián)分別承擔(dān)低頻、高頻交流成分濾波的任務(wù)。 電解電容 C1一般容量較大在低頻時能提供好的通路,而在高頻時由于其 寄生電感 的存在阻抗將變大無法提供濾波通路; 陶瓷電容 C2由于其容量一般較小,所以在低頻時阻抗較大無法提供濾波通路,而在高頻時阻抗變小則會有很好的濾波特性; 這樣可以看出 C C2的濾波特性是 互補(bǔ) 的,需要 同時 利用才能得到較寬頻的有效濾波范圍。 當(dāng)然,如果需要更寬的濾波頻段還可用更多不同 類型的電容并聯(lián)得到。 詳見 《高速電路板設(shè)計(jì)技術(shù)》 2021/11/10 RF DBTEL 48 電源濾波去耦網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用 2021/11/10 RF DBTEL 49 電源去耦電路參數(shù)的選擇 C1的選擇: 假設(shè)電源提供電流為 I, 則 K取 10是經(jīng)驗(yàn)比例 一般應(yīng)用時取電容標(biāo)稱值在計(jì)算值附近就可以了 C2的選擇: C2位高頻陶瓷電容,一般在 tr U Burst UtIKC r??1返回 2021/11/10 RF DBTEL 50 其它 上拉、下拉電阻 數(shù)字控制信號的高頻抑制措施 隔直( Block) 電容 2021/11/10 RF DBTEL 51 上拉、下拉電阻 上、下拉電阻是為了防止擾動引入輸入端,保持開關(guān)狀態(tài)的穩(wěn)定性而設(shè)置的: 上拉電阻 RH( Pull High) 下拉電阻 RL( Pull Low) 常 開 常 閉 I/P I/P I/P I/P O/P O/P O/P O/P RH RHRL RL VCC VCC VCC VCC 返回 2021/11/10 RF DBTEL 52 數(shù)字控制信號的高頻抑制措施 射頻電路需要由 CPU的控制才能有效工作,可是一般數(shù)字開關(guān)信號都帶有很復(fù)雜的頻率成分,這對于射頻電路的穩(wěn)定性能是一個很大的威脅。 因此我們在控制信號到射頻電路的回路中加上抑制高頻干擾的電阻 R, 它可以有效的減緩數(shù)字信號的上升、下降沿坡度即減少高頻成分。 CPU RF R Control Signal 返回 2021/11/10 RF DBTEL 53 隔直( Block) 電容 對于交流信號處理電路特別是信號放大電路一般不希望連同直流成分同時引入,因?yàn)橹绷髌玫拇嬖诤苋菀资沟梅糯箅娐诽幱陲柡蜖顟B(tài),這樣交流信號會被淹沒不可能通過有效的放大處理單元,為此我們通常在處理電路輸入端串聯(lián)適當(dāng)容量的隔直( Block) 電容可以有效解決這個問題。因?yàn)殡娙莸奶匦允撬鼘σ欢l率以下特別是直流信號是阻滯開路( Block) 的,而對交流信號則形成通路的。至于電容量的大小取決于帶處理交流信號的頻率。 放大處理電路 Signal Block DC Offset 0 返回 2021/11/10 RF DBTEL 54 Reference 《射頻鎖相環(huán) 》 《分頻器》 《高速電路板設(shè)計(jì)技術(shù)》 Data Sheet: UAA353 TXVCO、 RXVCO、 PABGY280、PCF507 LMC3307A0524A、 lc03c 、lc66e、 LDC10B140J1747 返回
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