手機外圍電路詳細介紹-資料下載頁
2025-05-15 01:18本頁面
【正文】 頻率可以調(diào)整為為 2K或者 20K。 馬達電路 ? PWM2_VIB_EN經(jīng)過 PMIC轉(zhuǎn)換后變成馬達的驅(qū)動信號 VIB_DRV， R409為限流電阻，馬達可以和鍵盤燈通過調(diào)整限流電阻 R或者調(diào)整占空比調(diào)整背光亮度一樣調(diào)整馬達的震感。馬達電路上的二極管 D403是由于馬達為線圈，運作時會產(chǎn)生反向電動勢，若無二極管反向電動勢無法消耗，會影響馬達的壽命，二極管可以在馬達停震后把反向電動勢消耗掉而保護線圈。 充電電路 VCHG VCHG PMIC CHG_EN BB CHG_EIN ADC0 ADC Battery 100K 100K 100K 100K R ISENSE G S D ? VCHG_USB_PWR為 5V，當(dāng)充電器插入后， BB芯片中斷讀取 ADC3_VCHG電壓，若插入的電壓大于 ，通過 CHRIN信號偵測后斷開。 ? 充電器插入后， EINT2_CHARGER使能信號到 BB，在把 CHG_EN設(shè)為高，通過GATEDRV控制 PMOFET來控制充電點流。 MOS 管控 制性 VGS= VGS= VGS= I VGS不同，通過 MOS管的電流也不同，然后通過二極管（ ），通過計算(ADC0ADC)/R=I 。二極管的主要作用為不插充電器的時候防止 Battery反灌回 BB。 ? 預(yù)充時未開機， CHG_EN為低， VGS=0V， MOS管截至， VCHG通過 ISENSE信號充電，電流計算為 ，當(dāng)電池電壓高于 ， LDO偵測后 BB啟動，再由 CHG_EN輸出高電平。 GATEDRV信號開始為 5V電壓，當(dāng)開始充電的時候被拉低至 ，并再附近動蕩，控制 PMOSFET保持充電的電壓的穩(wěn)定。 ? 恒流充電時要保證 ISENSE處電壓為 160mV，若過大則提高 GD電壓，電壓小后再降低GD電壓。 ? 恒壓充電時 BB芯片完全關(guān)閉對電池電壓的偵測和充電的管理了，由軟件負(fù)責(zé)充電，直至把電池充滿。 ? 當(dāng)對 ADC進行校準(zhǔn)時，先設(shè)置 Battery電壓為 ，得 ADC1為 ，若測的電壓為，則調(diào)整 Offset的值，直至測試 OK為止。 ? 當(dāng) I/O口插入充電器和 USB后， CHG_USB_PWR=5V，插入后 BB中斷，然后再偵測ADC4_USB電壓，若為充電器，則此信號腳懸空，打開 VUSB ，則ADC4_USB=*470K/(100K+470K)為高電平。 ? 若接入的為 USB線，則由于電腦接口處有一個 15K的電阻，和 R309 470K并聯(lián)后再和R308 100K串聯(lián)分壓為低電平，通過判斷電壓大小即可判斷為何種接入了。 RTCamp。CAMERA GB401為后備電池， R406為限流電阻，后背電池電壓為 。 CAM_VSYNC為同步信號， CAM_HREF為一行一列的同步信號， CAM_XCLK為 BB給CAM的 13MHZ晶振信號， CAM_PCLK為 CAN給 BB的 。 BLUETOOTH BT芯片為 MTK6601芯片組。 BT晶振信號為 32MHZ，休眠狀態(tài)切換使用 的晶振信號。 Touch panel 觸屏中斷，平時 X平面與 Y平面沒有接觸，中斷被 100K上拉為高電平，當(dāng)點擊觸摸屏?xí)r， X平面與 Y平面接觸上， VDD， 100K電阻與 X部分阻抗， Y部分阻抗和地構(gòu)成回路，由于 X部分和 Y部分阻抗只有幾百歐姆，這樣中斷就會變低 測量 X坐標(biāo)， Rtouch表示 X平面阻抗與 Y平面阻抗接觸點，給 X+， X加電。從 Y+出測量分壓，可知道 X+到接觸點的阻抗，相應(yīng)可獲得接觸點的X座標(biāo) 測量 Y坐標(biāo)， Rtouch表示 X平面阻抗與 Y平面阻抗接觸點，給 Y+， Y加電。從 X+出測量分壓，可知道 Y+到接觸點的阻抗，相應(yīng)可獲得接觸點的 Y座標(biāo) 測量接觸阻抗 (對應(yīng)點擊力度 ) ， Rtouch表示 X平面阻抗與 Y平面阻抗接觸，給Y+， X加電。從 Y 出測量分壓，由于 Y+到接觸點阻抗和 X到接觸點阻抗已經(jīng)知道，這樣推出 Rtouch的阻值。 Rtouch越小表示點擊力度越大
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1