手機(jī)外圍電路詳細(xì)介紹(已修改)
2025-05-31 01:18 本頁面
【正文】 MTK電路原理分析 ? MTK使用的是 6229的 BB芯片， Transeiver使用的是 MT6140， PA為 3159芯片。 ? 6229和 6230的區(qū)別為 CAMERA的支持像數(shù)， 6229支持 200萬像數(shù)， 6230只支持 30萬像數(shù)。 ? 6229和 6226， 6225等 BB芯片的區(qū)別為 6229內(nèi)部多了一個(gè) DSP用于支持EDGE，并且 6229的主頻為 104MHZ，相對(duì)于傳統(tǒng)的 BB芯片 52MHZ的主頻處理速度快了許多，所以 6229不僅可以支持 OTG,TVOUT,并且還支持 WIFI。 ? OTG只支持 ， OTG的數(shù)據(jù)線規(guī)范要求不能大于 20CM，如果過長(zhǎng)會(huì)對(duì)信號(hào)有較大的衰減和反射。 ? 6229也使用的是 。 RTC（實(shí)時(shí)時(shí)鐘）晶振，用 32768是 2的 15次冪，可以很方便的分頻，很精確的得到一秒的計(jì)時(shí)。所有的 RTC晶振一般都是 頻。在手機(jī)電路中還有一主時(shí)鐘，一般為 13MHz或是其倍頻。之所以選用13M這樣的時(shí)鐘是為了與基站同步。 ? MTK和其他機(jī)種使用的 FLASH也是不同的。 MTK采用混合儲(chǔ)存器的方式不同于以往的 NOR+NAND存儲(chǔ)器方式。 ? NOR＋ NAND存儲(chǔ)器采用 NOR來存儲(chǔ) BIOS代碼，采用 NAND存儲(chǔ)代碼 (操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件 )和數(shù)據(jù)，易失性 RAM被用來存儲(chǔ)執(zhí)行代碼時(shí)的變量和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種存儲(chǔ)器解決方案采用代碼映射或請(qǐng)求調(diào)頁來執(zhí)行存儲(chǔ)在 NAND中的操作系統(tǒng)和應(yīng)用軟件。 ? 混合存儲(chǔ)器采用 SRAM和 NAND，采用 NAND作為非易失性存儲(chǔ)器，所以這類解決方案的存儲(chǔ)密度能做得很高。這些解決方案可以直接從NAND引導(dǎo)，不再需要高端蜂窩手機(jī)中昂貴的引導(dǎo) NOR，因此可降低總系統(tǒng)成本。它們還可以減少元器件數(shù)量，節(jié)省了電路板空間。但是，這些混合解決方案的引導(dǎo)時(shí)間較長(zhǎng)、復(fù)雜度較高、難以集成且需要主機(jī)上有支持請(qǐng)求調(diào)頁的先進(jìn)操作系統(tǒng)。 MIC電路 MICBIASP和 MICBIASN為 MIC電路的正負(fù)兩路偏置電壓，一般為 的電壓。 C204， C205主要為濾除射頻信號(hào)的干擾。如果有 GSM900MHZ的干擾則使用 33PF的電容，如果有 DCS1800MHZ的干擾可以使用 12PF的電容，如果有 WIFI 。 C206主要是抑制共模信號(hào)。 C201,C202為 100NF電容，主要作用為隔直通交，防止直流電使 PA飽和，產(chǎn)生信號(hào)偏移，主要濾除 100HZ一下的電流。 B201， B202為磁珠，主要濾除高頻部分的干擾。 MIC偏置電流流向?yàn)閺?MICBIASPMICBIASN，而不用公共的 GND，主要是因?yàn)?GND干擾太大。 磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率，他等效于電阻和電感串聯(lián)，但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性，所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高調(diào)頻濾波效果 MIC內(nèi)部結(jié)構(gòu) ? Mic有一個(gè)振動(dòng)系統(tǒng) ,該系統(tǒng)在聲波的作用下產(chǎn)生振動(dòng) ,并通過不同的物理效應(yīng)將振動(dòng)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的電壓變化、電容變化或電阻變化，最終都以電壓變化的形式輸出。所以，我們要 Mic電路要采集的數(shù)據(jù)是 Mic兩端電壓的變化。 ? CP就是那顆能根據(jù)振動(dòng)調(diào)整容值的電容，然后通過后面的場(chǎng)效應(yīng)管放大信號(hào)， C1，C2為慮除 900MHZ和 1800MHZ影響的濾波電容。 C1 C2 C RL OUTPUT GROUND VS TERM。 1 TERM。 2 Shield case C1=10pf C2=33PF RL= VS= CP 耳機(jī)電路 未插入耳機(jī)時(shí)， A點(diǎn)斷開，所以 B點(diǎn)處于高電平，二極管截至， C處為高電平，所以 EINT為高電平。 BB芯片判斷耳機(jī)未插入。 當(dāng)插入耳機(jī)時(shí)，由于耳機(jī)一般為 64歐姆， 32歐姆，或者 16歐姆（ MTK使用的為 32歐姆）。 相對(duì)于 100K歐姆，分壓僅為 ，二極管導(dǎo)通， C處電壓為 +=， EINT值 為低電平， BB芯片接受到中斷。判斷可能為耳機(jī)插入。但這樣還是不夠的，耳機(jī)插入還需 要滿足下面另一個(gè)條件
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