手機外圍電路詳細介紹(已修改)
2025-05-31 01:18 本頁面
【正文】 MTK電路原理分析 ? MTK使用的是 6229的 BB芯片， Transeiver使用的是 MT6140， PA為 3159芯片。 ? 6229和 6230的區(qū)別為 CAMERA的支持像數(shù)， 6229支持 200萬像數(shù)， 6230只支持 30萬像數(shù)。 ? 6229和 6226， 6225等 BB芯片的區(qū)別為 6229內(nèi)部多了一個 DSP用于支持EDGE，并且 6229的主頻為 104MHZ，相對于傳統(tǒng)的 BB芯片 52MHZ的主頻處理速度快了許多，所以 6229不僅可以支持 OTG,TVOUT,并且還支持 WIFI。 ? OTG只支持 ， OTG的數(shù)據(jù)線規(guī)范要求不能大于 20CM，如果過長會對信號有較大的衰減和反射。 ? 6229也使用的是 。 RTC（實時時鐘）晶振，用 32768是 2的 15次冪，可以很方便的分頻，很精確的得到一秒的計時。所有的 RTC晶振一般都是 頻。在手機電路中還有一主時鐘，一般為 13MHz或是其倍頻。之所以選用13M這樣的時鐘是為了與基站同步。 ? MTK和其他機種使用的 FLASH也是不同的。 MTK采用混合儲存器的方式不同于以往的 NOR+NAND存儲器方式。 ? NOR＋ NAND存儲器采用 NOR來存儲 BIOS代碼，采用 NAND存儲代碼 (操作系統(tǒng)和應用軟件 )和數(shù)據(jù)，易失性 RAM被用來存儲執(zhí)行代碼時的變量和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種存儲器解決方案采用代碼映射或請求調(diào)頁來執(zhí)行存儲在 NAND中的操作系統(tǒng)和應用軟件。 ? 混合存儲器采用 SRAM和 NAND，采用 NAND作為非易失性存儲器，所以這類解決方案的存儲密度能做得很高。這些解決方案可以直接從NAND引導，不再需要高端蜂窩手機中昂貴的引導 NOR，因此可降低總系統(tǒng)成本。它們還可以減少元器件數(shù)量，節(jié)省了電路板空間。但是，這些混合解決方案的引導時間較長、復雜度較高、難以集成且需要主機上有支持請求調(diào)頁的先進操作系統(tǒng)。 MIC電路 MICBIASP和 MICBIASN為 MIC電路的正負兩路偏置電壓，一般為 的電壓。 C204， C205主要為濾除射頻信號的干擾。如果有 GSM900MHZ的干擾則使用 33PF的電容，如果有 DCS1800MHZ的干擾可以使用 12PF的電容，如果有 WIFI 。 C206主要是抑制共模信號。 C201,C202為 100NF電容，主要作用為隔直通交，防止直流電使 PA飽和，產(chǎn)生信號偏移，主要濾除 100HZ一下的電流。 B201， B202為磁珠，主要濾除高頻部分的干擾。 MIC偏置電流流向為從 MICBIASPMICBIASN，而不用公共的 GND，主要是因為 GND干擾太大。 磁珠有很高的電阻率和磁導率，他等效于電阻和電感串聯(lián)，但電阻值和電感值都隨頻率變化。 他比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時呈現(xiàn)阻性，所以能在相當寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高調(diào)頻濾波效果 MIC內(nèi)部結(jié)構(gòu) ? Mic有一個振動系統(tǒng) ,該系統(tǒng)在聲波的作用下產(chǎn)生振動 ,并通過不同的物理效應將振動轉(zhuǎn)換為相應的電壓變化、電容變化或電阻變化，最終都以電壓變化的形式輸出。所以，我們要 Mic電路要采集的數(shù)據(jù)是 Mic兩端電壓的變化。 ? CP就是那顆能根據(jù)振動調(diào)整容值的電容，然后通過后面的場效應管放大信號， C1，C2為慮除 900MHZ和 1800MHZ影響的濾波電容。 C1 C2 C RL OUTPUT GROUND VS TERM。 1 TERM。 2 Shield case C1=10pf C2=33PF RL= VS= CP 耳機電路 未插入耳機時， A點斷開，所以 B點處于高電平，二極管截至， C處為高電平，所以 EINT為高電平。 BB芯片判斷耳機未插入。 當插入耳機時，由于耳機一般為 64歐姆， 32歐姆，或者 16歐姆（ MTK使用的為 32歐姆）。 相對于 100K歐姆，分壓僅為 ，二極管導通， C處電壓為 +=， EINT值 為低電平， BB芯片接受到中斷。判斷可能為耳機插入。但這樣還是不夠的，耳機插入還需 要滿足下面另一個條件
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1