固體光學(xué)晶體光學(xué)(1)-資料下載頁
2025-05-13 19:29本頁面
【正文】 x1方向的光率體中心截面為 不含量 E2的橢圓： 由此可知 ， 沿為 x3或 x1方向通光 ， 外加電場 E2不能引起這兩個中心截面的變化 ， 無法利用這兩個中心截面討論其電光效應(yīng)的有關(guān)問題 。 (2)入射光必須嚴(yán)格的沿與 x1和 x3成 45o方向傳播 ，稍微偏離就會使雙折射率產(chǎn)生很大的變化 。 (3)溫度變化對自然雙折射率有較大的影響 。 如對l=5cm的 KDP晶體 ， 溫度變化 ?T＝ ℃ 時 ， 就可產(chǎn)生位相差變化 ?。 (4)通光方向既不平行 x1也不平行 x3， 所以晶體中雙折射的兩光線是離散的 ， 不能產(chǎn)生干涉 . 如果將兩塊同等規(guī)格的晶體排列 ， 中間插入 ?/2波片 ， 進(jìn)行雙折射補償 ， 則上述問題大部分可以得到解決 。 三、二次電光效應(yīng) 上式表示介質(zhì)在外電場平方項的作用下光率體發(fā)生變化的現(xiàn)象 ， 稱為二次電光效應(yīng) ， 也稱克爾效應(yīng) 。下式是用極化場表示的克爾效應(yīng) ， 有時稱為二次極光效應(yīng) 。 二者均是描述同一物理現(xiàn)象的兩種不同形式 。 其中 hijkl或 gijkl)稱為二次電光 (或極光 )系數(shù) ， 在介電張量主軸坐標(biāo)系中 ， hijkl或 gijkl存在如下關(guān)系： 二次電光效應(yīng)就可用簡化下標(biāo)形式表示 四、光學(xué)均質(zhì)體在外場作用下折射率的變化 立方晶系的各晶類晶體和非晶體在沒有外電場作用時均為光學(xué)均質(zhì)體 ， 不產(chǎn)生雙折射現(xiàn)象 。 此類介質(zhì)在結(jié)構(gòu)上都不屬于非中心對稱晶類 ， 故在外電場作用下不可能具有線性電光效應(yīng) ， 但可以有二次電光效應(yīng) 。 下面以 KTaO3晶體 (屬 m3m晶類 )和各向同性介質(zhì)為例 ， 分別敘述二次電光效應(yīng)引起的折射率變化 。 1． m3m晶類的二次電光效應(yīng) m3m晶類的 (hmn)矩陣由表查得 在沒加外電場時 ， KTaO3的光率體為球體 ， 假設(shè)沿 x1軸方向外加電場 E=(E1， o， o)， 得到 ?mn的各分量為 : 旋轉(zhuǎn)橢球體： KTaO3的光學(xué)勻質(zhì)體在外電場置 E1作用下變?yōu)楦飨虍愋缘膯吴櫨w 。 其光鈾沿 x1方向 ， 主折射率為 : 若沿 x2(或 x3)方向通光，可產(chǎn)生橫向效應(yīng)的位相差 : 要想測得 h44， 可將電場加在 [110]方向 ， 沿 [001]方向 通光 ， 可推算出測量 h44的公式 。 2．各向同性介質(zhì)的二次電光效應(yīng) 各向同性介質(zhì)的 (hmn)矩陣形式 : 故各向同性介質(zhì)的 (hmn)矩陣只有兩個獨立分量 h11和h12。 若沿 x3方向外加電場 E＝ (o， o， E3)， 與上例類似 ， 各向同性介質(zhì)變成了具有單軸晶體的光學(xué)性質(zhì) 。 其光鈾就是外加電場方向 (沿 x3)， 光率體方程為： 單軸晶體的兩個主折射率為： n為沒加電場時各向同性介質(zhì)的折射率 ， 若沿垂直 x3方向通光 ， 則得到橫向效應(yīng)的位相差： 技術(shù)上常用克爾系數(shù)來描述各向同性介質(zhì)的二次電光效應(yīng) 。 克爾系數(shù) K與 neno的關(guān) 系 :
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1