川大學單片機半導體存儲器-資料下載頁
2025-05-12 08:04本頁面
【正文】 33FFH， 問地址線與數據線應如何 連接？（地址線為 16根，數據線為 8根） A0~9 CS I/O0~4 2114 A0~9 CS I/O0~4 2114 A0~9 D0~7 D0~3 D4~7 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7…………A 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 ………… 0 …………… 1 1 1………… 1 邏輯關系： （ A15+A14+A11+A10） A13 A 12 A12 A13 A10~11 A14~15 = A15 A 14 A 11 A 10 A13 A 12 A12 A13 A10 A11 A14 A15 按地址線狀態(tài)的要求，用邏輯電路，形成片選信號 。 片選信號 Y1 如果 A11為 0： 0000H~07FFH 1000H~17FFH 這樣的地址安排就出現重復地址。 0 0 0 0 0 0 0 0 ………… 0 ………………………… 1 1 1 1………… 1 ………………………… 1 1………… 1 例：應用 6116（ 2K 8） 組成地址范圍為 0000H~0FFFH的存儲器 連接圖，根據下圖地址線應如何連接？ A0~10 CS O0~7 6116 A0~10 CS O0~7 6116 A0~10 A11 Y0 0000H~07FF 0800H~0FFFH A12 A13 A14 A15 M/IO ABC GAGB1GB2 74LS 138 D0~7 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7…………A 0 0 1 五、 64K動態(tài) RAM存儲器 1. Intel 2164 的結構 1 8 16 9 2164 N/C DIN WE RAS A0 A2 A1 VDD VSS CAS DOUT A6 A3 A4 A5 A7 A0 ~A7 地址線 DIN 數據輸入 DOUT 數據輸出 VDD： 工作電源（ +5V） VSS： 地 WE 寫允許 RAS 行地址選通 CAS 列地址選通 WE為低時， CPU 存儲器 由 DIN引腳輸入。 WE為高時，存儲器 CPU 由 DOUT引腳輸出。 2. 讀周期 3. 寫周期 送行地址 送列地址 DOUT輸出 RAS有效 CAS有效 WE有效 (1) — 修改 — 寫周期 送行地址 送列地址 DIN輸入 WE有效 (0) 寫入指定單元 RAS有效 CAS有效 RAS與 CAS同時有效時，有 WE先讀出，修改后立即寫入。 唯 RAS有效的刷新方式比讀、寫、讀 — 修改 — 寫的刷新方式功耗低，依次刷新 512個單元。 行地址不變 (RAS不變 )，列地址變化（ CAS變化），一次可讀、寫 256個單元。
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