光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)背景資料-資料下載頁
2025-05-12 05:22本頁面
【正文】 功能：干法腐蝕，在輝光放電條件下通過氟和氧交替對硅作用，去除含有擴(kuò)散層的周邊 片架旋轉(zhuǎn)密封技術(shù)：提高刻蝕均勻性 硅片放置自動壓緊技術(shù)，減少鉆蝕 低成本緊奏型 RF電源技術(shù) 刻蝕機(jī) — 等離子刻蝕機(jī) 202110 28 激光刻蝕：適合選擇性刻蝕，刻蝕效果好，對硅片尺寸要求嚴(yán)格。國外大量使用，國內(nèi)效果不佳 濕法刻蝕：價(jià)格昂貴，刻蝕效果好、成本高 刻蝕機(jī) — 激光刻蝕和濕法刻蝕 202110 29 PECVD管式 功能：利用輝光放電的物理作用來激活化學(xué)汽相淀積反應(yīng)，在硅片表面生長一層氮化硅薄膜 發(fā)展方向：大容量、高均勻性、自動裝卸 片、自適應(yīng)電極清洗 202110 30 PECVD管式 關(guān)鍵技術(shù)： （ 1）大容量反應(yīng)器等離子場均勻形成技術(shù) （ 2）先進(jìn)的石墨電極設(shè)計(jì)加工技術(shù) （ 3）低頻大功率 RF穩(wěn)定輸出技術(shù) （ 4）高穩(wěn)定性的真空壓力控制技術(shù) 202110 31 PECVD平板式 發(fā)展方向： 提高減反射膜致密性 大反應(yīng)腔室熱場及氣氛場 遠(yuǎn)程自診斷，提高設(shè)備使用率 薄硅片軟接觸，降低碎片率 202110 32 絲網(wǎng)印刷機(jī) 功能：利用絲網(wǎng)漏印原理印刷背電極、背電場及柵線、線寬可達(dá) 50?m，高度可達(dá) 10～ 20?m 發(fā)展方向： 高速數(shù)字影像定位，提高生產(chǎn)率 軟接觸自動機(jī)械手，降低碎片率 高精度印刷頭，提高電池片壽命 202110 33 快速燒結(jié)爐 網(wǎng)帶燒結(jié)爐 關(guān)鍵技術(shù)： （ 1）尖峰燒結(jié)溫度曲線的形成與控制技術(shù) （ 2） 氣簾形成與控制技術(shù) （ 3） 快速冷卻技術(shù) 202110 34 快速燒結(jié)爐 — 無網(wǎng)帶快速燒結(jié) 優(yōu)劣： 長度縮短近三分之二，節(jié)省廠房面積 點(diǎn)接觸步進(jìn)式傳動， 熱容量小、升降溫快，容 易形成尖峰曲線 基本無冷卻區(qū) 燒結(jié)均勻性有待提高 202110 35 專家語 太陽能電池產(chǎn)業(yè)的競爭歸根到底是成本的競爭，國產(chǎn)裝備的發(fā)展符合降低成本的大方向，優(yōu)勢明顯，前景美好 2021年前是高速發(fā)展期，晶體硅太陽能電池裝備的主導(dǎo)地位 10年內(nèi)很難被取代 國產(chǎn)太陽能電池裝備以高性價(jià)比贏得了良好的市場聲譽(yù)，和工藝結(jié)合進(jìn)而具備交鑰匙工程能力是發(fā)展必由之路 202110 36 薄膜技術(shù) PV電池制造設(shè)備 ： 薄膜太陽能電池的制造技術(shù)與晶體硅完全不同：半導(dǎo)體層的配置，電池片間的互連及保護(hù)層 的形成通常在一個(gè)工藝鏈中完成。這種在線連續(xù)生產(chǎn)原則和少用材料是其優(yōu)點(diǎn)，大大降低成本 高產(chǎn)額、低成本、大面積薄膜電池制造設(shè)備 AM公司 SunFab?薄膜生產(chǎn)線，主要設(shè)備有 CVD、 PVD、 PECVD，用 m2 x 平板的薄膜太陽能電池組件集成生產(chǎn)線 可以用于單結(jié)技術(shù)或串結(jié)技術(shù)（ 非晶硅 /微晶硅 ） ,最高產(chǎn)能達(dá) 75 MW/年 Nanosolar公司 卷筒 卷筒印刷加工設(shè)備 銅銦鎵硒（ CIGS）薄膜電池的印刷制造技術(shù) 430MW薄膜太陽能電池工廠 United Solar Ovonic公司 三結(jié)非晶硅薄膜 PV 電池 卷筒式加工設(shè)備 CEPE
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