cmintroduction工藝控制監(jiān)測器介紹-資料下載頁
2025-05-11 01:31本頁面
【正文】 條電阻測試是采用加電壓測電流的方法 ，測得的電阻在除以相應(yīng)的方塊數(shù) ， 就得到所要測的方塊電阻 。 名稱舉例： NW 100/20 RES。 2） VDP (Van Der Pauw) 方法測試電阻一般采用加電流測試電壓的方法來測試方塊 電阻 。 名稱舉例： NWELL SHEET RES。 方塊電阻測試結(jié)構(gòu)圖 1 2 3 4 RES VDP 測試結(jié)構(gòu)圖 測試模塊圖 Force I Measure V 接觸電阻測試 基本原理 要使整個管子能夠達(dá)到一定功效 ， 各個部分之間的接觸性能也很重要 。 我們測試的接觸電阻就是要控制其大小 。 基本測試方法 利用 KELVIN結(jié)構(gòu)測試 ， 在相對兩端加電流 ，然后測試另外相對兩端的電壓 。 所加電流的大小視電阻的大小而定 ， 兩者之間是反比關(guān)系 。 名稱舉例： NPLUS CONT RES 接觸電阻測試電路 4 5 6 7 4 5 6 7 Rc Al1 N+/P+/Poly 測試結(jié)構(gòu)圖 等效電路圖 影響接觸電阻異常的因數(shù) 1） 觸孔沒有開通接觸電阻會返回值 +20； 2） 觸孔表面形貌不好會使接觸電阻變大； 3） 孔的過腐蝕會使 N+,P+ 接觸電阻變大； 電容測試 BV 一般的電容介質(zhì)是二氧化硅 。 由于二氧化硅是絕緣體 ， 在一般情況下是不導(dǎo)電的 。 但是有一個外加電場存在時 ， 當(dāng)外加電場強(qiáng)度所提供的能量已經(jīng)足以把一部分滿帶的電子激發(fā)到導(dǎo)帶時 ， 這個時候二氧化硅不再表現(xiàn)為絕緣性質(zhì) ，而是已經(jīng)開始導(dǎo)電 。 這個時候所加的外加電壓的值就是我們所測試的電容擊穿電壓值 。 基本測試方法 電容擊穿的測試是在氧化層的一端 ， 多晶上掃描電壓 ， 然后把氧化層的另一端 ， 襯底接地 ， 來測試電容的擊穿電壓 。當(dāng)電流達(dá)到 1uA的時候 ， 認(rèn)為電容此時被擊穿 。 這個時候所加的電壓就是電容擊穿電壓 。 影響電容擊穿因數(shù) l 影響電容擊穿的主要原因是二氧化硅膜的性質(zhì)。如果二氧化硅膜存在一些缺陷，都會使電容擊穿變小。 2, CV Measure capacitance under a bias condition. (usually to monitor GOX, PIP, Dielectric thickness) ? Diode ? Leakage current under working voltage ? BV@1uA ? Forward on voltage(not always test) PW N+ Leakage/Step coverage monitor ? POLY/Metal COMB. ? Field isolation test(VTF amp。 Leakage) ? Metal Ratio M1/M2 Rtop 介 質(zhì) EN
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