【導(dǎo)讀】第二章半導(dǎo)體基本器件。PN結(jié)的單向?qū)щ娫恚O管的伏安特性。⑴三極管輸出特性中的截止區(qū)、放大區(qū)和飽和。⑵三極管共發(fā)射極電流放大系數(shù)的概念。⑶三極管開關(guān)電路工作狀態(tài)的分析方法。⑴MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類及符號(hào)。⑵增強(qiáng)型NMOS管的特性曲線。體之間的物質(zhì),如硅,鍺。硅和鍺都是四價(jià)元素,原子的最外。層軌道上有四個(gè)價(jià)電子。室溫下,由于熱運(yùn)動(dòng)少數(shù)價(jià)電子掙脫。共價(jià)鍵的束縛成為自由電子,同時(shí)在。離子,就好象空穴帶正電荷一樣。很容易過來(lái)填補(bǔ)這個(gè)空穴,這樣空。穴便轉(zhuǎn)移到鄰近共價(jià)鍵中。穴作相反方向的運(yùn)動(dòng)。本征半導(dǎo)體中有兩種載流子。電子和空穴又可能重新結(jié)合而成對(duì)消失,稱為。由電子數(shù)目大大增加,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過空穴。在硅晶體中摻入三價(jià)元素硼,硼原子與。導(dǎo)電,稱為空穴型或P型半導(dǎo)體。流子將會(huì)從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng),這種。運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。由于濃度差,電子和空穴擴(kuò)散的結(jié)果,在交界面處出現(xiàn)。②內(nèi)電場(chǎng)EIN阻止多子擴(kuò)散,促使少子漂移。