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計(jì)算機(jī)電路基礎(chǔ)課件-第二章-資料下載頁(yè)

2025-05-14 04:06本頁(yè)面

【導(dǎo)讀】第二章半導(dǎo)體基本器件。PN結(jié)的單向?qū)щ娫恚O管的伏安特性。⑴三極管輸出特性中的截止區(qū)、放大區(qū)和飽和。⑵三極管共發(fā)射極電流放大系數(shù)的概念。⑶三極管開關(guān)電路工作狀態(tài)的分析方法。⑴MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分類及符號(hào)。⑵增強(qiáng)型NMOS管的特性曲線。體之間的物質(zhì),如硅,鍺。硅和鍺都是四價(jià)元素,原子的最外。層軌道上有四個(gè)價(jià)電子。室溫下,由于熱運(yùn)動(dòng)少數(shù)價(jià)電子掙脫。共價(jià)鍵的束縛成為自由電子,同時(shí)在。離子,就好象空穴帶正電荷一樣。很容易過來(lái)填補(bǔ)這個(gè)空穴,這樣空。穴便轉(zhuǎn)移到鄰近共價(jià)鍵中。穴作相反方向的運(yùn)動(dòng)。本征半導(dǎo)體中有兩種載流子。電子和空穴又可能重新結(jié)合而成對(duì)消失,稱為。由電子數(shù)目大大增加,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過空穴。在硅晶體中摻入三價(jià)元素硼,硼原子與。導(dǎo)電,稱為空穴型或P型半導(dǎo)體。流子將會(huì)從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運(yùn)動(dòng),這種。運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。由于濃度差,電子和空穴擴(kuò)散的結(jié)果,在交界面處出現(xiàn)。②內(nèi)電場(chǎng)EIN阻止多子擴(kuò)散,促使少子漂移。

  

【正文】 管的主要參數(shù)及應(yīng)用 電路如圖所示,已知 β= 50, UCES = V , uBE = V, 試計(jì)算 uI 分別為 - 1V,+ 1V,+ 3V時(shí)三極管的工作狀態(tài)。 3 KΩ R c + 6V R b 10 KΩ u I MOS場(chǎng)效應(yīng)管 MOS場(chǎng)效應(yīng)管是利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的,輸入端不需要供給電流。 P型硅片作襯底,表面制作兩個(gè) N型區(qū),引出源極 (s)和漏極 (d),覆蓋一層 SiO2,在漏源之間絕緣層上再制作一層金屬鋁,引出柵極 (g) 。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管( MetalOxidesemiconductor) 電路符號(hào) g d s MOS場(chǎng)效應(yīng)管 uGS= 0 時(shí),漏源之間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的 PN結(jié),無(wú)論漏源之間加何種極性的電壓,都不能導(dǎo)電。 uGS 為正時(shí),產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng),把 P型襯底少子電子吸引到襯底表面,當(dāng) uGS增大到一定值時(shí),電子在襯底表面形成一個(gè) N型層即 N型導(dǎo)電溝道。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 小結(jié): MOS管是一個(gè)受柵源電壓 uGS控制的器件 ① uGS< UGS(th)時(shí), DS間無(wú)導(dǎo)電溝道, MOS管截止。 ② uGS> UGS(th)時(shí), DS間才會(huì)形成導(dǎo)電溝道, 故稱為N溝道增強(qiáng)型 MOS管。 uGS增大,導(dǎo)電溝道變寬。即改變 uGS可以控制 iD的大小。 ΔID=gm ΔUGS IG=0 UGS(th):開啟電壓 轉(zhuǎn)移特性 輸出特性 uGS< UGS(th), 管子處于截止?fàn)顟B(tài) ,D、 S之間相當(dāng)于斷開的開關(guān) uGS> UGS(th) , uDS較小。 iD與 uDS之間近似為線性關(guān)系, D、 S之間相當(dāng)于一個(gè)由 uGS控制的可變電阻。 uGS> UGS(th) , uDS較大, iD取決于 uGS。 ΔID=gm ΔUGS 轉(zhuǎn)移特性 輸出特性 在夾斷區(qū),管子處于截止?fàn)顟B(tài),D、 S之間相當(dāng)于斷開的開關(guān)。 在可變電阻區(qū), D、 S之間導(dǎo)通電阻 rDS(ON)很小,約為幾百歐姆。只要 RD遠(yuǎn)大于這個(gè)導(dǎo)通電阻,漏源之間可以看作閉合的開關(guān)。 MOS管的開關(guān)特性 n p p P溝道增強(qiáng)型 MOS管 S+ D- 電流從 S流入, D流出 P溝道增強(qiáng)型 MOS管
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