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反激式開(kāi)關(guān)電源本科畢業(yè)設(shè)計(jì)論文-資料下載頁(yè)

2025-08-18 16:22本頁(yè)面

【導(dǎo)讀】替代的作用,是小功率供電電源的首選。本設(shè)計(jì)是儲(chǔ)能逆變項(xiàng)目的一個(gè)小部。分,目的是設(shè)計(jì)一個(gè)輸出總功率達(dá)到的多路輸出反激式開(kāi)關(guān)電源。在反激式開(kāi)關(guān)電源的原理方面,介紹了幾種基本電路和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的。方面,搭建了仿真電路圖、分析了仿真結(jié)果。通過(guò)具體設(shè)計(jì)及仿真軟件的驗(yàn)證,證明了設(shè)計(jì)的正確性,為后期的實(shí)際工程設(shè)計(jì)提供的指導(dǎo)意義。師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的成果。盡我所知,除文中特別加。究所取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外,本論文。不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)的成果作品。究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體,均已在文中以明確方式標(biāo)明。全意識(shí)到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定,同意學(xué)校保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版,允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)大學(xué)可以將本學(xué)位。印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。涉密論文按學(xué)校規(guī)定處理。

  

【正文】 命的損壞。所以 必須要采取措施加以避免。 用在這種環(huán)境中最通用的抑制干擾器件是金屬氧化物壓敏電阻 (MOV)瞬態(tài)電壓抑制器。如圖 2l所示,把壓敏電阻 Rv連在交流電壓的輸入端。壓敏電阻起到一個(gè)可變阻抗的作用。也就是說(shuō),當(dāng)高壓尖峰瞬間出現(xiàn)在壓敏電阻兩端時(shí).它的阻抗急劇減小到一個(gè)低值,消除了尖峰電壓使輸入電壓達(dá)到安全值。瞬間的能量消耗在壓敏電阻上,在選擇壓敏電阻時(shí)應(yīng)按下述步驟進(jìn)行。 1.選擇壓敏電阻的電壓額定值,應(yīng)該比最大的電路電壓穩(wěn)定值大 10%20%; 2.計(jì)算或估計(jì)出電路所要承受的最大瞬間能量的焦?fàn)枖?shù); 3.查明器件所需要承受的最大尖峰電流; 上述幾步完成后,就可以根據(jù)生產(chǎn)廠家的壓敏電阻參數(shù)資料選擇合適的壓敏電阻器件。 [6] 反激式變換器電路中的開(kāi)關(guān)晶體管 在反激式變換器電路中。所使用的開(kāi)關(guān)晶體管必須符合兩個(gè)條件,即在晶體管截止時(shí),要能承受集電極尖峰電壓,在晶體管導(dǎo)通時(shí),要能承受集電極的尖峰電流。晶體管截止時(shí)所承受的尖峰電壓按下面的公式進(jìn)行計(jì)算: [7] max inCE maxV 1? ?Vδ (32) 第三章 反激式開(kāi)關(guān)電源整體設(shè)計(jì) 23 公式中, vin 是輸入電路整流濾波后的直流電壓, 是最大工作占空比。所謂占空比指的是晶體管導(dǎo)通的時(shí)間與晶體管的一個(gè)工作周期 (導(dǎo)通時(shí)間十截止時(shí)間 )之比。為了限制晶體管的集電極安全電壓,工作占空比應(yīng)保持在相對(duì)地低一些,一般要低于 50%,即 。在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí), 一般取 左右,這樣它就限制了集電極峰值電壓。 按如下粗算考慮:交流輸入電壓 180~260V,取 260V, 260v 乘以 (有效值 ),即是整流后的直流電壓 260 = 354V, 360V 再乘以 是 800V,實(shí)際取值 漏極與源極電壓 即可。 第二個(gè)設(shè)計(jì)準(zhǔn)則是必須滿(mǎn)足晶體管在導(dǎo)通時(shí)的集電極電流的需求。 LC II n? (33) 公式中, IL是變壓器初級(jí)繞組的峰值電流而 n是變壓器初級(jí)與次級(jí)間的匝數(shù)比。 為了導(dǎo)出用變換器輸出功率和輸入電壓表達(dá)集電極峰值工作電流的公式,變壓器繞組傳遞的能量 m可用下式表示: 2LOUT LIP η2T??? (34) 公式中, 是變換器的效率。 略去推導(dǎo)過(guò)程,由輸出功率和輸入電壓表達(dá)的晶體管工作電流的公式為: OUTCin max2PI nV? ??δ (35) 假定變換器的效率 是 ,最大工作占空比入 = outCin V? (36) 由 36 式可以計(jì)算得出 的大小,如下: 電子科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 24 outin6 .2 P 6 .3 1 4 .5I c 0 .3 AV 3 1 0?? ? ? 結(jié)合以上兩個(gè)選擇晶體管的原則,最后選定 MTP4N80E 為本次設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)晶體管。 MTP4N80E 的 為 800V, 為 1A,滿(mǎn)足我們的設(shè)計(jì)需求。 反激開(kāi)關(guān)電源變壓器的設(shè)計(jì) 變壓器的設(shè)計(jì)對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)十分重要,是整個(gè)設(shè)計(jì)中非常關(guān)鍵的一部分。下文主要進(jìn)行變壓器的設(shè)計(jì)。 1. 反激變壓器的主要方程 我們從交流電已經(jīng)整成直流開(kāi)始,電壓加在原邊電感上,開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間,電流持續(xù)上升: p k o nV V D T V DITL L f L? ? ?? ? ? ? ? (37) 這里, D是占空比, f是開(kāi)關(guān)頻率, 1/f 是開(kāi)關(guān)周期,這個(gè)方程適用于電流斷續(xù)反激式變壓器,原邊電流波形圖。 圖 34 斷續(xù)模式下反激式變壓器的電流波形 儲(chǔ)存在原邊電感中的電量取決于峰值電流的大?。? 第三章 反激式開(kāi)關(guān)電源整體設(shè)計(jì) 25 (38) 能量每個(gè)周期傳遞一次: (39) 這個(gè)方程式電流斷續(xù)模式下反激式變壓器的基本方程。這個(gè)方程告訴我們,一旦輸入電壓固定,如果要增加輸出功率,那么只能通過(guò)減低開(kāi)關(guān)頻率或減少電感來(lái)實(shí)現(xiàn)。而如果開(kāi)關(guān)頻率也以選定,那么只有通過(guò)減少電感才能增加功率。但是實(shí)際的電感都由一個(gè)最小值,斷續(xù)工作的反激式變換器由最大輸出的限制。 由于我所選的器件得知開(kāi)關(guān)頻率為 100KZ,計(jì)算得: 2231 0 .5 W 2 10 00 00 L?? ?? 得出原邊電感值為 L≈ 200uH,可以計(jì)算得峰值電流 為: pk 3 1 0 V 0 .4I 7 A1 0 0 K H z 2 0 0 u H???? 2. 變壓器磁芯的選擇和匝數(shù)的計(jì)算 (1) 變壓器的磁芯的選擇 現(xiàn)在我們來(lái)選擇磁芯材料??紤]到開(kāi)關(guān)頻率比較高,我們選用鐵氧體材料或者 MPP,完善的設(shè)計(jì)必須兩者都考慮,這里我們只考慮鐵氧體材料,因?yàn)槿绻氏嗤F氧體磁芯的體積比 MPP 的體積更小。 我們已經(jīng)知道(工程上單位取厘米、安和高斯) 電子科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 26 m a x um a xm0 .4 π INB l? ? ?? (310) 以及: L=m8e2 l u?? (311) 這里 lm 是磁路長(zhǎng)度。我們要用的鐵氧體磁芯磁路長(zhǎng)度非常短,這樣 B 值會(huì)很大,甚至可能會(huì)使磁芯飽和,同時(shí)損耗也增大。因此反激式變壓器(包括一些采用 鐵氧體材料的直流電感器)總是采用氣隙。由于空氣的磁導(dǎo)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于鐵氧體,一次氣隙能夠極大地增加磁路的有效長(zhǎng)度。帶有氣隙磁芯的有效磁路長(zhǎng)度為: le =lm =u ? lgap (312) 在很多實(shí)際應(yīng)用的例子中,后面一項(xiàng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于前面一項(xiàng) u ? lgap lm (313) 所以這樣的近似是合理的 le ≈u ? lgap (314) 注意:這只是一個(gè)近似關(guān)系,并不能保證任何時(shí)候都成立,每一次設(shè)計(jì)的時(shí)候都要檢查一下這個(gè)近似關(guān)系是否成立。 近似值來(lái)計(jì)算,我們可以得到以下式子: B=mmaxl ? 與m8e2 l ?? (315) 第三章 反激式開(kāi)關(guān)電源整體設(shè)計(jì) 27 這些方程的使用前提我們必須清楚:對(duì)于帶有氣隙的鐵氧體材料磁芯,在確認(rèn)( 313)方程成立的條件下,可以試方程( 315);否則,應(yīng)使用基本方程( 310)和( 311),如果磁芯的氣隙非常小,應(yīng)該使用有效磁路長(zhǎng)度( 312)。 我們需要在不同的磁芯中進(jìn)行選擇,以確定自己所選的型號(hào)是最合適的,變壓器的高度要求是我們的設(shè)計(jì)準(zhǔn)則。 (2) 變壓器的匝數(shù)的計(jì)算 磁芯的形狀和材料選擇好以后,下面我們要選擇合適的氣隙。通常先取最大磁感應(yīng)強(qiáng)度,然后確定氣隙大 小,磁通也就確定了。對(duì)于氣隙,可能會(huì)有一個(gè)問(wèn)題,有時(shí)要求磁芯只有一邊氣隙,而另一邊沒(méi)有氣隙。著需要特意模具,需要花費(fèi)很多,另一個(gè)可能出現(xiàn)的問(wèn)題是:氣隙非常小,任何一點(diǎn)很小的氣隙誤差都會(huì)對(duì)磁感應(yīng)強(qiáng)度產(chǎn)生很大的影響,并進(jìn)一步影響損耗,甚至?xí)?dǎo)致磁芯的飽和。 即使是使用帶有氣隙的磁芯,仍然會(huì)有很多問(wèn)題:由于本身的氣隙很小,當(dāng)兩塊磁芯連接在一起的時(shí)候,總的氣隙誤差會(huì)比較大;粘合的膠水也會(huì)增加氣隙的長(zhǎng)度。 回到我們的設(shè)計(jì)來(lái),我們可以查到 E42 的 AL 的值為 376nH,大的 AL 意味著匝數(shù)可以最少,那樣線(xiàn)圈電阻也可以最小。 200uH需要的匝數(shù)為: N=376nH200uH=23 匝 說(shuō)明氣隙可以通過(guò) Ae=178mm2 = 來(lái)計(jì)算,所以有 376nH= ? ?g82l 10*1 .4?匝? 這樣,可以得到氣隙長(zhǎng)度 lg =,算好磁感應(yīng)強(qiáng)度,就可以計(jì)算出磁感應(yīng)強(qiáng)度: B= 23*4A* 匝? =1958G 因?yàn)槲宜x用的磁芯的最大磁通密度是 2286G,計(jì)算出的磁感應(yīng)強(qiáng)度小于最大的磁通密度,所以選用的磁芯是合適的。 現(xiàn)在來(lái)計(jì)算次級(jí)線(xiàn)圈的匝數(shù)。 由公式: 電子科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 28 N1N2 = ? ? ? ?D*m inV1 D1*VV0 D )( ?? (316) N2 的二次側(cè)的線(xiàn)圈的匝數(shù), N1 為一次側(cè)的線(xiàn)圈匝數(shù) ,V0 為輸出電壓, VD 為二極管順向電壓, V1( min)是輸入的最小的電壓, D 為占空比。 N 2 (1 2 0 .7 ) (1 0 .4 )2 3 3 1 0 0 .4? ? ?? ? 所以 N2=19 匝 3. 磁芯等的各種 損 耗 在反激式變壓器里,電流是單向的,所以磁感應(yīng)強(qiáng)度也是單向的:從 0 增加到 Bmax ,然后又降低到 0。所以磁感應(yīng)強(qiáng)度的峰峰值是 的一半。 132 kHz 時(shí),對(duì)于 E42 這種材料,磁感應(yīng)強(qiáng)度為 2286/2=1143G 時(shí)的損耗近似為320mW/cm3 。 現(xiàn)在我們降低開(kāi)關(guān)頻率可否降低磁芯損耗,損耗與頻率、磁感應(yīng)強(qiáng)度之間是一種非線(xiàn)性關(guān)系,典型的關(guān)系式為: Loss/lb. = Bf (317) 因?yàn)椋覀冃枰?2 倍的電感值來(lái)保持同樣的功率,這就意味著需要 2 倍的繞組來(lái)實(shí)現(xiàn)兩倍的電感,這就使得磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)樵瓉?lái)的 2 ,因?yàn)榇鸥袘?yīng)強(qiáng)度 B與匝數(shù)同比增加。 總的損耗,即每一磅的損耗乘以重量,為 ? ? ? ?LBf 222 2??????≈ (318) 由于磁芯的重量和存儲(chǔ)能量的大小有直接的關(guān)系,而存儲(chǔ)能量與電感呈電感量呈線(xiàn)性關(guān)系。因此開(kāi)關(guān)頻率降低一半,磁芯損耗幾乎變?yōu)樵瓉?lái)的 2 倍。另一方面,降低開(kāi)關(guān)頻率的確能夠降低開(kāi)關(guān)晶體管的損耗: 第三章 反激式開(kāi)關(guān)電源整體設(shè)計(jì) 29 PQ ≈ K+Af (319) 式中, K 由通態(tài)損耗決定, A 由開(kāi)關(guān)速度決定。如果開(kāi)關(guān)損耗遠(yuǎn)大于通態(tài)損耗的話(huà),可以有: PQ ??????2f ≈ ??f (320) 一般情況下,通常的情況是這樣的:即使在整個(gè)范圍內(nèi)進(jìn)行優(yōu)化,改變開(kāi)關(guān)頻率對(duì)效率的影響不是很大。而真的好處在磁芯尺寸的大小卻非常明顯,隨著開(kāi)關(guān)頻率增加,體積明顯可以減小。 下面我們來(lái)計(jì)算一下磁芯損耗,磁芯的總體積 ,因此磁芯的損耗為320mW/cm3 * =1184mW。磁芯的損耗是可以的。 如果磁芯損耗大得無(wú)法接受,可以有兩個(gè)方法:第一個(gè)辦法是進(jìn)一步增加氣隙,如兩半塊磁芯的匹配連接,定制自己需要的,帶有氣隙的磁芯;第二個(gè)辦法是選用大尺寸的磁芯,隨著氣隙的增大,其邊界范圍也隨著增大,漏感也要增大,漏感增加會(huì)影響到電路中的其他元件,并且使變壓器的效率降低。同時(shí)大型號(hào)的磁芯體積也相應(yīng)的比較大,需要 占用更大的印制板面積,成本更高。在工程設(shè)計(jì)中,通常要權(quán)衡這些因素,折合選擇。 本章小結(jié) 本章主要進(jìn)行了反激式開(kāi)關(guān)電源的整體框圖設(shè)計(jì)以及電路的基本組成部分的設(shè)計(jì)。輸入電路的關(guān)鍵就是濾波整流,以及保護(hù)。變壓器的設(shè)計(jì)主要講了反激變壓器的主要方程變壓器磁芯的選擇,變壓器匝數(shù)的計(jì)算以及磁芯損耗的計(jì)算,這個(gè)對(duì)于整個(gè)設(shè)計(jì)很重要。 第四章 反激式開(kāi)關(guān)電源控制電路和輔助電路設(shè)計(jì) 30 第四章 反激式開(kāi)關(guān)電源控制電路和輔助電路設(shè)計(jì) 反激式開(kāi)關(guān)電源的輔助電路主要包括 RCD 吸收回路和電壓反饋回路。吸收回路的目的是減小開(kāi)關(guān)開(kāi)通關(guān)斷時(shí)的涌浪電壓和電流,而電壓反饋回路的設(shè)計(jì)是為了降低輸出的紋波,是它符合穩(wěn)壓電源的要求。 反激式開(kāi)關(guān)電源 RCD 吸收電路的設(shè)計(jì) 對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō),在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇,那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話(huà)題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。(即要限制主 MOS管最大反峰,又要 RCD 吸收回路功耗最小) 在討論前我們先做幾個(gè)假設(shè), ① 開(kāi)關(guān)電源的工作頻率范圍 :20~200KHZ; ② RCD 中的二極管正向?qū)〞r(shí)間很短(一般為幾十納秒); ③ 在調(diào)整 RCD 回路前主變壓器和 MOS 管,輸出線(xiàn)路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。 有了以上幾個(gè)假設(shè)我們就可以先進(jìn)行計(jì)算: MOS管的 進(jìn)行分段: a. 輸入的直流電壓 ; b. 次級(jí)反射初級(jí)的 ; c. 主 MOS 管 余量 ; d. RCD 吸收有效電壓 。 MOS管 VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算: a. 輸入的直流電壓 。 在計(jì)算 時(shí),是依最高輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇 AC265V,即DC375V。 DC
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