【導(dǎo)讀】四季變化和惡劣氣候?qū)ζ溆绊懙膱鏊厥疑a(chǎn)以達到調(diào)節(jié)產(chǎn)期，促進生長發(fā)。育，防治病蟲害及提高質(zhì)量、產(chǎn)量等為目的。而溫室設(shè)施的關(guān)鍵技術(shù)是環(huán)境控。制，該技術(shù)的最終目標是提高控制與作業(yè)精度,解放生產(chǎn)力。溫室中比較重要的

　　

【正文】 TXAL2 兩端跨接晶體或陶瓷諧振器，就構(gòu)成了穩(wěn)定的自激振蕩器，其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部時鐘電路。外接晶振時， C2 和 C3通常選擇為 22pF 左右，雖然對電容 的值沒有嚴格的要求，但電容的大小會影響振蕩器頻率的高低、振蕩器的穩(wěn)定性和起振的快速性。晶振的振蕩頻率選擇12MHz，晶振的頻率越高，則系統(tǒng)的時鐘頻率也就越高，單片機的運行速度也就越快，但反過來運行速度快對存儲器的速度要求就高。 特殊器件的介紹 DS18B20 ，既可通過串行口線，也可通過其它 I/O 口線與微 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 機接口，無須經(jīng)過其它變換電路，直接輸出被測溫度值（ 9 位二進制數(shù)，含符號位） 55℃ +125℃，測量分辨率為 ℃ 64 位經(jīng)過激光修 正的只讀存儲器 ROM 、下限 。 DS18B20 的管腳圖如圖 316所示： 圖 316 DS18B20 管腳及封裝圖 GND：地信號 DQ ：數(shù)據(jù)輸入 /輸出引腳。開漏單總線接口引腳。當被用著在寄生電源下，也可以向器件提供電源。 VDD：可選擇的 VDD 引腳。當工作于寄生電源時，此引腳必須接地。 DS18B20 的 ROM 指令如表 34 所示： 表 33 DS18B20 的 ROM指令表 指 令 約定代碼 功 能 讀 ROM 33H 讀 DS1820 溫度傳感器 ROM中的編碼（即 64 位地址） 符合 ROM 55H 發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出 64 位 ROM 編碼，訪問單總線上與該編碼相對應(yīng)的 DS1820 使之作出響應(yīng)，為下一步對該 DS1820 的讀寫作準備。 搜索 ROM 0FOH 用于確定掛接在同一總線上 DS1820 的個數(shù)和識別 64 位 ROM 地址。為操作各器件作好準備。 跳過 ROM 0CCH 忽略 64 位 ROM 地址，直接向 DS18B20 發(fā)溫度變換命令。適用于單片工作。 告警搜 0ECH 執(zhí)行后只有溫 度超過設(shè)定值上限或下限的片子才做出響 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 索命令 應(yīng)。 DS18B20 的 RAM 指令如表 34 所示： 表 34DS18B20 的 RAM 指令表 指 令 約定代 碼 功 能 溫度變換 44H 啟動 DS18B20進行溫度轉(zhuǎn)換， 12位轉(zhuǎn)換時最長為 750ms（ 9 位為 ）。結(jié)果存入內(nèi)部 9 字節(jié) RAM中。 讀暫存器 0BEH 讀內(nèi)部 RAM 中 9 字節(jié)的內(nèi)容 寫暫存器 4EH 發(fā)出向內(nèi)部 RAM 的 4字節(jié)寫上、下限溫度數(shù)據(jù)命令，緊跟該命令之后，是傳送兩字節(jié)的數(shù)據(jù)。 復(fù)制暫存器 48H 將 RAM中第 3 、 4 字節(jié)的內(nèi)容復(fù)制 到 EEPROM 中。 重調(diào) EEPROM 0B8H 將 EEPROM 中內(nèi)容恢復(fù)到 RAM 中的第 3 、 4 字節(jié)。 讀供電方式 0B4H 讀 DS18B20的供電模式。寄生供電時 DS18B20發(fā)送 “ 0 ” ，外接電源供電 DS18B20 發(fā)送 “ 1 ” 。 數(shù)字輸出格式如表 35： 表 35 DS18B20 的數(shù)字輸出格式表 溫度 數(shù)字輸出 (二進制 ) 數(shù)字輸出 (十六進制 ) +125 0000 0111 1101 0000 07D0h +85 0000 0101 0101 0000 0550h + 0000 0001 1001 0001 0191h + 0000 0000 1010 0010 00A2h + 0000 0000 0000 1000 0008h 0 0000 0000 0000 0000 0000h 1111 1111 1111 1000 FFF8h 1111 1111 0101 1110 FF5Eh 1111 1110 0110 1111 FE6Fh 55 1111 1100 1001 0000 FC90h HS1101 電容式濕度傳感器 HS1101，它是基于獨特工藝設(shè)計的電容元件，固態(tài)聚合物結(jié)構(gòu)，精度高達177。 2％ RH；極好的線性輸出； 1～ 99％ 錯誤 !未找到引用源。 濕 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 度量程； 40～ 100錯誤 !未找到引用源。 的溫度工作范圍，響應(yīng)時間 5秒；濕度輸出受溫度影響極小，防腐蝕性氣體；常溫使用無需溫度補償，無需校準；具有最突出的優(yōu)點是長期穩(wěn)定性極強。穩(wěn)定性強是產(chǎn)品具備良好的線性度、精密度、一致性、長期穩(wěn)定性的可靠保證。 HS1101 的主要特性如下： ①全互換性在標準環(huán)境下不需校正 ②長時 間飽和下快速脫濕 ③高可靠性與長時間穩(wěn)定性 ④專利的固態(tài)聚合物結(jié)構(gòu) ⑤可用于線性電壓或頻率輸出 由此可以看出 HS1101 具有測量精度高，反應(yīng)速度高的優(yōu)點 ，其濕度－電容響應(yīng)曲線如圖 25： 圖 317 HS1101 濕度－電容響應(yīng)曲線 HS1101 的一些常用參數(shù)如表 35： 表 35 HS1101常用參數(shù) 參數(shù) 符號 參數(shù)值 單位 工作溫度 Ta 40～ 100 ℃ 儲存溫度 Tstg 40～ 125 ℃ 供電電壓 Vs 10 Vac 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 濕度范圍 RH 0～ 100 %RH 焊接時間 @=260℃ t 10 S HS1101 特性參數(shù)如表 36 表 36HS1101 的特性參數(shù) 特征參數(shù) 符號 Min Typ Max 單位 濕度測量范圍 RH 1 99 5 供電電壓 VS 錯誤 !未找到引用源。 5 10 錯誤 !未找到引用源。 標稱電容 @55%RH 錯誤 !未找到引用源。 錯誤 !未找到引用源。 117 180 183 錯誤 !未找到引用源。 溫度效應(yīng) 錯誤 !未找到引用源。 錯誤 !未找到引用源。/℃ 平均靈敏度（ 錯誤 !未找到引用源。 ） ?C/%RH pF/%RH 漏電流 Ix 1 錯誤 !未找到引用源。 恢復(fù)時間 tr 10 錯誤 !未找到引用源。 遲滯 錯 錯 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 誤 !未找到引用源。 誤 !未找到引用源。 長時間穩(wěn)定性 %RH/yr 反應(yīng)時間 錯誤 !未找到引用源。 5 S 曲線精度（ 10％～ 90％） 177。 2 %RH 電壓輸出典型參數(shù)（ VCC=5V， 25℃ ） 如表 36 表 36 HS1101 輸出方波頻率與相對濕度對照表 RH 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 F 7351 7224 7100 6976 6853 6728 6600 6468 6330 6186 6033 LCD1602 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 LCD1602 的管腳定義圖如圖 317所示： 圖 317 LCD1602 管腳圖 LCD1602 管腳定義如表 310所示 表 310LCD1602 管腳定義 引腳 符號 功能說明 1 VSS 一般接地 2 VDD 接電源（ +5V） 3 V0 液晶顯示器對比度調(diào)整端，接正電源時對比度最弱，接地電源時對比度最高（對比度過高時會產(chǎn)生 “鬼影 ”，使用時可以通過一個 10K 的電位器調(diào)整對比度）。 4 RS RS 為寄存器選擇，高電平 1 時選擇數(shù)據(jù)寄存器、低電平 0 時選擇指令寄存器。 5 R/W R/W 為讀寫信號線，高電平 (1)時進行讀操作，低電平 (0)時進行寫操作。 6 E E(或 EN)端為使能 (enable)端，下降沿使能。 7 DB0 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 0 位（最低位） 8 DB1 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 1 位 9 DB2 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 2 位 10 DB3 底 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 3 位 11 DB4 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 4 位 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 12 DB5 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 5 位 13 DB6 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 6 位 14 DB7 高 4 位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 7 位（最高位）（也是 busy flang） 15 BLA 背光 電源正極 16 BLK 背光 電源負極 LCD1602 寄存器選擇控制 如表 311 所示 表 311 LCD1602 寄存器控制表 RS R/W 操作說明 0 0 寫入指令寄存器（清除屏等） 0 1 讀 busy flag（ DB7），以及讀取位址計數(shù)器（ DB0~DB6）值 1 0 寫入數(shù)據(jù)寄存器（顯示各字型等） 1 1 從數(shù)據(jù)寄存器讀取數(shù)據(jù) 1602 液晶模塊內(nèi)部的控制器共有 11 條控制指令，如表 34所示： 表 312 控制命令表 序號 指令 RS R/W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 1 清顯示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 2 光標返回 0 0 0 0 0 0 0 0 1 * 3 置輸入模式 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 4 顯示開 /關(guān)控制 0 0 0 0 0 0 1 D C B 5 光標或字符移位 0 0 0 0 0 1 S/C R/L * * 6 置功能 0 0 0 0 1 DL N F * * 7 置字符發(fā)生存貯器地址 0 0 0 1 字符發(fā)生存貯器地址 8 置數(shù)據(jù)存貯器地址 0 0 1 顯示數(shù)據(jù)存貯器地址 9 讀 忙標志或地址 0 1 BF 計數(shù)器地址 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 10 寫數(shù)到 CGRAM 或DDRAM） 1 0 要寫的數(shù)據(jù)內(nèi)容 11 從 CGRAM 或 DDRAM讀數(shù) 1 1 讀出的數(shù)據(jù)內(nèi)容 1602 液晶模塊的讀寫操作、屏幕和光標的操作都是通過指令編程來實現(xiàn)的。（說明： 1 為高電平、 0 為低電平） 指令 1：清顯示，指令碼 01H,光標復(fù)位到地址 00H 位置。 指令 2：光標復(fù)位，光標返回到地址 00H。 指令 3：光標和顯示模式設(shè)置 I/D：光標移動方向，高電平右移，低電平左移 S:屏幕上所有文字是否左移或者右移。高電平表示有效，低電平則無效。 指令 4：顯示開關(guān)控制。 D：控制整體顯示的開與關(guān)，高電平表示開顯示，低電平表示關(guān)顯示 。C：控制光標的開與關(guān)，高電平表示有光標，低電平表示無光標 。 B：控制光標是否閃爍，高電平閃爍，低電平不閃爍。 指令 5:光標或顯示移位 S/C 高電平時移動顯示的文字，低電平時移動光標。 指令 6：功能設(shè)置命令 DL：高電平時為 4位總線，低電平時為 8位總線 N：低電平時為單行顯示，高電平時雙行顯示 F: 低電平時顯示 5x7的點陣字符，高電平時顯示 5x10 的點陣字符。 指令 7：字符發(fā)生器 RAM 地址設(shè)置。 指令 8： DDRAM 地址 設(shè)置。 指令 9：讀忙信號和光標地址 BF：為忙標志位，高電平表示忙，此時模塊不能接收命令或者數(shù)據(jù)，如果為低電平表示不忙。 指令 10：寫數(shù)據(jù)。 指令 11：讀數(shù)據(jù)。 BH1750FVI 設(shè)計中應(yīng)用的 GY30 模塊是一個數(shù)字光學(xué)模塊，其中 BH1750FVI 是一個 16位的數(shù)字輸出型環(huán)境光強度傳感器集成電路，這種集成電路可以根據(jù)收集的光線強度數(shù)據(jù)來調(diào)整液晶或者鍵盤背景燈的亮度。利用它的高分辨率可以探測較大范圍的光強度變化。（ 1lx65535lx）。這里主要介紹 BH1750FVI 集成電路。集 西華大學(xué)畢業(yè)設(shè)計說明書 成 電路由以下一些特點。 1. 支持 I2C BUS 接口 (f/s Mode Support)。 2. 接近視覺靈敏度的光譜靈敏度特性 (峰值靈敏度波長典型值 :560nm)。 3. 輸出對應(yīng)亮度的數(shù)字值。 4. 對應(yīng)廣泛的輸入光范圍 (相當于 165535lx)。 5. 通過降低功率功能 ,實現(xiàn)低電流化。 6. 通過 50Hz/60Hz 除光噪音功能實現(xiàn)穩(wěn)定的測定 7. 支持 邏輯輸入接口。 8. 無需其他外部件。 9. 光源依賴性弱（白熾燈，熒光燈，鹵素燈，白光 LED，日光燈 ）。 10. 有兩種可選的 I2C slave 地址。 11. 可調(diào)的測量結(jié)果影響較大的因素為光入