【導讀】靜電防護措施,使器件在制造、運輸和使用過程中盡量避免靜電帶來的損傷。方法來防止或減少靜電對元器件的損害。單管在100-200V之間,GaAsFET在100-300V之間,而且這些單管是不能增加保護電路的;來減小,這種損傷就會越來越多。所以我們說,絕大多數元器件是靜電敏感器件,需要在制。據美國1988年的報道,它們的電子行業(yè)中,由于ESD的影響,每年的損失達50億美元。從中可以看到,EOS/ESD造成的失效也達到20%。件在受到ESD損傷后芯片內部的相貌像。ESD對電子元器件的危害還表現在它的潛在性。即器件在受到ESD應力后并不馬上失。閾值較多電壓的ESD試驗而功能完全正常的樣品,另一組是未經過任何試驗的良品。說明了ESD潛在損傷對器件可靠性的影響。國際上在1979年成立了EOS/ESD研究協(xié)會,主要研究電子行業(yè)的EOS和ESD問題,訂,現在已是版,而且很多標準明確規(guī)定軍用微電路必須達到2kV的ESD等級。靜電對電子產品的損害有多種形式,并具有自身的特點。其中靜電放電事件是造成元器件損傷最常見和最主要的原因。